MEMORY 分析.ppt

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1、MEMORY分析MEMORY分类非易失性存储器（Non-volatilememory）MASKROM（掩模型只读存储器）PROM（ProgrammableROM，可编程只读存储器）EPROM（ErasableProgrammable，可擦可编程只读存储器）EEPROM（ElectricallyErasableProgrammable，电可擦可编程只读存储器）FlashMemory（快闪存储器）易失性存储器（Volatilememory）RAM（Randomaccessmemory，随机访问存储器）

2、DRAM（Dynamicrandomaccessmemory，动态随机访问存储器）SRAM（Staticrandomaccessmemory，静态随机访问存储器）非易失性存储器（Non-volatilememory）非易失性存储器（Non-volatilememory）是指即使电源供应中断，存储器所存储的数据并不会消失，重新供电后，就能够读取内存数据的存储器。MASKROM（掩模型只读存储器）只读存储器（Read-OnlyMemory）是一种只能读取数据的存储器。其数据内容在制造后就不能更改，只能

3、读不能写，因此得名。后来为了与其他新种类的ROM区别，又称为“光罩式只读存储器”（MaskROM）。此存储器单位制造成本最低，但每次需生产一定的数量以上。适用于内容固定不变、需大量生产的产品，例如电脑或嵌入式设备中的开机启动，字形表，电子游戏机程序与卡带等。AddtextinerePROM（ProgrammableROM）可编程只读存储器（ProgrammableROM，PROM）其内部有行列式的镕丝，可依用户（厂商）的需要，利用电流将其烧断，以写入所需的数据及程序，镕丝一经烧断便无法再恢复，亦即

4、数据无法再更改。EPROM（ErasableProgrammable）可抹除可编程只读存储器（ErasableProgrammableReadOnlyMemory，EPROM）可利用高电压将数据编程写入，但抹除时需将线路曝光于紫外线下一段时间，数据始可被清空，再供重复使用。因此，在封装外壳上会预留一个石英玻璃所制的透明窗以便进行紫外线曝光。OTPROM（OneTimeProgrammableReadOnlyMemory）一次编程只读存储器（OneTimeProgrammableReadOnlyMe

5、mory，OTPROM）内部所用的芯片与写入原理同EPROM，但是为了节省成本，封装上不设置透明窗，因此编程写入之后就不能再抹除改写。EEPROM（ElectricallyErasableProgrammable）电子式可抹除可编程只读存储器（ElectricallyErasableProgrammableReadOnlyMemory，EEPROM）之运作原理类似EPROM，但是抹除的方式是使用电场来完成，因此不需要透明窗。EEPROM串行式EEPROM并行式EEPROMEEPROM分类串行式EE

6、PROMMicrowire接口（3线）：型号为以93开头的系列。例：93C46I2C接口（2线）：型号为以24开头的系列。例：24LC02SPI接口（3线）：型号为以25开头的系列。例：25LC08UNI/O接口（1线）：由Microchip公司出品，型号为以11开头1-Wire接口（1线）：由Dallas/Maxim公司出品并行式EEPROM型号通常为以28开头的系列型号通常为以29或49开头的系列，写入须以较大的区块为单位，此种存储器一般会使用Flash（闪存）来称呼FlashMemory（快

7、闪存储器）NORFlashNANDFlashNORFlash本身为读取操作(支持随机存取)提供外部寻址总线；至于解锁、抹除与写入则须以区块-区块(Block-by-block)的方式进行，典型的区块大小为64、128或256字节。闪存是一种特殊的、以宏块抹写的EEPROM。NANDFlash所有的动作都必须以区块性基础(Block-wisefashion)运行，包含读、写、解锁与抹除。易失性存储器易失性存储器（Volatilememory）指的是当电源供应中断后，存储器所存储的数据便会消失的存储器

8、。RAM（RandomAccessMemory）SRAMDRAM优点较低的单位容量价格缺点访问较慢典型应用高速缓存优点访问快速缺点生产成本较为昂贵典型应用系统主存动态随机存取存储器（DRAM）的特点随机存取易失性较高的访问速度需要刷新对静电敏感SDRAMDRAM异步接口SDRAM同步接口，需要时钟信号与计算机系统总线同步，可以对指令进行流水线操作，与DRAM比较DRAM性能的极限同步动态随机存取内存（synchronousdynamicrandomaccessmemory，SDRA