2019高考化学一轮复习 第25讲 物质结构与性质讲练结合学案

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1、第25讲 物质结构与性质考纲解读考点考纲内容高考示例预测热度原子结构与性质1.了解原子核外电子的运动状态、能级分布和排布式原理。能正确书写1~36号元素原子核外电子、价电子的电子排布和轨道表达式2.了解电离能的含义,并能用以说明元素的某些性质3.了解电子在原子轨道之间的跃迁及其简单应用4.了解电负性的概念,并能用以说明元素的某些性质2017课标Ⅰ,35,15分2015课标Ⅰ,37,15分2014课标Ⅰ,37,15分★★分子结构与性质1.了解共价键的形成、极性、类型(σ键和π键),能用键能、键长、键角等说明简单分子的某些性质2.了解杂化轨道理论及简单的杂化轨道类型(sp、sp2、sp3),能用

2、价层电子对互斥理论或者杂化轨道理论推测简单分子或离子的空间结构3.了解化学键和分子间作用力的区别4.了解氢键的存在对物质性质的影响,能列举含有氢键的物质5.了解配位键的含义2017课标Ⅱ,35,15分2016课标Ⅲ,37,15分2015课标Ⅱ,37,15分★★★晶体结构与性质1.了解晶体的类型,了解不同类型晶体中结构微粒、微粒间作用力的区别2.了解原子晶体的特征,能描述金刚石、二氧化硅等原子晶体的结构与性质的关系3.理解离子键的形成,能根据离子化合物的结构特征解释其物理性质4.理解金属键的含义,能用金属键理论解释金属的一些物理性质2017课标Ⅲ,35,15分2016课标Ⅱ,37,15分201

3、3课标Ⅱ,37,15分★★★分析解读 本专题通常以综合填空题的形式进行考查。考查内容主要有:电子排布式、电子排布图、分子结构、杂化轨道理论、电离能、微粒间作用力、晶格能、晶体结构的相关计算等。备考时应注重对基础知识的熟练掌握以及运用基础知识分析问题、解决问题能力的培养。命题分析答案 (1)A (2)N 球形 K原子半径较大且价电子数较少,金属键较弱 (3)V形 sp3 (4)0.315 12 (5)体心 棱心核心考点1.原子结构 2.金属晶体熔、沸点高低比较3.杂化轨道理论 4.晶体结构及相关计算审题关键善于进行变形:原题中要求指出的几何构型及中心原子的杂化形式,直接依据无法作出判断,只需将

4、进行适当变形,即变成I,问题即可迎刃而解。解题思路(1)紫色对应的辐射波长是可见光里最短的,应选A。(2)K原子核外共四层电子,最高能层为N层;价层电子排布式为4s1,电子云轮廓图形状为球形;K的原子半径比Cr的原子半径大,K、Cr原子的价层电子排布式分别为4s1、3d54s1,K的价电子数比Cr的价电子数少,原子半径越大,价电子数越少,金属键越弱,熔、沸点越低。(3)可把改写为I,σ键电子对数为2,孤电子对数为×(7-1-2×1)=2,即价层电子对数为4,则的几何构型为V形,中心原子的杂化形式为sp3。(4)K与O间的最短距离是面对角线的,即anm=×0.446nm≈0.315nm。与K紧

5、邻的O共有12个。(5)以I为顶角画立方体,可以看出K处于体心位置,O处于棱心位置。知识储备光的颜色与波长紫光:400~435nm,蓝光:435~480nm青光:480~490nm,绿光:500nm~560nm黄光:580~595nm,红光:605~700nm关联知识1.能层为K、L、M……,能级为s、p、d……2.金属阳离子半径越小,所带电荷越多,金属键越强;金属键越强,金属晶体熔、沸点越高3.中心原子杂化方式为sp3,VSEPR模型为正四面体;若中心原子无孤电子对,则微粒空间构型为正四面体形;若中心原子孤电子对数为1,则微粒空间构型为三角锥形;若中心原子孤电子对数为2,则微粒空间构型为V

6、形4.立方晶胞中与顶点微粒紧邻的面心微粒个数为(3×8)×=12个高考真题考点一 原子结构与性质1.(2013四川理综,4,6分)短周期主族元素W、X、Y、Z的原子序数依次增大,W、X原子的最外层电子数之比为4∶3,Z原子比X原子的核外电子数多4。下列说法正确的是(  )A.W、Y、Z的电负性大小顺序一定是Z>Y>WB.W、X、Y、Z的原子半径大小顺序可能是W>X>Y>ZC.Y、Z形成的分子的空间构型可能是正四面体D.WY2分子中σ键与π键的数目之比是2∶1答案 C2.(2016课标Ⅰ,37,15分)锗(Ge)是典型的半导体元素,在电子、材料等领域应用广泛。回答下列问题:(1)基态Ge原子的

7、核外电子排布式为[Ar]     ,有     个未成对电子。 (2)Ge与C是同族元素,C原子之间可以形成双键、叁键,但Ge原子之间难以形成双键或叁键。从原子结构角度分析,原因是 。 (3)比较下列锗卤化物的熔点和沸点,分析其变化规律及原因                     。GeCl4GeBr4GeI4熔点/℃-49.526146沸点/℃83.1186约400(4)光催化还原CO2制备CH4反应中,

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