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时间:2020-02-03
《电子技术基础数字部分(康华光第5版)ch03-1.ppt》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在行业资料-天天文库。
1、3逻辑门电路3.1MOS逻辑门电路3.2TTL逻辑门电路*3.3射极耦合逻辑门电路*3.4砷化镓逻辑门电路3.5逻辑描述中的几个问题3.6逻辑门电路使用中的几个实际问题*3.7用VerilogHDL描述逻辑门电路1、了解半导体器件的开关特性。2、熟练掌握基本逻辑门(与、或、与非、或非、异或门)、三态门、OD门(OC门)和传输门的逻辑功能。3、学会门电路逻辑功能分析方法。4、掌握逻辑门的主要参数及在应用中的接口问题。教学基本要求:数字电路中的晶体二极管、三极管和MOS管工作在开关状态。导通状态:相当于开关闭合截止状态:相当于开关断开。逻辑变量←→两状态开关:在逻辑代数中逻辑变量有两种取值:0
2、和1;电子开关有两种状态:闭合、断开。半导体二极管、三极管和MOS管,则是构成这种电子开关的基本开关元件。(1)静态特性:断开时,开关两端的电压不管多大,等效电阻ROFF=无穷,电流IOFF=0。闭合时,流过其中的电流不管多大,等效电阻RON=0,电压UAK=0。(2)动态特性:开通时间ton=0关断时间toff=0理想开关的开关特性:客观世界中,没有理想开关。乒乓开关、继电器、接触器等的静态特性十分接近理想开关,但动态特性很差,无法满足数字电路一秒钟开关几百万次乃至数千万次的需要。半导体二极管、三极管和MOS管做为开关使用时,其静态特性不如机械开关,但动态特性很好。3.1MOS逻辑门3.
3、1.1数字集成电路简介3.1.2逻辑门的一般特性3.1.3MOS开关及其等效电路3.1.4CMOS反相器3.1.5CMOS逻辑门电路3.1.6CMOS漏极开路门和三态输出门电路3.1.7CMOS传输门3.1.8CMOS逻辑门电路的技术参数把构成门电路的元器件和连线都制作在一块半导体芯片上,再封装起来。1、逻辑门:实现基本逻辑运算和复合逻辑运算的单元电路。实现与运算的叫与门,实现或运算的叫或门,实现非运算的叫非门,也叫做反相器,等等。2、逻辑门电路的分类二极管门电路三极管门电路TTL门电路MOS门电路PMOS门CMOS门逻辑门电路分立门电路集成门电路NMOS门3.1.1数字集成电路简介用分立
4、的元件和导线连接起来构成的门电路。简单、经济、功耗低,负载差。二极管----晶体三极管逻辑门(DTL)集晶体三极管----晶体三极管逻辑门(TTL)成双极型射极耦合逻辑门(ECL)逻集成注入逻辑门电路()辑N沟道MOS门(NMOS)门单极型(MOS型)P沟道MOS门(PMOS)互补MOS门(CMOS)集成门电路按开关元件分类——按制造工艺分类集成:把晶体管、电阻、和导线等封装在一个芯片上。1.CMOS集成电路:广泛应用于超大规模、甚大规模集成电路4000系列74HC74HCT74VHC74VHCT速度慢与TTL不兼容抗干扰功耗低74LVC74VAUC速度加快与TTL兼容负载能力强抗干扰功耗
5、低速度两倍于74HC与TTL兼容负载能力强抗干扰功耗低低(超低)电压速度更加快与TTL兼容负载能力强抗干扰功耗低74系列74LS系列74AS系列74ALS2.TTL集成电路:广泛应用于中大规模集成电路3.1.1数字集成电路简介S:抗饱和L:低功耗H:高速A:先进工艺3.1.2逻辑门电路的一般特性1.输入和输出的高、低电平vOvI驱动门G1负载门G211输出高电平的下限值VOH(min)输入低电平的上限值VIL(max)输入高电平的下限值VIL(min)输出低电平的上限值VOH(max)输出高电平+VDDVOH(min)VOL(max)0G1门vO范围vO输出低电平输入高电平VIH(min)
6、VIL(max)+VDD0G2门vI范围输入低电平vIVNH—当前级门输出高电平的最小值时允许负向噪声电压的最大值。负载门输入高电平时的噪声容限:VNL—当前级门输出低电平的最大值时允许正向噪声电压的最大值负载门输入低电平时的噪声容限:2.噪声容限VNH=VOH(min)-VIH(min)VNL=VIL(max)-VOL(max)在保证输出电平不变的条件下,输入电平允许波动的范围。它表示门电路的抗干扰能力1驱动门vo1负载门vI噪声类型参数74HCVDD=5V74HCTVDD=5V74LVCVDD=3.3V74AUCVDD=1.8VtPLH或tPHL(ns)782.10.93.传输延迟时间
7、传输延迟时间是表征门电路开关速度的参数,它说明门电路在输入脉冲波形的作用下,其输出波形相对于输入波形延迟了多长的时间。CMOS电路传输延迟时间tPHL输出50%90%50%10%tPLHtftr输入50%50%10%90%4.功耗静态功耗:指的是当电路没有状态转换时的功耗,即门电路空载时电源总电流ID与电源电压VDD的乘积。5.延时功耗积是速度功耗综合性的指标.延时功耗积,用符号DP表示扇入数:取决于逻辑门的输入端的
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