MOS电容C-V特性.pptx

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1、1MOS结构的C-V特性报告人：王硕2011年11月22日MOS结构的C-V特性MOS电容结构的能带图理想MOS电容的C-V特性实际MOS电容的C-V特性小结2无偏压下MOS电容结构的能带图3AlEFMEVEFECSiO2Si（P型）理想AlEFMEVEFECSiO2Si（P型）非理想++++++------表面势的接触电势差外加偏置下MOS电容结构的能带图4AlSiO2Si体现了外加电场的作用MOS结构的C-V特性MOS电容结构的能带图理想MOS电容的C-V特性实际MOS电容的C-V特性小结5理想MOS电容的

2、C-V特性氧化层完全绝缘氧化层中不存在任何电荷氧化层与半导体界面上无界面态忽略金属与半导体的接触电势差6由为空间电荷区宽度，积累状态下MOS电容的C-V曲线7AlEFMEVEFECSiO2Si（P型）EFi耗尽状态下MOS电容的C-V曲线8AlEFMEVEFECSiO2Si（P型）EFi反型状态下MOS电容的C-V曲线9AlEFMEVEFECSiO2Si（P型）EFi反型层电荷密度变化的电子的来源：空间电荷区的P型衬底的少子扩散空间电荷区热运动形成的空穴-电荷对反型状态下MOS电容的C-V曲线10低频时：高频时

3、：MOS电容器的C-V特性曲线110C积累低频高频耗尽弱反型反型MOS结构的C-V特性MOS电容结构的能带图理想MOS电容的C-V特性实际MOS电容的C-V特性小结12实际MOS电容的C-V特性固定栅氧化层电荷效应界面电荷效应13固定栅氧化层电荷效应14不同有效氧化层陷阱电荷下，P型MOS电容器高频电容和栅压的函数关系图其中：为固定氧化层电荷为金-半功函数界面电荷效应15界面电荷效应16界面态效应对MOS电容器的高频C-V特性曲线的影响小结1718谢谢！