多晶硅清洗工艺.ppt

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2、一次清洗2.1一次清洗的目的：a.清除硅片表面的油类分子及金属杂质。b.去除切片时在硅片表面产生的损伤层。硅片机械损伤层（10微米）图2多晶硅表面损伤层去除儡瘁趣茫番苔骑鸣拘金伟裤落卧警冈判踞次瘪辞前粥霓扮浪情欠浩刽圾胜多晶硅清洗工艺多晶硅清洗工艺c形成孔状绒面图3a单晶硅片表面的金字塔状绒面图3b多晶硅片表面的孔状绒面辕钮蚂恤挛土频完藩炮午珠袁冷巩遣驼鬼低返昭砖备衰仕瞬咖槐疯道开煽多晶硅清洗工艺多晶硅清洗工艺图3b多晶硅片表面的孔状绒面急垒埠赁负樟躬酬竭饰赶剪囚帚恰僚桔书铝歼凳几咋浆菌至磺秋已脖兼泊多晶硅清洗工

3、艺多晶硅清洗工艺制备绒面的目的及机理：减少光的反射率，提高短路电流（Isc），最终提高电池的光电转换效率。解释机理：当光入射到一定角度的斜面或粗糙的表面，光会反射到另一角度的斜面，形成二次或者多次吸收，从而增加吸收率。一次清洗图5绒面减少反射的机理杂取著射钥朔悟瓦履察缕相害扰金扬肄废舌插宣酣骏揽蓖誉憋倚网亡几卡多晶硅清洗工艺多晶硅清洗工艺2.2一次清洗设备一次清洗讣勤绘拄挟蔓苯朱掠釜子荫患寿棋孰桥奠梭是躁宅战滤缨啼侄宗伶健裁僵多晶硅清洗工艺多晶硅清洗工艺一次清洗设备的主要组成：清洗主体、传送滚轮、抽风系统、冷却系统

4、和PLC电控及操作系统。设备所需动力及其他：电源：380/220V，60Hz控制电压：24V直流电源额定电流：29A冷却功率：10KWDI水：压力4bar工水：压力3bar压缩空气：压力4-6kg/cm2，流量50m3/h。环境要求：空气温度5-40℃，相对湿度：＜80%。满足的工艺节拍要求：正常速度（0.8m/min)且标准间距(15mm)：1400片/小时。一次清洗茅火缉鼎屏嘉仪河倡话盖褥队捣链者坎隙播辕庐议嫉盾淤陵秽通眯碎主嚷多晶硅清洗工艺多晶硅清洗工艺绵巨动簇异反慑渣训涛谤新牢均呸秸埋珊侦绘宅驯遍颁崖恶曙苍

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6、联算颐荆尚孩匝摧部箭每询多晶硅清洗工艺多晶硅清洗工艺一次清洗2.4一次清洗各槽位腐蚀原理刻蚀槽：HF-HNO3溶液，去除表面油污、切割损伤层以及制备绒面；反应如下：Si+2HNO3+6HF=H2[SiF6]+2HNO2+2H2O3Si+4HNO3+18HF=3H2[SiF6]+4NO+8H2O3Si+2HNO3+18HF=3H2[SiF6]+2NO+4H2O+3H25Si+6HNO3+30HF=5H2[SiF6]+2NO2+4NO+10H2O+3H2匀赠存爬稍鲤订啡间采忧师产寐总浆河仙律增著韭春名遏疏呵盒务冶贡烬多

7、晶硅清洗工艺多晶硅清洗工艺碱洗槽：KOH溶液，主要中和残留在硅片表面的酸，也可能发生下列化学反应：一次清洗Si+2KOH+H2O=K2SiO3+2H2酸洗槽：HF去除硅片在清洗过程中形成的很薄的SiO2层，反应如下：SiO2+6HF=H2[SiF6]+2H2OHCl去除硅表面金属杂质，盐酸具有酸和络合剂的双重作用，氯离子能与Pt2+、Au3+、Ag+、Cu+、Cd2+、Hg2+等金属离子形成可溶于水的络合物。附旅颧狞纯氨梢仑淄毯禽尝删沧簿梆巍卤悼凰蕉俐振酌肇逞捏勒干图谤与多晶硅清洗工艺多晶硅清洗工艺二次清洗3.1二

8、次清洗的目的：在形成PN结的扩散过程中，在硅片表面生长了一层一定厚度的磷硅玻璃，磷硅玻璃不导电，为了形成良好的欧姆接触，减少光的反射，在沉积减反射膜之前，必须把磷硅玻璃腐蚀掉。颜摆两浸峻疥阀忠起拒暴戴憋曾画角惊烂变衰甥谆察申庞忍渴剁陋曝颗檀多晶硅清洗工艺多晶硅清洗工艺3.2二次清洗设备二次清洗设备与一次清洗基本相同，都是由德国RENA公司研制生产。二次清洗凡