L-Edit画与门和或门简明教程.doc

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1、.L-Edit画与门和或门简明教程西安电子科技大学上机教程2013.12.11小韩基本操作步骤：（1）打开此程序（2）另存新文件：选择File→SaveAs（3）取代设定：选择File→ReplaceSetup命令，单击右侧的Browser，选择F:EDA实践Ledit90Semplessprexample1light.tdb文件，然后点击ok，会出现警告，按确定钮。Word资料.（4）绘制NWell图层：横向34格，纵向19格绘制图层信息在窗口左下角显示（有图层类型，宽度，长度，坐标等）绘图完成后，通过alt+鼠标左键或者直接用鼠标滚轮来调整图层大小和位置。Ct

2、rl+鼠标滚轮来调整窗口大小。home键将图层放置到整个绘图窗口中心位置。（5）绘制Active图层：横向22格，纵向9格Word资料.（6）绘制PSelect图层：横向28格，纵向14格（7）绘制Poly图层：据横向2格，纵向14格完成后进行DRC检查，单击工具栏按钮，或者Tools→DRC，在检查完毕后会出现DRC检查结果，NoDRCerrorsfound说明没有设计规则错误Word资料.如果有错误，选中DisplayDRCErrorNavigator复选框，点击OK，会出现错误提示窗口，展开错误标记。双击Error3,在版图中出现错误提示，这时可以通过alt+鼠标左键来

3、调整图形大小位置来消除DRC错误，最后点击DRC图标，反复修改，直到错误消除，这时绘图窗口将会恢复之前的状态。Word资料.（8）绘制ActiveContact图层：横纵2格，然后DRC检查（9）绘制Metal1图层：纵横4格，DRC检查（最好每步完成后都马上进行DRC检查，注意，在此之后将不再提示DRC检查，但每步之后最好检查）其中重复的一些操作可以通过复制来完成，该操作通过Ground来完成。鼠标拖动选中要复制图形，选择Draw→Ground（或直接Ctrl+GWord资料.），完成后所选中区域将会变成一个整体，可以对组件进项复制、移动操作。一个组件不能对其中的单元操作，

4、要调整组件中单元大小位置，可通过选中图形，选择Draw→Unground（或直接Ctrl+U）解除组件来完成。（10）重新命名：将Cell0的名称重新命名，可选择Cell—Rename命令，打开RenameCell对话框，将cell名称改成nandpmos（11）新增NMOS组件：选择Cell→New命令，打开CreateNewCell对话框，在其中的Newcellname文本框中输入“nandnmos”，单击OK按钮（12）编辑与非门的NMOS组件：依照PMOS组件的编辑流程，建立出ActiveWord资料.图层、NSelect图层、Poly图层、ActiveContact

5、图层与Metal1图层。其中，Active宽为22个格点，高为9个格点；Poly宽为2个格点，高为14个格点：NSelect宽为18个格点，高为14个格点；ActiveContact宽皆为2个格点，高皆为2个格点：Metal1宽皆为4个格点，高皆为4个格点。DRC检查（13）设计导览：选择view按钮，打开DesignNavigator窗口，可以看到Exl0文件有nandnmos与nandpmos两个cell（或直接点工具栏中的按钮），双击便可直接进入单元。（14）编辑非门的PMOS组件：新建cell，命名为norpmos，建立出Nwell图层、Active图层、PSelec

6、t图层、Poly图层、ActiveContact图层与Metal1图层。Word资料.其中，Nwell宽为24个格点，高为19个格点；Active宽为14个格点，高为9个格点：Poly宽为2个格点，高为14个格点：PSelect宽为18个格点，高为14个格点；ActiveContact宽皆为2个格点，高皆为2个格点：Metal1宽皆为4个格点，高皆为4个格点。DRC检查(15)编辑非门的NMOS组件：新建cell，命名为nornmos，建立出Active图层、NSelect图层、Poly图层、ActiveContact图层与Metal1图层其中，Active宽为14个格点，高

7、为5个格点；Poly宽为2个格点，高为9个格点：NSelect宽为18个格点，高为9个格点；ActiveContact宽皆为2个格点，高皆为2个格点：Metal1宽皆为4个格点，高皆为4个格点。DRC检查（16）编辑PMOS保护环（welltap）：新建cell，命名为guardpmos，建立出Nwell图层、Active图层、NSelect图层、ActiveContact图层与Metal1图层Word资料.其中，Nwell宽为13个格点，高为19个格点；Active宽为6个格点，高为9个格点；NSel