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时间:2020-01-12
《CMOS二级密勒补偿运算放大器的设计》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在行业资料-天天文库。
1、.课程设计报告设计课题:CMOS二级密勒补偿运算放大器的设计姓名:XXX专业:集成电路设计与集成系统学号:1115103004日期2015年1月17日指导教师:XXX国立华侨大学信息科学与工程学院..一:CMOS二级密勒补偿运算放大器的设计1:电路结构最基本的CMOS二级密勒补偿运算跨导放大器的结构如下图,主要包括四部分:第一级PMOS输入对管差分放大电路,第二级共源放大电路,偏置电路和相位补偿电路。2:电路描述:输入级放大电路由M1~M5组成。M1和M2组成PMOS差分输入对管,差分输入与单端输入相比可以
2、有效抑制共模信号干扰;M3和M4为电流镜有源负载;M5为第一级放大电路提供恒定偏置电流。输出级放大电路由M6和M7组成,M6为共源放大器,M7为其提供恒定偏置电流同时作为第二级输出负载。偏置电路由M8~M13和Rb组成,这是一个共源共栅电流源,M8和M9宽长比相同。M12和M13相比,源级加入了电阻Rb,组成微电流源,产生电流Ib。对称的M11和M12构成共源共栅结构,减少了沟道长度调制效应造成的电流误差。在提供偏置电流的同时,还为M14栅极提供偏置电压。相位补偿电路由M14和Cc组成,M14工作在线性区,
3、可等效为一个电阻,与电容Cc一起跨接在第二级输入输出之间,构成RC密勒补偿。..3:两级运放主体电路设计由于第一级差分输入对管M1与M2相同,有R1表示第一级输出电阻,其值为则第一级的电压增益对第二级,有第二级的电压增益故总的直流开环电压增益为..所以4:偏置电路设计偏置电路由M8~M13构成,其中包括两个故意失配的晶体管M12和M13,电阻RB串联在M12的源极,它决定着偏置电流和gm12,所以一般为片外电阻以保证其精确稳定。为了最大程度的降低M12的沟道长度调制效应,采用了Cascode连接的M10以及
4、用与其匹配的二极管连接的M11来提供M10的偏置电压。最后,由匹配的PMOS器件M8和M9构成的镜像电流源将电流IB复制到M11和M13,同时也为M5和M7提供偏置。下面进行具体计算。镜像电流源M8和M9使得M13的电流与M12的电流相等,都为IB,从而有而由电路可知联立上式可以得到:..整理得:可以看到,IB仅以电阻RB和M12,M13的尺寸有关,不受电源电压的影响。二:计算参数对于MOS管宽长比的设计,可以先选择合适的过驱动电压,然后分配合理的电流,最后再计算宽长比。通常先选择过驱动电压为0.1V~0.
5、2V,如果是已知跨导,就可以计算其电流和宽长比,如果是预先分配电流,也可以计算其跨导和宽长比。设计步骤:1:选择Cc的大小。与Cc相关的是单位增益带宽、输入积分噪声、z1位置和压摆率。Cc增大大有几个好处,增强极点分裂功能,降低输入积分噪声,降低第二级功耗,提高相位裕度,但缺点是降低了GBW和压摆率。而且Cc的选择和负载取值有关,所以我们尽量增大Cc,前提是满足压摆率指标,然后增加gm1以提高GBW。在IDS1不变的前提下,gm1的提高可以通过降低VDSAT1得到。本设计中负载是3pF,考虑寄生电容存在,选
6、取Cc初值为1.8pF,在后面的步骤中可以通过迭代调整Cc的值。2:相位补偿,选取gm6=3.2gm1。3:选择过驱动电压,VDSAT1降低有助于提高共模输入范围,增大输出摆幅,降低输入失调电压,提高电压增益,提高共模抑制比,提高负电源抑制比。另外,在同等电流前提下,过驱动越小,跨导越大。所以VDSAT1尽量取小比如0.1V。4:分配电流。第一级电流增大有助于提高gm1,提高SRint,这里取IDS6=4IDS1。取偏置电流IDS8=10μA,k1=12,k2=24,即IDS5=120μA,IDS7=240
7、μA,总电流为380μA。5:计算M1,2宽长比。已知IDS1=60μA,VDSAT1=0.1V,得到(W/L)1=347.8。当α=2时,W1L1≥64.4μm2,由此得到L1>0.43μm。由于要加上2LD即0.4μm的扩散长度,预先取L1=0.8μm,得到W1为140μ..m。因此得到(W/L)1,2=140μm/0.8μm。要注意的是,W1L1乘积不能太大,否则3点寄生电容会很大。6:计算M3,4、M6、M5和M7的宽长比。由于α=2,取L3,4=2L1即为1.2μm。为保证小的失调,取L6=L3,
8、4=1.2μm(在Level1模型中反映不出)。对于L5和L7,为保证小寄生电容取最小长度0.4μm即可,因此得到L5,7=0.8μm。由于gm6=3.2gm1,IDS6=4IDS1,得到VDSAT6=0.125V,进而得到W6=240μm。再由k1和k2得W3,4=60μm。M5和M7是偏置管,为保证小的寄生电容,取过驱动为0.4V。IDS5=120μA,得到W5=18μm,因此有W7=k2/k1×W7=36μ
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