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1、.PIE培训课程1為何需要StartOxide?32為何需要Zerolayer?LaserMark?33目前常用的晶片阻值為何?換算成濃度值多少?44矽原子的Latticeconstant為何?換算成表面濃度,體積濃度各是多少?45Well製程影響那些元件特性?56從0.5um至0.18um製程,Well部分的製程改變為何?其原因何在?57何謂LOCOS?Typicalprocessflow?68何謂STI?Typicalprocessflow?69STI對IC製程有何影響?可控制因子有哪些?710何謂ODR?對產品有何影響?811ODRpatterndensity對STICMP有何影響
2、?812B-Clean的目的為何?目前共有幾種B-Cleanrecipe存在FAB內?個別的目的有何不同?813何謂Epi-Wafer?對產品有何影響?1014SiNCVDdep時爐管各部分的溫度別控制在什麼範圍?為什麼如此?1015STI蝕刻後需檢查什麼地方以確保蝕刻正常?這些項目在密集區何疏散區有何不同?1116ActivePHO(ODPHO)需檢查什麼以確保製程正確無誤?這些項目和黃光製程的什麼參數有關?1117黃光區曝光機共有幾種機型?他們各別有什麼任務?試列表比較其特性?1218line和DUV分別用什麼樣式的光阻?試列表比較各光阻特性?1419ODR光罩和OD光罩有何關係?試
3、畫圖解釋之.1520總共有多少種光阻去除方式?個別適用於何種情況?1621去除Si3N4時,為何要在熱磷酸之前加50:1HF蝕刻?此蝕刻時間太短有何影響?1722熱磷酸對Si3N4,Oxide的蝕刻率分別是多少?蝕刻率可控制因子為何?1723Sacrificialoxide(SACoxide)的目的為何?1724VtIMP的目的為何?對產品電性有何影響?1825N-wellimplant打入P31,120KeV.請估計光阻厚度最少應有多厚?1826請畫出Gateoxide程式"OGA0070A",溫度,氣體流量和時間的關係圖(請自行查爐管OI)1827Gateoxide對產品影響的參數有
4、哪些?試描述定量一點1928寫出FNtunneling方程式,請問0.18umGateoxidethickness從理論計算應能承受多少MV/cm@1pA漏電1929Gateoxide成長有哪些重要考量?2030Gateoxide前製程B-Clean的目的為何?其中的APMdiptime會影響什麼產品參數?2031Gateoxide厚度如何Monitor?其量測誤差為何?線上如何控制厚度保持定值?2232試畫圖說明爐管區測量控片厚度的位置.距離晶片中心的距離分別是多少?2233說明Gateoxidequality(integrity)如何量度?解釋不同方法的優缺點(Vbd,Qbd,Tbd
5、,Do,Yield..)2334解釋名詞,PHOproximityeffect,Swingeffect,Exposurelatitude,BestFocus,DepthofFocus.2435解釋名詞.Lottolot,withinlotwafertowafer,withinwafer,withinfield,withindieuniformity.請討論其重要次序26word资料.36PHOOverlayshift的原因及現象有哪些?其中有多少種可以經由給機台補償改善?2737PHOrecipe的Focus設定值往正"+"調整後PRprofile會有何影響?往負"-"調整後PRprof
6、ile會有何影響?2738請列舉出任何一個產品的Poly光罩EBOlogicaloperation,並解釋其原因2839PolyCD對產品WAT參數的影響為何?如何決定最佳的製程CDtarget?2840何謂ADI,AEICDbias?何謂DOS(designonsilicon),DOM(designonmask)?2841試列表說明光罩A,B,C,D,E,F,G,Hgrade之CDtargetspec,registrationspec以及Defectspec2942Poly蝕刻程式分成幾個步驟?各步驟的目的為何?2943Poly蝕刻步驟如何Monitor?試說明其Monitor項目及方
7、法3044為何需要在Poly蝕刻後量測產品上的殘留厚度?此殘留厚度影響什麼產品特性?3045何謂Hotcarrier?應如何控制或改善?30460.25umLOGIC的N+Gate和P+Gate的片電阻值會相差多少?濃度相差多少?3247何謂Depletion?何謂Accumulation?測Po/NWGateoxideVbd時Poly和NW何者接到正電位?為什麼?3348試算出50Agateoxide厚度的電容值大小.3349何謂
