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时间:2019-12-02
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1、L-Edit画与门和或门简明教程西安电子科技大学上机教程2013.12.11小韩基本操作步骤:(1)打开此程序(2)另存新文件:选择File→SaveAs(3)取代设定:选择File→ReplaceSetup命令,单击右侧的Browser,选择F:EDA实践Ledit90Semplessprexample1light.tdb文件,然后点击ok,会出现警告,按确定钮。(4)绘制NWell图层:横向34格,纵向19格绘制图层信息在窗口左下角显示(有图层类型,宽度,长度,坐标等)绘图完成后,
2、通过alt+鼠标左键或者直接用鼠标滚轮来调整图层大小和位置。Ctrl+鼠标滚轮来调整窗口大小。home键将图层放置到整个绘图窗口中心位置。(5)绘制Active图层:横向22格,纵向9格(6)绘制PSelect图层:横向28格,纵向14格(7)绘制Poly图层:据横向2格,纵向14格完成后进行DRC检查,单击工具栏按钮,或者Tools→DRC,在检查完毕后会出现DRC检查结果,NoDRCerrorsfound说明没有设计规则错误如果有错误,选中DisplayDRCErrorNavigator复选框
3、,点击OK,会出现错误提示窗口,展开错误标记。双击Error3,在版图中出现错误提示,这时可以通过alt+鼠标左键来调整图形大小位置来消除DRC错误,最后点击DRC图标,反复修改,直到错误消除,这时绘图窗口将会恢复之前的状态。(8)绘制ActiveContact图层:横纵2格,然后DRC检查(9)绘制Metal1图层:纵横4格,DRC检查(最好每步完成后都马上进行DRC检查,注意,在此之后将不再提示DRC检查,但每步之后最好检查)其中重复的一些操作可以通过复制来完成,该操作通过Ground来完成。
4、鼠标拖动选中要复制图形,选择Draw→Ground(或直接Ctrl+G),完成后所选中区域将会变成一个整体,可以对组件进项复制、移动操作。一个组件不能对其中的单元操作,要调整组件中单元大小位置,可通过选中图形,选择Draw→Unground(或直接Ctrl+U)解除组件来完成。(10)重新命名:将Cell0的名称重新命名,可选择Cell—Rename命令,打开RenameCell对话框,将cell名称改成nandpmos(11)新增NMOS组件:选择Cell→New命令,打开CreateNewCe
5、ll对话框,在其中的Newcellname文本框中输入“nandnmos”,单击OK按钮(12)编辑与非门的NMOS组件:依照PMOS组件的编辑流程,建立出Active图层、NSelect图层、Poly图层、ActiveContact图层与Metal1图层。其中,Active宽为22个格点,高为9个格点;Poly宽为2个格点,高为14个格点:NSelect宽为18个格点,高为14个格点;ActiveContact宽皆为2个格点,高皆为2个格点:Metal1宽皆为4个格点,高皆为4个格点。DRC检查
6、(13)设计导览:选择view按钮,打开DesignNavigator窗口,可以看到Exl0文件有nandnmos与nandpmos两个cell(或直接点工具栏中的按钮),双击便可直接进入单元。(14)编辑非门的PMOS组件:新建cell,命名为norpmos,建立出Nwell图层、Active图层、PSelect图层、Poly图层、ActiveContact图层与Metal1图层。其中,Nwell宽为24个格点,高为19个格点;Active宽为14个格点,高为9个格点:Poly宽为2个格点,高为
7、14个格点:PSelect宽为18个格点,高为14个格点;ActiveContact宽皆为2个格点,高皆为2个格点:Metal1宽皆为4个格点,高皆为4个格点。DRC检查(15)编辑非门的NMOS组件:新建cell,命名为nornmos,建立出Active图层、NSelect图层、Poly图层、ActiveContact图层与Metal1图层其中,Active宽为14个格点,高为5个格点;Poly宽为2个格点,高为9个格点:NSelect宽为18个格点,高为9个格点;ActiveContact宽皆
8、为2个格点,高皆为2个格点:Metal1宽皆为4个格点,高皆为4个格点。DRC检查(16)编辑PMOS保护环(welltap):新建cell,命名为guardpmos,建立出Nwell图层、Active图层、NSelect图层、ActiveContact图层与Metal1图层其中,Nwell宽为13个格点,高为19个格点;Active宽为6个格点,高为9个格点;NSelect宽为10个格点,高为13个格点;ActiveContact宽皆为2个格点,高皆为2个格点:Metal1宽皆为
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