第三部分PSoC存储子系统.ppt

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1、第3章PSoC3/5存储器系统Chapter3MemorySub-SystemofPSoC3/5何宾2010.10PSoC3/5存储器系统--前言详细介绍了PSoC3/5的存储器系统,其中包括静态存储器SRAM,Flash程序存储器,EEPROM模块和外部存储器接口EMIF。通过本章内容的学习将系统掌握PSoC存储器系统的结构、功能、接口特性和访问方法。PSoC3/5存储器系统--静态存储器SRAM静态存储器SRAM用来暂存数据。PSoC3中SRAM的容量最大为12kB(3个块),8051CPU和DMA控制器均可访问SRAM。如果访问不同的4kB块,8

2、051和DMA控制器可以同步访问SRAM。PSoC3/5存储器系统--静态存储器SRAMPSoC3访问SRAM8051中央处理器片上调试SRAM(包括4KB跟踪缓冲区)外设外设外设集线器PSoC3/5存储器系统--静态存储器SRAMCY8C38SRAM的结构8051CPU外设集线器PHUB测试控制器TCCPU接口PHUB接口SRAMBANK0(1KBX32)SRAMBANK1(1KBX32)SRAMBANK2(1KBX32)PSoC3/5存储器系统--静态存储器SRAM在调试时,片上调试(Debugon-Chip,DoC)访问高4kB的空间,作为跟踪缓

3、冲区。如果跟踪缓冲区没有用于跟踪,那么就可以用于作为额外的SRAM用于普通的操作。PSoC3/5存储器系统--静态存储器SRAMPSoC5提供最大64KB的SRAM空间。CPU和DMA控制器都能访问SRAM。Cortex-M3CPU和DMA控制器能同时访问两个不同的32KB块的SRAM空间。PSoC3/5存储器系统--静态存储器SRAM图PSoC5访问SRAMPSoC3/5存储器系统--静态存储器SRAM图CY8C55SRAM的结构PSoC3/5存储器系统--静态存储器SRAM其地址空间位于0x20000000。这样允许使用c总线(Cortex-M3的

4、I和D总线)或者s总线(Cortex-M3的系统总线)访问SRAM的所有块。指令能从低于地址0x20000000的SRAM中执行。PSoC3/5存储器系统--静态存储器SRAMPHUB能使用SRAM作为源设备或目标设备。所有到SRAM的数据通道都是32位宽的(除了8051CPU,它是8位宽度)。CPU可以直接连接到SRAM,而不需要通过PHUB。当出现CPU和DMA访问冲突时,采用下面的规则:1)PSoC3中,访问SRAM的BANK0和2时,CPU优先级高于PHUB;而访问SRAM的BANK1时,PHUB优先权高于CPU。当使用DoC时,CPU和PHU

5、B不允许访问BANK2。2)PSoC5中大多数情况下,访问SRAM时,Cortex-M3CPU优先级高于PHUB。PSoC3/5存储器系统--Flash存储器PSoC内的Flash为用户的、用户的配置数据、海量数据存储和可选择使用的纠错码(ErrorCorrectingCodes,ECC)数据提供非易失性的存储空间。PSoC3/5存储器系统--Flash存储器图Flash块图PSoC3/5存储器系统--Flash存储器PSoC3/5的Flash存储器具有下面的特点:以行为单位构成,每一行有256个数据字节,额外的32字节用于ECC或者数据存储;对于PS

6、oC3:64,128,256行构成1块Flash存储器;对于PSoC5:128,256行构成1块Flash存储器,或256行构成多个块;存储CPU程序,块或非易失性数据;对于PSoC5,8,16,32位读访问,PSoC3只有8位读访问;有一个可编程的命令/状态寄存器接口。提供四级Flash保护;PSoC3/5存储器系统--Flash存储器如果ECC空间没有用于ECC数据,那么可以用来保存设备配置数据和海量用户数据。用户代码不得运行在ECC的空间外。ECC能检测两比特错误,纠正一比特错误;当检测到错误时,产生中断。PSoC3/5存储器系统--Flash存

7、储器Flash以行为单位进行读操作;每行为9个字节,其中的8个字节为数据,1个字节为ECC数据。当读一行时,数据字节复制到一个8字节指令缓冲区。CPU从该缓冲区加载指令,用于提高CPU的性能。PSoC3/5存储器系统--Flash存储器通过特殊的接口对Flash进行编程,并且不需要在Flash外执行代码。Flash编程接口执行Flash的擦除,编程和设置代码保护级别。系统内串行Flash系统编程(FlashInSystemSerialProgramming,ISSP)用于产品的编程,可以通过SWD和JTAG接口实现。系统内编程用于引导,系统内编程也可使

8、用串行接口,比如I2C、USB、UART、SPI和其他通信协议。PSoC3/5存储器系统--F

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