半导体制造工艺流程参考

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1、半导体制造工艺NPN高频小功率晶体管制造的工艺流程为：外延片——编批——清洗——水汽氧化次光刻——检查一一清洗——干氧氧化——硼注入——清洗——UDO淀积——清洗——硼再扩散——二次光刻——检查——单结测试——清洗——干氧氧化——磷注入——清洗——铝FCVD——清洗——发射区再扩散——三次光刻一一检杏——双结测试——清洗——铝蒸发一一四次光刻——检杳——氢气合金——正向测试——清洗——铝上CVD——检查——五次光刻——检查——氮气烘焙一—检查一一中测——中测检查一一粘片一一减薄——减薄后处理一一检查——清洗——背面蒸发——贴膜——划片——检查——裂片——外观检查—

2、—综合检查一一入中间库。PNP小功率晶体管制造的工艺流程为：外延片——编批——擦片——前处理次氧化一C检查（tox）——一次光刻一—QC检查——前处理——基区CSD涂覆——CSD预淀积——后处理——QC检查（R口）——前处理——基区氧化扩散——QC检查（tox、Rd）——二次光刻——QC检查——单结测试——前处理——POCb预淀积——后处理（P液）——QC检查——前处理——发射区氧化一—QC检查（tox）——前处理——发射区再扩散（RJ——前处理——铝下CVD——QC检查（tox、Ro）——前处理——HC1氧化——前处理——氢气处理——三次光刻——QC检查——追扩

3、散——双结测试——前处理——铝蒸发——QC检查（tA

4、）——四次光刻——C检查——前处理——氮气合金——氮气烘焙——QC检查（ts）——五次光刻——QC检查——大片测试——中测——中测检查（——粘片——减薄——减薄后处理一一检查——清洗——背面蒸发——贴膜——划片——检杳——裂片——外观检杳）——综合检杳——入屮间库。GR平面品种（小功率三极管）工艺流程为：编批——擦片——前处理次氧化——C检查（tox）次光刻——QC检查——前处理——基区干氧氧化——QC检查（tox）GR光亥IJ（不腐蚀）——GR硼注入——湿法去胶一一前处理一一GR基区扩散——QC检杏（Xj、R

5、n）——硼注入一一前处理——基区扩散与氧化——QC检查（Xj、tox、Rd）——二次光刻——QC检查——单结测试——前处理——发射区干氧氧化一一QC检杳（tox）——磷注入——前处理——发射区氧化和再扩散——而处理——POC13预淀积（Rd）——后处理——前处理——铝下CVD——QC检査（tox）——前处理——氮气退火——三次光刻——C检查——双结测试——前处理一—铝蒸发——QC检查（tAi）——四次光刻——QC检杳——前处理——氮气合金——氮气烘焙——正向测试——五次光刻——QC检查——大片测试——•I•测编批一一中测——•I'测检查——入中间库。双基区节能灯品

6、种工艺流程为：编批——擦片——前处理——一次氧化——QC检杳（tox）——一次光刻——QC检杏——前处理——基区干氧氧化——QC检査（tox）——一硼注入——前处理——基区扩散一—后处理——QC检查（Xj、RJ——前处理——基区CSD涂覆——SD预淀积——后处理——QC检查（Rd）——前处理——基区氧化与扩散——C检查（Xj、tox、Rd）——二次光刻——QC检查一一单结测试——磷注入——前处理——发射区氧化——前处理——发射区再扩散——前处理——POC13预淀积（RJ——示处理——前处理——HC1退火、N2退火——三次光刻——QC检查——双结测试——前处理——铝

7、蒸发——QC检查（切）——四次光刻——QC检查一一前处理一一氮氢合金一一氮气烘焙——正向测试（ts）——外协作（ts）——前处理——五次光刻——QC检查一一大片测试——测试ts——中测编批——中测——中测检查——入屮间库。变容管制造的工艺流程为：外延片——编批——擦片——前处理次氧化——QC检查——N+光刻——QC检查——前处理——干氧氧化——QC检杳——P*注入——前处理——N*扩散——P+光刻——QC检查——硼注入1——前处理——VD（LTO）——C检查——硼注入2——前处理一—LPCVD——QC检查——前处理——P+扩散——特性光刻——电容测试——是否再加扩

8、——电容测试——……（在到达到电容测试要求）——三次光刻一C检查——前处理——铝蒸发——QC检查（切）——铝反刻——QC检查——前处理——氢气合金——氮气烘焙一—大片测试——中测一一电容测试——粘片——减薄——QC检查——前处理——背面蒸发——综合检杏——入中间库。P+扩散时间越长，相同条件下电容越小。稳压管（N衬底）制造的工艺流程为：外延片——编批——擦片——前处理次氧化——QC检查——P+光刻——QC检查——前处理一一干氧氧化一一QC检杏一一硼注入——前处理——铝下UDO——QC检查——前处理——P+扩散——特性光刻——扩散测试（反向测试）一一前处理——是否要

9、甘追扩——