模拟电子技术基础复习大纲

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1、模拟电子技术基础复习大纲高等教育出版社小写字母、大写下标表示总量（含交、直流）。如，vCE、iB等。大写字母、大写下标表示直流量。如，VCE、IC等。小写字母、小写下标表示纯交流量。如，vce、ib等。上方有圆点的大写字母、小写下标表示相量。如，、等。书中有关符号的约定第一章绪论电压放大模型1.输入电阻反应了放大电路从信号源吸取信号幅值的大小。输入电压信号，越大，越大。输入电流信号，越小，越大。2.输出电阻决定放大电路带负载能力。输出电压信号时，越小（相对），对影响越小，输出电流信号时，越大（相对），对影响越小。输出电阻的计算：3、频率响应上、下限

2、频率；带宽频率失真（线性失真）P196题4.7.4幅度失真相位失真非正弦信号非线性失真饱和失真截止失真正弦信号第三章二极管及其基本电路1、理解半导体中有两种载流子电子空穴——当电子挣脱共价键的束缚成为自由电子后，共价键就留下一个空位，这个空位就称为空穴2、理解本征半导体和本征激发本征半导体——化学成分纯净的半导体本征激发的特点——两种载流子参与导电，自由电子数（n）=空穴数（p）外电场作用下产生电流，电流大小与载流子数目有关导电能力随温度增加显著增加N型半导体：电子是多数载流子，空穴是少数载流子，但半导体呈中性P型半导体：空穴是多数载流子，电子是少数载流子

3、，但半导体呈中性3、理解杂质半导体（通过掺杂，提高导电能力）少数载流子是由电子—空穴对（本征激发）产生而来，多子浓度主要取决于杂质浓度，少子浓度与温度有关。4、熟练掌握PN结形成——由于浓度差，而出现扩散运动，在中间形成空间电荷区（耗尽层），又由于空间电荷区的内电场作用，存在漂移运动，达到动态平衡。单向导电性——不外加电压，扩散运动=漂移运动，iD=0加正向电压（耗尽层变窄），扩散运动＞漂移运动形成iD加反向电压（耗尽层变宽），扩散运动为0，只有很小的漂移运动形成反向电流特性方程：iD=IS（eVo/VT-1）特性曲线：正向导通：死区、导通区反向截止：截止

4、区、击穿区5、理解二极管单向导电性、特性方程及特性曲线与PN结相同主要参数：最大整流电流IF、反向击穿电压VBR、反向电流IR、极间电容、最高工作频率分析模型：理想模型、恒压降模型、折线模型、小信号模型导通管的压降看做常值（硅0.7V，锗0.2V）或0V（理想二极管）；截止管所在支路看做断开，电路中所有二极管状态判明后，进一步计算所要求的各物理量。二极管电路的分析计算：6、特殊二极管——稳压管（工作在反向击穿区）反向偏置且VI＞VZ稳压原理：无论输入变化或负载变化，引起的电流变化都加于稳压管上，使输出电压稳定参数：VZ、IZ、PZM、rZ习题3.4.5；3

5、.4.7；3.4.9；3.5.1第四章双极型三极管及放大电路基础1、理解半导体三极管①类型：结构、材料硅管（VBE=0.7V）、锗管（VBE=0.2V）②电流控制器件iC=βiBiE=(1+β)iBiB+iC=iE③三个工作区特性曲线输入：输出：饱和区：发射结、集电结均正偏，VBE=0.7V,VCES=0.3V放大区:发一正,集一反,VBE=0.7遵循iC=βiB截止区:发射结、集电结均反偏VBE＜0.5V时已进入截止区④放大条件发射极正偏,集电极反偏发射区杂质浓度大，集电区杂质浓度低，基区窄，杂质浓度低。c、e不能互换；根据各电极对地电位和各电极电流判断

6、管子类型⑤参数集电极最大允许电流ICM、集电极最大允许功耗PCM、反向击穿电压V（BR）CEO、ICBOICEOTVBEIBIC2、三极管放大电路直流通路：Q点—图解法、近似估算法放大条件、交流参数交流通路：、最大输出电压幅度—图解法、模型法①了解图解法求Q点直流负载线交流负载线分析非线性失真饱和失真静态点过高（NPN，底）截止失真静态点过低（NPN，顶）信号过大增益过大引起的失真确定最大输出电压幅度VOm(交流负载线)②小信号模型（对交流信号）其中rbe是动态电阻，但与静态电流IE有关。③三种组态及特点（P148表4.5.1）共射

7、极——射极为输入输出的公共端共基极——基极为输入输出的公共端共集电极——集电极为输入输出的公共端重点掌握单管共射放大电路(包括分压式和射极偏置)电路的组成和工作原理,注意有Re时的计算习题4.1.1；4.1.2；4.3.5；4.3.11；4.4.3；4.5.3第五章场效应管放大电路1、能够根据转移特性判别场效应管的类型（P237表5.5.1）结型场效应管N型：VGS＜0VDS＞0夹断电压VP＜0P型：VGS＞0VGS＜0夹断电压VP＞0增强型MOS管N型：VGS＞0VDS＞0开启电压VT＞0P型：VGS＜0VGS＜0开启电压VT＜0耗尽型MOS管N型VP＜

8、0VDS＞0P型VP＞0VDS＜0VGS可正、可负、可0双极型三极