电子技术基础复习PPT.ppt

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1、电子技术基础－复习第一章绪论1.1电子电路的基本概念1.1.1电子电路及其框图理想电子电路：Ri⇒∞,Ro⇒01两个电压放大倍数相同的放大电路A和B，对同一个具有内阻的信号源电压进行放大，在负载开路的条件下测得A的输出电压较大，这说明A的?2两个电压放大倍数相同的放大电路A和B，分别由晶体管和场效应管构成，对同一个具有内阻的信号源电压进行放大，在负载开路的条件下测得A、B两电路哪个输出电压大？3两个放大电路负载开路时电压放大倍数为10dB，若将他们级联后构成两级放大器的总电压放大倍数是？1.1.2模拟信号与数字

2、信号模拟信号：是一种随时间连续变化的信号。正弦波信号就是一种常见的模拟信号，其幅值、频率或相位都是随时间连续变化的。数字信号：是一种离散信号。矩型波信号就是一种常见的数字信号，其幅值、频率或相位都是离散的，它们通常用数字形式表示。处理模拟信号的电路称为模拟电路，常用的模拟电路有放大电路、滤波电路和波形转换电路等。处理数字信号的电路称为数字电路,常用的有编码电路、译码电路和记忆电路等。1.2电子电路的电路模型工程(去精取粗)模型：就是常说的电路原理图，简称电路图。它着重表明了电子电路的工作原理，对与工作原理关系不

3、大的细节通常不与表示。物理(实际)模型：是分析电子电路或电子系统的分析模型，最终建立电子电路各变量和元件参数之间的数学表达式——数学模型。1.2.1电子电路的模型P8图1.2.1二极管理想模型：正向导通时压降为零，反向截止时电流为零。1.2.2二极管的物理模型死区电压：0.5V;导通压降：0.6～0.8V理想模型管压降理想模型小信号实际模型考虑rbe模型二极管工作在反向击穿区工作模型二极管反向击穿时，电流发生改变而电压变化很小，因此工作在反向击穿区的二极管具有稳压特性。题:电路如题图1-1，试判断各图中二极管的

4、工作状态，并求输出电压uo（二极管均是理想的）。=-5V=-5V=0V=3V=4V二极管的单向导电性使它：1开关2整流3检波4续流第二章集成运算放大器2.1.1集成运算放大器结构特点共模分量:uiC=u1+u22差模分量:uid=u1-u22差模信号＝u1-u2某差分输入运算放大电路其同相端输入信号为7mV，反向端输入信号为3mV，则其共模分量是5mV，差模分量是2mV，差模信号是4mV。2.1.3理想运算放大器特点一开环电压放大倍数二差模信号的输入电阻三输出电阻四共模抑制比五频带宽度因为：Auo=∞，所以：U

5、+=U－，称为“虚短”因为：rid=∞，所以：i+=i－，称为“虚断”2.2集成运算放大器的三种输入组态反相输入同相输入差分输入电路电路图放大倍数派生电路RF=R1反相器u0=-uiRF=0;R1⇒∞跟随器:u0=uiR1=R2=RF=R’F减法器：u0=ui2-ui12.3集成运算放大器的应用举例2.3.1加法和减法运算电路反相求和电路同相求和电路2.3.2积分电路和微分电路积分电路作用：方波→△微分电路作用：方波→触发波触发脉冲第三章晶体管与基本放大电路3.1晶体管及共射极基本放大电路可用半导体材料种类？硅

6、、锗晶体管类型？NPN、PNP3.1.1晶体管的结构、工作原理和特性放大条件：发射结正向偏置，集电结反向偏置工作状态：放大、饱和、截止放大时的电流分配：IE=IC+IB在某电子放大器中，测得三个晶体管各电极电位如表所示，请问它们是硅管还是锗管?是NPN还是PNP管?1，2，3各是哪一电极(B、C、E)?甲管乙管丙管各电极对公共端电位(V)123123123-4-3.3-849.8103.293.9BCEBECCBEECB锗（硅）管硅锗硅NPN(PNP)PNPPNPNPN晶体管三种工作状态对比工作状态直流偏置条件

7、电位关系输出伏安特性(以NPN管为例)NPN硅管PNP锗管截止发射结：不大于死区电压集电结：反向偏置uBE≤0.5VuBC<0VuBE≥-0.1VuBC>0VIC=0，UCE=VCC＝“1”放大发射结：大于死区电压集电结：反向偏置uBE>0.5VuBC<0VuBE<-0.1VuBC>0VIC=β∙IBUCE=VCC-IC∙RC恒流源饱和发射结：大于死区电压集电结：正向偏置uBE>0.5VuBC>0VuBE<-0.1VuBC<0VIC=(VCC-UCES)/RCUCE=UCES≈0.3V＝“0”（1）输入特性（2

8、）输出特性三极管的伏安特性确定输出特性中三极管的三个工作区饱和区截止区放大区3.1.2共射极基本放大电路静态分析动态分析稳定静态工作点放大电路静态分析动态分析要求例题、作业题静态分析动态分析3.4多级放大电路P68阻容耦合直接耦合变压器耦合光电耦合特点1各级Q点互不影响2结构简单1能放大直流信号2可集成化1有阻抗变换2各级Q点互不影响1电气隔离2抗干扰问题1不能放大变化缓慢的信号2不能