MEMS 实验 使用L-Edit画PMOS布局图

MEMS 实验 使用L-Edit画PMOS布局图

ID:41497580

大小:108.50 KB

页数:7页

时间:2019-08-26

MEMS 实验 使用L-Edit画PMOS布局图_第1页
MEMS 实验 使用L-Edit画PMOS布局图_第2页
MEMS 实验 使用L-Edit画PMOS布局图_第3页
MEMS 实验 使用L-Edit画PMOS布局图_第4页
MEMS 实验 使用L-Edit画PMOS布局图_第5页
资源描述:

《MEMS 实验 使用L-Edit画PMOS布局图》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在应用文档-天天文库

1、XXXXXXXX大学(MEMS)实验报告实验名称使用L-Edit画PMOS布局图实验时间年月日专业姓名学号预习操作座位号教师签名总评一、实验目的:1、熟悉版图设计工具L-Edit的使用方法,并且能正确的使用这些工具;2、掌握版图设计的设计规则;3、能运用L-Edit实现器件的布局图,以PMOS与NMOS设计为例;二、基本原理:1、CMOS器件的制作工艺2、PMOS器件和NMOS器件的版图实验原理截图:(1)PMO版图设计原理图:(2)CMOS版图设计原理图:3、设计版图时的注意事项:(1)L-Edit编辑环境是预设在P型基板上,故在P型基板

2、上制作PMOS的第一步是需要做出NWell区,即需设定N阱区;然而对于NMOS则不需要NWell群区。此外在设计版图时,需要将图绘制在原点之上,否则不利用版图截面的观察。(2)改变图形大小的方法:“alt+鼠标拖动边框”;移动图形的方法“alt+鼠标拖动图形”;(3)绘制各图层之前需先通过Tools---DRCSetup查看对应的设计规则,从而选择确定图层的大小;绘制完一个图层都需DRC进行设计规则检查;(4)各图层绘制无先后顺序的规定;(5)绘图时可适当使用“尺子”功能,以确保版图设计的对称性;清除图中的“尺寸”使用“View---Obj

3、ects---Rules”或者选中后删除。(6)对版图设计时,要注意时刻遵循设计规则,否则会出错误。(7)对版图进行截面观察时,应注意选择好文件的路径,并且要设置好适当的界线位置。三、实验内容及步骤:(1)打开L-Edit程序。(2)另存新文件:选择File---SaveAs命令,打开“另存为”对话框,在“保存在”下拉列表框中选择存储目录,在“文件名”文本框中输入新文件名称,例如:exp3。(3)取代设定:选择File---ReplaceSetup命令,单击出现的对话框的Fromfile下拉列表右侧的Browser按钮,择…:LEdit8

4、3SamplesSPRexample1lights.tdb文件,再单击OK按钮,就可将lights.tdb文件的设定选择性应用在目前编辑的文件,包括格点设定、图层设定等。(4)编辑组件:L-Edit编辑方式是以组件(Cell)为单位而不是以文件(File)为单位的,每一个文件可有多个Cell,而每一个Cell可表示一种电路布局图或说明,每次打开新文件时自动打开一个Cell并将之命名为Cell0,其中,编辑画面中的十字为坐标原点。(5)设计环境设定:选择Setup命令,打开Design对话框。在Technology选项卡中设定1个La

5、mbda为1000个InternalUnit,也设定1个Lambda等于1个Micron;选择Grid选项卡,其中包括使用格点显示设定、鼠标停格设定与坐标单位设定,在Griddisplay选项组中设定1个显示的格点(Displayedgrid)等于1个坐标单位(Locatorunit),在Suppressgridlessthan文本框中设定当格点距离小于8个像素(pixels)时不显示;在Cursortype选项中设定鼠标光标显示为Smooth类型,在Mousesnapgrid文本框中设定鼠标锁定的格点为0.5个坐标单位(LocatorUn

6、it),在OneLocatorUnit文本框中设定1个坐标单位为1000个内部单位(InternalUnits)。设定结果为1个格点距离等于1个坐标单位也等于1个Micron。(6)选取图层:在画面左边有一个Layers面板,其中有一个下拉列表,可选取要绘制的图层,例如,Poly,则Layers面板会选取代表Poly图层的红色。在L-Edit中的Poly图层代表制作集成电路中多晶硅(PolySilicon)所需要的光罩图样。绘制PMOS布局图会用到的图层包括NWell图层、Active图层、NSelect图层、PSelect图层、Poly图

7、层、Metal1图层、Metal2图层、ActiveContact图层、Via图层。(7)绘制NWell图层:L-Edit编辑环境是预设在P型基板上,故不需要定义出P型基板范围。在P型基板上制作PMOS的第一步流程要先做出NWell区,即需要设计光罩以限定NWell的区域。绘制NWell布局图必须先了解是使用哪种流程的设计规则,本设计使用MOSIS/ORBIT2.0U的设计规则。观看NWell绘制要遵守的设计规则可选择Tools---DRCSetup命令,打开SetupDesignRules对话框(或单击按钮),再从其中的Ruleslist

8、列表框选择1.1WellMinimumWidth选项,可知NWell的最小宽度有10个Lambda的要求。选取Layers面板下拉列表中的NWell选项,再从Drawing工具栏

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文

此文档下载收益归作者所有

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文
温馨提示:
1. 部分包含数学公式或PPT动画的文件,查看预览时可能会显示错乱或异常,文件下载后无此问题,请放心下载。
2. 本文档由用户上传,版权归属用户,天天文库负责整理代发布。如果您对本文档版权有争议请及时联系客服。
3. 下载前请仔细阅读文档内容,确认文档内容符合您的需求后进行下载,若出现内容与标题不符可向本站投诉处理。
4. 下载文档时可能由于网络波动等原因无法下载或下载错误,付费完成后未能成功下载的用户请联系客服处理。