电路基础复习题集带答案

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1、高职计算机电路复习题一一、填空题1、根据导电的程度,物质可分为导体、绝缘体和半导体。2、半导体的导电性能具有两个显著特点是敏感性和掺杂性。3、半导体按导电类型可分为P型半导体和N型半导体。4、带有一定电量且能在电场力作用自由运动称为载流子。5、物体的导电能力取决于该物体内载流子的浓度和运动速度。6、半导体的重要特点是自由电子和空穴同时参加导电。7、N型半导体是在本征半导体中加入微量的五价元素,它的多数载流子是自由电子,少数载流子是空穴,产生的电流主要是电子流。8、P型半导体是在本征半导体中加入微量的三价元素

2、,它的多数载流子是空穴,少数载流子是自由电子,产生的电流主要是空穴电流。9、PN结的最基本的性质是单向导电性性。10、反向连接:PN结的外加电源正极接N型区,负极接P区11、正向连接:PN结的外加电源正极接型区,负极接区12、二极管是具有单向导电性性的两极器件。13、PN结的单向导电性:(1)当PN结两端加上正向电压时,PN结处于导通状态。此时形成正向的电流,呈现的电阻阻值小。(2)当PN结两端加上反向电压时,PN结处于截止状态。此时形成反向的电流,呈现的电阻阻值较大。14、P型半导体上引出的电极叫正极或阳

3、极,用符号“+”表示。15、N型半导体上引出的电极叫负极或阴极,用符号“-”表示。16、二极管的符号是。17、二极管按材料分锗二极管、硅二极按结构分点接触型二极管、面接触型二极管。18、点接触型二极管由于PN结的面积很小,故适用于高频信号的检波,适合微小电流的整流及脉冲电路。19、面接触型二极管由于PN结的面积大,能承受较大的电流,适用于整流,不适用于高频电路。20、二极管的伏安特性,是指加到二极管两端的电压与流过二极管的电流之间的关系曲线。21、二极管的伏安特性:(1)正向特性:a、分两个区分别是导通区、

4、死区。b、死区:外加正向电压很小时,正向电流很小,二极管表现出有较大的电阻,我们把这个基本截止状态的区域称为“死区”。c、死区电压:硅管0.5V,锗管0.2V。d、正向导通区:当加在二极管两端的电压超过一定的数值以后,二极管的电阻变得很小,正向电流开始显著增加,二极管处于正向导通时,其正向电压变化不大。e、导通电压:硅0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V。(2)反向特性:a、分两个区分别是反向饱和区、反向击穿区区。b、二极管两端加反向电压时,外加电压在一定范围内变化,反向电流很小,且基本维持不变,且和反向

5、电压的数值无关、反向电流随温度的上升增长很快。c、在同样温度下,硅管的反向电流比锗管小得多。d、反向电流也称为反向饱和电流,它的大小是衡量二极管质量好坏的一个重要标志。反向电流越大,说明二极管单向导电性能越差。e、反向击穿:当反向电压增大到一定数值后,反向电流会突然增大,这时二极管失去单向导电性,这种现象称为反向击穿。f、发生击穿时的电压称为反向击穿电压,二极管反向击穿后,反向电流很大,会导致PN结烧坏。g、二极管的电阻不是一个常数,它的伏安特性曲线不是一条直线,二极管是一个非线性电阻器件。22、晶体二极管

6、的主要参数它是反映器件性能的质量指标,是正确选择和使用管的依据。(1)最大整流电流:是指二极管允许通过的最大正向平均电流,是为了保证二极管的温升不超过允许值而规定的限制。(2)最高反向工作电压;二极管反向电压高时会引起二极管反向击穿,因此要限制反向工作的电压。(3)反向饱和电流:是指管子未击穿时的反向电流值,它越小说明管子的单向导电性能越好,它受温度影响很大。二、综合题1、PN结的单向导电性。2、二极管的反向击穿。高职计算机电路复习题二一、填空题1、导电能力介于导体和绝缘体之间的物质称为半导体2、在N型半导

7、体中,主要依靠自由电子导电,在P型半导体中主要依靠空穴导电。3、PN结具有单向导电性性能。4、PN结的正向接法是电源的正极接P区,电源的负极接N区。5、硅二极管的死区电压约为0.5V,锗二极管的死区电压为约为0.2V。6、二极管导通后,硅管管压降约为0.7伏,锗管压降为0.3伏。7、三极管是由两个PN结及其划分为三区组成。8、三极管的两个结分别称为发射结和集电结。9、三极管具有电流放大作用。10、三极管具有电流放大作用的条件是发射结正向偏置,集电结反向偏置。11、三极管的β值太小,则其电流放大能力较差。12

8、、场效应管这是电压控制型器件。13、PN结加正偏电压时导通,加反偏电压时截止,这就是PN结的单向导电性导电性。14、三极管具有电流放大的作用,即Ib的微小变化控制了Ic的较大变化。15、三极管的三种工作状态即饱和状态,截止状态,放大状态。16、三极管构成放大器时,有三种基本连接方式,即共射极连接,共集电极连接,共基极连接。17、二极管的单向导电性,即正偏导通,反偏截止;导通后,硅管的管压降约为0.7v锗管的管压降

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