电子技术(供电)教案.doc

《电子技术(供电)教案.doc》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在工程资料-天天文库。

1、《电子技术》教上课系别：机电学院授课班级：供电201101班主讲教师：徐鹏上课时间：2012年2月至2012年6月周课星授课内容（章节主要内容，字数在一千教学教学课外作业类羽次序期字以内）时数形式21—•课程教育、认识半导体元件2理论P191、2、322四半导体二极管的分类及应用2理论23五认识三极管元件2理论34•—认识三极管元件2理论P199、10、1335四放大电路的纽•成和基本原理2理论P4214、1746—•放大电路的分析方法2理论47四放大电路的分析方法2理论48五静态工作点的稳定性2理论59―・静态工作点的稳定性2理论51

2、0四共集电极放大电路和共基极放大电路2理论P564、8611放大电路的频率特性和多级放大电路2理论612四集成运算放大器2理论613五放大电路中的反馈2理论714—-集成运算放大器的应用2理论P733、4、5715四模电部分复习2理论816—-绝缘栅型场效应管2理论817四单相整流电路2理论818五滤波电路2理论P7311、12919四稳压电路2理论I1120―•晶闸管可控整流电路2理论P859、101121四电力电子部分复习2理论1222―•基本逻辑及门电路2理论1223四集成门电路2理论1224五数制和码制2理论P955、81225

3、六逻辑函数的表示方法及相互转换2理论补课1427—•纽合逻辑电路的分析和设计方法2理论1428四常用的纽合逻辑电路及其芯片2理论P1224、51429五基本RS触发器2理论1530—-常用触发器2理论1531四寄存器、计数器2理论1632―•555定时器的典型应用21633四A/D.D/A转换器2理论1634五数电部分复习2理论1735-—数电部分复习2理论1736四据掌握情况机动2理论1837—•复习2MB1838四复习2理讼1839五复习2理论第1单元(Unit)第2周(Week)2学时(Periods)单元标题(Title):认识

4、半导体元件教学地点(Place):汇贤阁1401教学目标(TeachingTarget)：1、了解半导体的特性、材料2、了解本征半导体的导电性及杂质半导体的种类和导电载流子的种类及特点3、知道PN结的特点教学方法(leachingApproaches):项目导向，任务驱动，课堂讲授结合多媒体演示教学材料及T具(TeachingMaterials&Aids)：多媒体课件、实物考核与评价方式(Testing&EvaluatingMode)：随堂提问结合下堂课提问的方式进行考核主耍教学内容及过程MainleachingContents&Pro

5、cedures电子技术主要包括两部分内容，模拟电子技术和数字电子技术，今天起我们开始学习模拟电子技术，二极管是模拟电子技术的基本元器件，本次课就主要学习二极管的基本特性及其应用只是。一、半导体材料根据物体导电能力（电阻率）的不同，来划分导体、绝缘体和半导体。电阻率：导体:10—6〜10-4Q•cm绝缘休1010〜1022Q•cm半导休10—3〜109Q•cm典型的半导体元素：硅Si和错Ge化合物：神化稼GaAs等。1、基本概念：本征半导体——化学成分纯净的半导体。它在物理结构上呈单晶体形态.空穴——共价键中的空位。电子空穴対——山热激发

6、而产生的自111电子和空穴对。空穴的移动——空穴的运动是靠相邻共价键中的价电子依次充填空穴来实现的。本征激发——价电子获得足够的能量，打破共价键，变成自山电子，产生电子-空穴对。本征浓度——温度一定，电子-空穴对的产生与复合运动将处于动态平衡，自山电子和空穴保持与温度对应的不变的浓度。这个浓度称为本征浓度。用Ni表示。载流子的本征浓度，决定了本征半导体的导电能力。这种导电能力很弱，还不能付诸实用。2、半导休的导电机构两种载流子：自山电子：带负电的载流子。空穴：可以看成带止电的载流子。两种电流：电子电流，空穴电流3、影响半导体导电能力的因

7、素1）、温度——热敏特性；2）、光辐射——光敏特性；3）、杂质——掺杂特性。掺杂百万分之一的相关杂质，导电能力提高一方万倍。4、杂质半导体在本征半导体屮掺入某些微量元素作为杂质，不改变其晶体结构，可使半导体的导电性发生显著变化。本征半导体在掺入杂质后称为杂质半导体。N型半导体——掺入五价杂质元索（如磷）的半导体。P型半导体——掺入三价朵质元素（如硼）的半导休。注：1）在N型半导体中自山电子是多数载流子，它主耍由杂质原子提供；空穴是少数载流子，曲热激发形成。2）在P型半导体中空穴是多数载流子，它主要山掺杂形成；白山电子是少数载流子，山热激

8、发形成。二、PN结的形成及特性1、PN结的形成因浓度差，多子的扩散运动T山杂质离子形成空间电荷区I空间电荷区形成内电场J丄内电场促使少子漂移内电场阻止多子扩散最后，多子的扩散和少子的漂移达到动态平衡。2、P