哈工大数字电子技术模拟电子技术课件第一章MOS.ppt

哈工大数字电子技术模拟电子技术课件第一章MOS.ppt

ID:49311669

大小:942.00 KB

页数:10页

时间:2020-02-03

哈工大数字电子技术模拟电子技术课件第一章MOS.ppt_第1页
哈工大数字电子技术模拟电子技术课件第一章MOS.ppt_第2页
哈工大数字电子技术模拟电子技术课件第一章MOS.ppt_第3页
哈工大数字电子技术模拟电子技术课件第一章MOS.ppt_第4页
哈工大数字电子技术模拟电子技术课件第一章MOS.ppt_第5页
资源描述:

《哈工大数字电子技术模拟电子技术课件第一章MOS.ppt》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在行业资料-天天文库

1、1.6场效应半导体晶体管1.6.1.1N沟道增强型MOSFET1.6.1.2N沟道耗尽型MOSFET1.6.2结型场效应晶体管1.栅源电压对沟道的控制作用(UDS=0)2.漏源电压对沟道的控制作用1.6.3场效应晶体管的参数和型号

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文

此文档下载收益归作者所有

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文
温馨提示:
1. 部分包含数学公式或PPT动画的文件,查看预览时可能会显示错乱或异常,文件下载后无此问题,请放心下载。
2. 本文档由用户上传,版权归属用户,天天文库负责整理代发布。如果您对本文档版权有争议请及时联系客服。
3. 下载前请仔细阅读文档内容,确认文档内容符合您的需求后进行下载,若出现内容与标题不符可向本站投诉处理。
4. 下载文档时可能由于网络波动等原因无法下载或下载错误,付费完成后未能成功下载的用户请联系客服处理。