资源描述:
《MEMS设计仿真软件的综合比较》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在工程资料-天天文库。
1、《MEMS器件、仿真与系统集成》期中测验(三)(占考试成绩的20%,中英文答题均可,5月30日交电子版。任课教师:陈剑鸣)研究生:(签字)学号:♦MEMS设计、仿真软件的综合比较。(占本课程的20%)o具体要求:1)用表格形式对MEMS常用的软件进行比较。比较的软件四大类:TannerPro(主要是L-edit),HFSS,CoventorWare,IntelliSense,ANSYS2)比较的内容:/公司、厂家;/软件的总体描述;/软件的模块关系(模块组成);/按模块来阐述的主要用途;/按模块来阐述的性能参数;/软件所做的实例图(分模块)。/你对此软件(或者是具体模块)的看法和评价,不少
2、于5个模块。作业作答如下:•TannerPro(主要是L-edit)1.1公司、厂家:TannerResearch公司1.2软件的总体描述Tanner集成电路设计软件是由TannerResearch公司开发的基于Windows平台的用于集成电路设计的工具软件。该软件功能十分强大,易学易用,包括S-Edit,T-Spice,W-Edit,L-Edit与LVS,从电路设计、分析模拟到电路布局一应俱全。其中的L-Edit版图编辑器在国内应用广泛,具有很高知名度。L-EditPro是TannerEDA软件公司所岀品的一个IC设计和验证的高性能软件系统模块,具有高效率,交互式等特点,强大而且完善的功
3、能包括从IC设计到输出,以及最后的加工服务,完全可以媲美百万美元级的IC设计软件。L-EditPro包含IC设计编辑器(LayoutEditor)>自动布线系统(StandardCellPlace&Route)、线上设计规则检查器(DRC)、组件特性提取器(DeviceExtractor)>设计布局与电路netlist的比较器(LVS)>CMOSLibrary>MarcoLibrary,这些模块组成了一个完整的IC设计与验证解决方案oL-EditPro丰富完善的功能为每个IC设计者和生产商提供了快速、易用、精确的设计系统。TannerToolsPro是一套集成电路设计软件,包含以下几种工具
4、:S-Edit(编辑电路图)T-Spice(电路分析与模拟)W-Edit(显示T-Spice模拟结果)L-Edit(编辑布局图,自动布局布线,DRC,电路转化)LVS(版图和电路图对比)1.3软件的模块关系Tanner数字ASIC设计流程图:S-Edit电路图设*.spT-Spice仿真aW-Edit显示波形”LVS布局与原始电路比较aL-Edit/SPR^L-EdiVEXTRACT^L-EdiVDRC^*.spc1・4各模块的的描述以及实例图1.4.1S-Edit以及范例PiupertiesRrAwxerScheuMiftcWindoTV(ommjndLogWindowS-Edit13.
5、0界面S-Edit范例1.4.2T-SpiccT-Spice是电路仿真与分析的工具,文件内容除了有元件与节点描述外,还必须加上其他的设定。有包含文件、端点电压源设置、分析设定、输出设置。1.4.3LVSLVS是用来用来比较布局图与电路图所描述的电路是否相同的工具。也就是说比较S-Edit绘制的电路图与L-Edit绘制的布局图是否一致。需要spc文件和sp文件。1.5L-Edit的使用1.5.1L-Edit画图布局详细步骤打开L-Edit程序,保存新文件。取代设定(F订e-ReplaceSetup)。环境设定(Setup-Design)o选取图层。选择绘图形状绘制布局图。设计规则设定(MOS
6、IS/OPBIT2.0U)和设计规则检查(DRC)。检查错误,修改(移动)对象。再次进行设计规则检查。1.5.2使用L-Edit画PMOS布局图1)•用到和图层包括NWell,Active,NSelect,PSelect,Poly,Metal1,Metal2,ActiveContact,Via.2).绘制NWell图层:L-Edit编辑环境是预设在P型基板上,不需定义P型基板范围,要制作PM0S,首先要作出NWell区域。根据设计规则Well区电最小宽度的要求(102),可画出NWcl1区。3)・绘制Active图层:定义M0S管的范围。PM0S的Active图层要绘制在NWell图层之内
7、。根据设计规则要求,Active的最小宽度为32。可在NWell中画出Active图层。4)•绘制PSelect图层:定义要布置P型杂质的范围。绘制前进行DRC可发现相应错误。绘制时注意遵守4.2b规则:NotSelectedActive)o绘制时注意遵守4.2b规则:ActivetoP-SelectEdge最小2A。同时还要注意pcliff层与NWell层要遵守2.3a(5A)o5).绘制Poly图层:定义成长多晶硅,