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1、模拟电子技术基础习题册班级：XXXX姓名：XXXX学号：XXXXXXXXX年XXX月第一章：基本放大电路习题1-1填空：1.本征半导体是,其载流子是一自由电子和空农o载流子的浓度相等（空穴与自由电子数li相等）。2.在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺杂，而少数载流子的浓度则与温度有很大关系。3.漂移电流是在作用下形成的。4.二极管的最主要特征是PN结具有单向导电性,它的两个主要参数是最大整流电流和最高反向工作电压。5.稳压管是利用了二极管的反向击穿陡直的特征,而制造的特殊二极管。它工作在反向击穿区。描
2、述稳压管的主要参数有四种，它们分别是稳定工作电压、稳定工作电流、额定功率、和动态电阻。6.某稳压管具有正的电压温度系数，那么当温度升高时，稳压管的稳压值将升高。7.双极型晶体管可以分成PNP型和NPN型两种类型,它们工作时有空穴和电了两种载流子参与导电。8.场效应管从结构上分成结型场效应管和绝缘栅场效应管—两种类型，它的导电过程仅仅取决于多数载流子的流动;因而它又称做单极性品体管器件。9.场效应管属于-一电压控制电流_控制型器件，而双极型半导体三极管则可以认为是电流控制电B_型器件。10.当温度升高时，双极性三
3、极管的0将增大,反向饱和电流2增大正向结压降降低°11.用万用表判别放大电路中处于正常放大工作的某个晶体管的类型与三个电极时，测出电位最为方便。12.三极管工作有三个区域，在放大区时，偏置为发射结正偏和集电结反偏；饱和区，偏置为一发射结正偏和集电结正偏；截止区，偏置为发射结反偏和发射结反偏°13.温度升高时，晶体管的共设输入特性曲线将左移，输出特性曲线将上移,而且输出特性曲线之间的间隔将增大°1-2设硅稳压管。7】和DZ2的稳定电压分别为5V和10V,求图1-2小各电路的输出电压U。,已知稳压管的正向压降为0.
4、7Vo1-3分别画出图1-3所示电路的直流通路与交流通路。1-5放大电路如图1・5所示，试选择以下三种情形之一填空。a：增大、b：减小、c：不变（包括基本不变）1.要使静态工作电流厶减小，则加应b°2.心2在适当范围内增大，则电压放大倍数_,输入电阻增人，输出电阻。3.&在适当范围内增大，则电压放大倍数，输入电阻a,输出电阻c（一个定值电阻变量一般不会，除非特殊情况）。????4.从输出端开路到接上Rl，静态工作点将—，交流输出电压幅度要。5.J/*减小时，直流负载线的斜率c。o-+气5Rb2Rbi°+?ccR
5、eUtCe图1-51-6电路如图1-5所示,设%c=15V,&i=20kQ,/?b2=60Ko,&=3kQ,&=2kQ,电容C2,C2和G都足够大，0=60,Ube=0.7V,7?L=3kQ1.电路的静态工作点/bq、Icq、C/ceqo2.电路的电压放大倍数4p放大电路的输出电阻打和输出电阻厲3.若信号源具有R尸600Q的内阻，求源电压放大倍数竝s。1-7图1・7所示电路中,1.求静态工作点。2.画微变等效电路。3.求=—o54.求打，rop/o2«多级放大电路与频率特性习题2-1填空：1000召（1+几（1
6、+丿缶）式中/单位Hz1.已知某放大电路电压放大倍数的频率特性表达式为：表明其下限频率为;上限频率为；中频电压增益为dB,输出电压与输入电压中频段的相位差为o2.幅度失真和相位失真统称为失真，它属于失真，在出现这类失真时，若绚为正弦波，则如为波，若给为非正弦波，则心与给的频率成分,但不同频率成分的幅度变化。3.饱和失真，截止失真都属于失真，在出殃这类失真时，若他为正弦波，则心为波。如与血的频率成分o4.多级放大电路的通频带比组成它的各个单级放大电路的通频带o5.多级放大电路在高频时产生的附加相移比组成它的各个单
7、级放大电路在相同频率产生的附加相移o1.多级放大电路放大倍数的波特图是各级波特图的o2.在三级放大电路中，已^
8、/IuI
9、=50,
10、Ju2
11、=80,
12、Ju3
13、=25,则其总电压放大倍数
14、力沪，折合为dBo3.在多级放大电路屮，后级的输入电阻是前级的,而前级的输出电阻则也可视为后级的；前级对后级而言又是01-4某放大电路的电压放大倍数复数表达式为：Au=厂丄込厂/的单位为Hz（1+丿#）（1+丿盖）（1+丿秸）1.求中频电压放大倍数/叶2.画出厶幅频特性波特图3.求上限截止频率血和下限截止频率几1-5图2-5中的
15、Ti，T2均为硅管，Ube=0.7V,两管间为直接耦合方式，已知0】=02=50,伽1=32=300Q,电容器G，C2,C3,C4的容量足够大。1.估算静态工作点/CQ2，&EQ2（7取2的影响忽略不计）2.求中频电压放大倍数血3.求输入电阻Fj和输出电阻ro4.用仿真验证上述结果图2・51-6电路如图2・6所示1.写IBA.=—及®厂。的表达式（设01，02，W，氐2及电路中各电阻均
