半导体制造工艺流程.ppt

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1、TrendsinICpackagingNP------+++++二、晶圆针测制程三、IC构装制程半导体制造工艺分类半导体制造工艺分类半导体制造环境要求纵向晶体管刨面图NPN晶体管刨面图1.衬底选择第一次光刻—N+埋层扩散孔SiO2第二次光刻—P+隔离扩散孔在衬底上形成孤立的外延层岛,实现元件的隔离.SiO2N+-BLP-SUBN-epiN+-BLN-epiP+P+P+涂胶—烘烤---掩膜（曝光）---显影---坚膜—蚀刻—清洗—去膜--清洗—P+扩散(B)第三次光刻—P型基区扩散孔决定NPN管的基区扩散位置范围SiO2N+-BLP-SUBN-epiN+-BLP+P+P+PP去SiO2—氧

2、化--涂胶—烘烤---掩膜（曝光）---显影---坚膜—蚀刻—清洗—去膜—清洗—基区扩散(B)第四次光刻—N+发射区扩散孔集电极和N型电阻的接触孔,以及外延层的反偏孔。Al—N-Si欧姆接触：ND≥1019cm-3，SiO2N+-BLP-SUBN-epiN+-BLP+P+P+PPN+去SiO2—氧化--涂胶—烘烤---掩膜（曝光）---显影---坚膜—蚀刻—清洗—去膜—清洗—扩散第五次光刻—引线接触孔SiO2N+N+-BLP-SUBN-epiN+-BLP+P+P+PPN-epi去SiO2—氧化--涂胶—烘烤---掩膜（曝光）---显影---坚膜—蚀刻—清洗—去膜—清洗第六次光刻—金属化内

3、连线：反刻铝SiO2ALN+N+-BLP-SUBN-epiN+-BLP+P+P+PPN-epi去SiO2—氧化--涂胶—烘烤---掩膜（曝光）---显影---坚膜—蚀刻—清洗—去膜—清洗—蒸铝CMOS工艺集成电路CMOS集成电路工艺--以P阱硅栅CMOS为例1。光刻I---阱区光刻，刻出阱区注入孔N-SiN-SiSiO2CMOS集成电路工艺--以P阱硅栅CMOS为例2。阱区注入及推进，形成阱区N-SiP-CMOS集成电路工艺--以P阱硅栅CMOS为例3。去除SiO2，长薄氧，长Si3N4N-SiP-Si3N4CMOS集成电路工艺--以P阱硅栅CMOS为例4。光II---有源区光刻

4、N-SiP-Si3N4CMOS集成电路工艺--以P阱硅栅CMOS为例5。光III---N管场区光刻，N管场区注入，以提高场开启，减少闩锁效应及改善阱的接触。光刻胶N-SiP-B+CMOS集成电路工艺--以P阱硅栅CMOS为例6。光III---N管场区光刻，刻出N管场区注入孔；N管场区注入。N-SiP-CMOS集成电路工艺--以P阱硅栅CMOS为例7。光Ⅳ---p管场区光刻，p管场区注入，调节PMOS管的开启电压，生长多晶硅。N-SiP-B+CMOS集成电路工艺--以P阱硅栅CMOS为例8。光Ⅴ---多晶硅光刻，形成多晶硅栅及多晶硅电阻多晶硅N-SiP-CMOS集成电路工艺--以

5、P阱硅栅CMOS为例9。光ⅤI---P+区光刻，P+区注入。形成PMOS管的源、漏区及P+保护环。N-SiP-B+CMOS集成电路工艺--以P阱硅栅CMOS为例10。光Ⅶ---N管场区光刻，N管场区注入，形成NMOS的源、漏区及N+保护环。光刻胶N-SiP-AsCMOS集成电路工艺--以P阱硅栅CMOS为例11。长PSG（磷硅玻璃）。PSGN-SiP+P-P+N+N+CMOS集成电路工艺--以P阱硅栅CMOS为例12。光刻Ⅷ---引线孔光刻。PSGN-SiP+P-P+N+N+CMOS集成电路工艺--以P阱硅栅CMOS为例13。光刻Ⅸ---引线孔光刻（反刻AL）。PSGN-SiP+

6、P-P+N+N+VDDINOUTPNSDDS集成电路中电阻1ALSiO2R+PP+P-SUBN+R-VCCN+-BLN-epiP+基区扩散电阻集成电路中电阻2SiO2RN+P+P-SUBRN+-BLN-epiP+发射区扩散电阻集成电路中电阻3基区沟道电阻SiO2RN+P+P-SUBRN+-BLN-epiP+P集成电路中电阻4外延层电阻SiO2RP+P-SUBRN-epiP+PN+集成电路中电阻5MOS中多晶硅电阻SiO2Si多晶硅氧化层其它：MOS管电阻集成电路中电容1SiO2A-P+P-SUBB+N+-BLN+EP+NP+-IA-B+Cjs发射区扩散层—隔离层—隐埋层扩散层PN电容集成

7、电路中电容2MOS电容AlSiO2ALP+P-SUBN-epiP+N+N+主要制程介绍矽晶圓材料（Wafer）圓晶是制作矽半導體IC所用之矽晶片，狀似圓形，故稱晶圓。材料是「矽」，IC（IntegratedCircuit）厂用的矽晶片即為矽晶體，因為整片的矽晶片是單一完整的晶體，故又稱為單晶體。但在整體固態晶體內，眾多小晶體的方向不相，則為复晶體（或多晶體）。生成單晶體或多晶體与晶體生長時的溫度，速率与雜質都有關系。一般清洗技术工艺