电子技术 电子教案.doc

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1、教案系（部）教师姓名课程名称授课班级总时数本学期时数授课日期9月8日授课时数2授课形式讲授授课章节名称第十章半导体二极管及其应用§10-1半导体及PN结§10-2半导体二极管(1)教学目的1.掌握半导体的导电特性；2.掌握PN结的单向导电性；3.掌握二极管的伏安特性。教学重点、难点1.半导体的导电特性；2.PN结的单向导电性；3.二极管的伏安特性；更新、补充、删节内容无课外作业复习本次课的内容课后体会这部分内容属模拟电子技术的基础知识，务必使学生们掌握PN结的单向导电特性，为学习二极管及三极管的有关知识打下基础。授课主要内容或纲要使用教具、挂图或其他教学手段

2、时间分配课程介绍：考试科目，3(1-14)＝42；基础：电路分析学习本课程的要求：上课听懂，课后及时复习巩固，认真完成作业第十章半导体二极管及其应用§10.1半导体及PN结一、半导体的导电特性1.据导电能力强弱分：导体、半导体、绝缘体；2.单晶体：又称本征半导体，常见材料有硅(Si)、锗(Ge)。【Remark】单晶体中几乎无载流子→常态下导电能力很差；【半导体的导电特性】(1)导电性：自由电子和空穴两种载流子共同作用；(2)具有光敏、热敏和掺杂特性。3.掺杂半导体(1)电子型(N型)半导体：主要依靠自由电子导电；(2)空穴型(P型)半导体：主要依靠空穴导电

3、；5分钟25分钟授课主要内容或纲要使用教具、挂图或其他教学手段时间分配(3)常见掺杂半导体：硅材料N、P型，锗材料N、P型；【Remark】掺杂半导体本身不带电。二、PN结1.形成过程浓度差→多子扩散→空间电荷区(N正，P负)↓内电场↙↘阻碍多子扩散促进少子漂移↘↙多子扩散与少子漂移达到动态平衡↓具有一定厚度的稳定的空间电荷区（PN结）【总结】由离子薄层形成的空间电荷区称为PN结。扩散运动：由载流子浓度差引起的多数载流子的运动；漂移运动：由内电场作用引起的少数载流子的运动2.PN的导电性——具有单向导电性PN结加正向电压(P+N—，正向偏置)：呈低阻导通；P

4、N结加反向电压(N+P—，反向偏置)：呈高阻截止。§10.2半导体二极管一、结构和分类1.构成：PN结，具有单向导电性2.文字符号，电路符号3.分类据制造工艺：点接触型、合金面结合型、平面扩散型；据材料：硅、锗和砷化镓二极管等；二、半导体二极管的伏安特性1.正向特性(1)死区：正向电压很小，正向电流几乎为零；(2)导通：正向电压大于死区电压，正向电阻变很小，正向电流迅速增加，正向压降基本稳定；2.反向特性(1)反向截止：反向电压较小，反向电流很小；(2)反向击穿：反向电压超过反向击穿电压，反向电流迅速增大，二极管失去单向导电性；【温度对特性的影响】温度升高，

5、正向特性曲线将左移，反向特性曲线将下移布置作业补充分类:据用途：整流二极管、稳压二极管、发光二极管等；据功率：大功率、中功率和小功率二极管。图10-6硅二极管的伏安特性曲线20分钟10分钟10分钟15分钟5分钟授课日期9月10日授课时数2授课形式讲授授课章节名称§10-2半导体二极管(2)§10-3二极管的应用(1)教学目的1.掌握二极管的两种基本等效电路；2.熟悉二极管的主要参数；3.掌握二极管极性的测试方法；4.掌握单相半波整流工作原理及电压、电流的计算。教学重点、难点重点：1.二极管两种基本等效电路；2.二极管极性的测试方法；3.单相半波整流工作原理。

6、难点：单相半波整流工作原理更新、补充、删节内容无课外作业复习本次课的内容，课本146页习题10-6课后体会二极管的伏安特性非常重要，掌握其伏安特性及两种基本等效电路是理解学习二极管应用的基础，应使学生们牢固掌握这些知识。授课主要内容或纲要使用教具、挂图或其他教学手段时间分配复习提问续上次课【二极管的等效电路】1.理想模型：正向偏置，管压降为零，电阻为零，反向偏置，反向电流为零，电阻无穷大，即受正向电压相当于短路，受反向电压相当于断路；三、半导体二极管的型号和主要参数【型号】见附录三【主要参数】(1)最大整流电流：允许长期通过的最大正向平均电流；；(2)最高反

7、向工作电压：允许施加的反向电压最大值；【Remark】(1)温度升高，减小;(2)约为击穿电压的一半。四、半导体二极管的简单测试(极性的判断)【模拟万用表操作】置于档或档；若读数小，则导通，负(黑)接阳，正(红)接阴；若读数为几百千欧以上，则截止，负接阴，正接阳；【数字万用表操作】拨至二极管测试档，红，黑补充恒压降模型2.恒压降模型：正向偏置，电压小于导通压降，电流为零，大于导通压降，则钳位于导通压降不变，反向偏置，反向电流为零，电阻无穷大。补充：(3)最大反向电流：未发生击穿时的反向电流；(4)最高工作频率：正常工作时的上限频率值。5分钟15分钟10分钟2

8、0分钟授课主要内容或纲要使用教具、挂图或其他教学手段