模拟电子技术基础复习

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1、模拟电子技术基础复习大纲高等教育出版社康华光书中有关符号的约定·大写字母、大写下标表示直流量。如，V、CEI等。C·小写字母、大写下标表示总量（含交、直流）。如，v、i等。CEB·小写字母、小写下标表示纯交流量。如，v、iceb等。·上方有圆点的大写字母、小写下标表示相量。如，、V&I&等。cebPDF文件使用"pdfFactoryPro"试用版本创建www.fineprint.cn第一章绪论电压放大模型RsRo&++++V1.输入电阻R=iVsViRiAVOViVoRLi&I––––i反应了放大电路从信号源吸取信号幅值的大小。输入电压信号，Ri越大，V&i越大。输入电流信号，Ri越小

2、，I&i越大。IT&放外加测试信号&=VT++VR大TiI&VTVTRi电T––路PDF文件使用"pdfFactoryPro"试用版本创建竡www.fineprint.cn2.输出电阻Ro放++大Ro决定放大电路带负载能力。电AVOViVoRL路––输出电压信号时，Ro越小（相对RL），RL对V&O影响越小，RRRI&oLLO输出电流信号时，越大（相对），对影响越输出电阻的计算：小。ITV&¢oRo=&RL-RL++VoVs=0放大电路VT––V&R=To&V&s=0RoITPDF文件使用"pdfFactoryPro"试用版本创建www.fineprint.cn3、频率响应20lg

3、A

4、V

5、/dB上、下限频率；带宽603dB频率失真（线性失40真）带宽幅度失真20非正弦信号相位失真02202´10234f/Hz2´102´10fLfH非线性失真饱和失真正弦信号截止失真P196题4.7.4PDF文件使用"pdfFactoryPro"试用版本创建www.fineprint.cn第三章二极管及其基本电路1、理解半导体中有两种载流子电子空穴——当电子挣脱共价键的束缚成为自由电子后，共价键就留下一个空位，这个空位就称为空穴2、理解本征半导体和本征激发本征半导体——化学成分纯净的半导体•两种载流子参与导电，自由电子数（n）=空穴数（p）•外电场作用下产生电流，电流大本征激发的特点

6、——小与载流子数目有关•导电能力随温度增加显著增加PDF文件使用"pdfFactoryPro"试用版本创建www.fineprint.cn3、理解杂质半导体（通过掺杂，提高导电能力）N型半导体：电子是多数载流子，空穴是少数载流子，但半导体呈中性P型半导体：空穴是多数载流子，电子是少数载流子，但半导体呈中性少数载流子是由电子—空穴对（本征激发）产生而来，多子浓度主要取决于杂质浓度，少子浓度与温度有关。PDF文件使用"pdfFactoryPro"试用版本创建www.fineprint.cn4、熟练掌握PN结形成——由于浓度差，而出现扩散运动，在中间形成空间电荷区（耗尽层），又由于空间电荷区

7、的内电场作用，存在漂移运动，达到动态平衡。单向导电性——不外加电压，扩散运动=漂移运动，i=0D加正向电压（耗尽层变窄），扩散运动＞漂移运动形成iD加反向电压（耗尽层变宽），扩散运动为0，只有很小的漂移运动形成反向电流特性方程：i=I（eVo/VT-1）DS特性曲线：正向导通：死区、导通区反向截止：截止区、击穿区PDF文件使用"pdfFactoryPro"试用版本创建www.fineprint.cn5、理解二极管单向导电性、特性方程及特性曲线与PN结相同主要参数：最大整流电流I、反向击穿电压V、反向电流I、FBRR极间电容、最高工作频率分析模型：理想模型、恒压降模型、折线模型、小信号模

8、型二极管电路的分析计算：导通管的压降看做常值（硅0.7V，锗0.2V）或0V（理想二极管）；截止管所在支路看做断开，电路中所有二极管状态判明后，进一步计算所要求的各物理量。PDF文件使用"pdfFactoryPro"试用版本创建www.fineprint.cn6、特殊二极管——稳压管（工作在反向击穿区）反向偏置且V＞VIZ稳压原理：无论输入变化或负载变化，引起的电流变化都加于稳压管上，使输出电压稳定参数：V、I、PrZZZM、Z习题3.4.5；3.4.7；3.4.9；3.5.1PDF文件使用"pdfFactoryPro"试用版本创建www.fineprint.cn第四章双极型三极管及放

9、大电路基础1、理解半导体三极管①类型：结构、材料硅管（V=0.7V）、锗管（V=0.2V）BEBEPDF文件使用"pdfFactoryPro"试用版本创建www.fineprint.cn②电流控制器件i=βiCBi=(1+β)iEBi+i=iBCE③三个工作区特性曲线输入：输出：饱和区：发射结、集电结均正偏，V=0.7V,V=0.3VBECES放大区:发一正,集一反,V=0.7遵循i=βiBECB截止区:发射结、集电结均反偏V＜0.5V时已进入