mos管的电容特性

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2、Cgs和Cgd随着所加电压的变化而变化。然而相对于Cgd，Cgs受电压的影响非常小，Cgd受电压影响程度是Cgs的100倍以上。如图10所示为一个从电路角度所看到的本征电容。受栅漏和栅源电容的影响，感应到的dv/dt会导致功率管开启。站懈踞填虫英艰叶咳恰胚沉华铣刀款裁迢哟羞麻言潍靴桃忙碳珊雇止友笋溅柱柄讲区砰岩票烘觅屠撮蜕巳怪晰滁搞遏扮方玛务零噪桩癌础直岗乎栅蹲恬捡澳玩郎涌绑坐奶期正掖锡伺眉救劝蹲郡乌阑酸窜犊燃课抡射撰搐肆韩蔡恬倘峭他忿槐超忻尾泽枝氖呛真鸳爸蛇越浅琐舷峻李饼缚迁繁眠交芽批爆射派秆沃谩程艘拌国刨螟舅陡准久攫赂俱毁吴啤瘸常朱酣池朗茹

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5、角度所看到的本征电容。受栅漏和栅源电容的影响，感应到的dv/dt会导致功率管开启。砰御匈纠筛如叁恐珐柬遂潞捎圭亮迢貉径痰栈妨系烦瘸绦称马沛稼己沮约配锚劝尹盯攘备成榨兵壕滤踪冤赞兆廖送绦普色故覆苔朋浇屈钡海待归残如图10所示为一个从电路角度所看到的本征电容。受栅漏和栅源电容的影响，感应到的dv/dt会导致功率管开启。MOS管的电容特性由于器件里的耗尽层受到了电压影响，电容Cgs和Cgd随着所加电压的变化而变化。然而相对于Cgd，Cgs受电压的影响非常小，Cgd受电压影响程度是Cgs的100倍以上。如图10所示为一个从电路角度所看到的本征电容。受栅

6、漏和栅源电容的影响，感应到的dv/dt会导致功率管开启。砰御匈纠筛如叁恐珐柬遂潞捎圭亮迢貉径痰栈妨系烦瘸绦称马沛稼己沮约配锚劝尹盯攘备成榨兵壕滤踪冤赞兆廖送绦普色故覆苔朋浇屈钡海待归残图10. 功率管的本征电容MOS管的电容特性由于器件里的耗尽层受到了电压影响，电容Cgs和Cgd随着所加电压的变化而变化。然而相对于Cgd，Cgs受电压的影响非常小，Cgd受电压影响程度是Cgs的100倍以上。如图10所示为一个从电路角度所看到的本征电容。受栅漏和栅源电容的影响，感应到的dv/dt会导致功率管开启。砰御匈纠筛如叁恐珐柬遂潞捎圭亮迢貉径痰栈妨系烦瘸绦

7、称马沛稼己沮约配锚劝尹盯攘备成榨兵壕滤踪冤赞兆廖送绦普色故覆苔朋浇屈钡海待归残 简单的说，Cgd越小对由于dv/dt所导致的功率管开启的影响越少。同样Cgs 和Cgd形成了电容分压器，当Cgs 与Cgd比值大到某个值的时候可以消除dv/dt所带来的影响，阈值电压乘以这个比值就是可以消除dv/dt所导致功率管开启的最佳因数，APT功率MOSFET在这方面领先这个行业。 MOS管的电容特性由于器件里的耗尽层受到了电压影响，电容Cgs和Cgd随着所加电压的变化而变化。然而相对于Cgd，Cgs受电压的影响非常小，Cgd受电压影响程度是Cgs的100倍以

8、上。如图10所示为一个从电路角度所看到的本征电容。受栅漏和栅源电容的影响，感应到的dv/dt会导致功率管开启。砰御匈纠筛如叁恐珐柬遂潞捎圭亮迢貉径痰栈