CMOS二级密勒补偿运算放大器的设计

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1、课程设计报告设计课题:CMOS二级密勒补偿运算放大器的设计姓名:XXX专业:集成电路设计与集成系统学号:1115103004日期2015年1月17日指导教师:XXX国立华侨大学信息科学与工程学院15一：CMOS二级密勒补偿运算放大器的设计1:电路结构最基本的CMOS二级密勒补偿运算跨导放大器的结构如下图，主要包括四部分：第一级PMOS输入对管差分放大电路，第二级共源放大电路，偏置电路和相位补偿电路。2：电路描述：输入级放大电路由M1~M5组成。M1和M2组成PMOS差分输入对管，差分输入与单端输入相比可以有效抑制共模信号干扰；M3和M4为电流镜有源负载；M5为第一级放大电路提

2、供恒定偏置电流。输出级放大电路由M6和M7组成，M6为共源放大器，M7为其提供恒定偏置电流同时作为第二级输出负载。偏置电路由M8~M13和Rb组成，这是一个共源共栅电流源，M8和M9宽长比相同。M12和M13相比，源级加入了电阻Rb，组成微电流源，产生电流Ib。对称的M11和M12构成共源共栅结构，减少了沟道长度调制效应造成的电流误差。在提供偏置电流的同时，还为M14栅极提供偏置电压。相位补偿电路由M14和Cc组成，M14工作在线性区，可等效为一个电阻，与电容Cc一起跨接在第二级输入输出之间，构成RC密勒补偿。153:两级运放主体电路设计由于第一级差分输入对管M1与M2相同，

3、有R1表示第一级输出电阻，其值为则第一级的电压增益对第二级，有第二级的电压增益故总的直流开环电压增益为15所以4：偏置电路设计偏置电路由M8~M13构成，其中包括两个故意失配的晶体管M12和M13，电阻RB串联在M12的源极，它决定着偏置电流和gm12，所以一般为片外电阻以保证其精确稳定。为了最大程度的降低M12的沟道长度调制效应，采用了Cascode连接的M10以及用与其匹配的二极管连接的M11来提供M10的偏置电压。最后，由匹配的PMOS器件M8和M9构成的镜像电流源将电流IB复制到M11和M13，同时也为M5和M7提供偏置。下面进行具体计算。镜像电流源M8和M9使得M1

4、3的电流与M12的电流相等，都为IB，从而有而由电路可知联立上式可以得到：15整理得：可以看到，IB仅以电阻RB和M12,M13的尺寸有关，不受电源电压的影响。二：计算参数对于MOS管宽长比的设计，可以先选择合适的过驱动电压，然后分配合理的电流，最后再计算宽长比。通常先选择过驱动电压为0.1V~0.2V，如果是已知跨导，就可以计算其电流和宽长比，如果是预先分配电流，也可以计算其跨导和宽长比。设计步骤：1：选择Cc的大小。与Cc相关的是单位增益带宽、输入积分噪声、z1位置和压摆率。Cc增大大有几个好处，增强极点分裂功能，降低输入积分噪声，降低第二级功耗，提高相位裕度，但缺点是降

5、低了GBW和压摆率。而且Cc的选择和负载取值有关，所以我们尽量增大Cc，前提是满足压摆率指标，然后增加gm1以提高GBW。在IDS1不变的前提下，gm1的提高可以通过降低VDSAT1得到。本设计中负载是3pF，考虑寄生电容存在，选取Cc初值为1.8pF，在后面的步骤中可以通过迭代调整Cc的值。2：相位补偿，选取gm6＝3.2gm1。3：选择过驱动电压，VDSAT1降低有助于提高共模输入范围,增大输出摆幅，降低输入失调电压，提高电压增益，提高共模抑制比，提高负电源抑制比。另外，在同等电流前提下，过驱动越小，跨导越大。所以VDSAT1尽量取小比如0.1V。4：分配电流。第一级电流

6、增大有助于提高gm1，提高SRint，这里取IDS6＝4IDS1。取偏置电流IDS8＝10μA，k1＝12，k2＝24，即IDS5＝120μA，IDS7＝240μA，总电流为380μA。5：计算M1,2宽长比。已知IDS1＝60μA，VDSAT1＝0.1V，得到(W/L)1＝347.8。当α＝2时，W1L1≥64.4μm2，由此得到L1>0.43μm。由于要加上2LD即0.4μm的扩散长度，预先取L1＝0.8μm，得到W1为140μ15m。因此得到(W/L)1,2＝140μm/0.8μm。要注意的是，W1L1乘积不能太大，否则3点寄生电容会很大。6：计算M3,4、M6、M5和

7、M7的宽长比。由于α＝2，取L3,4＝2L1即为1.2μm。为保证小的失调，取L6＝L3,4＝1.2μm（在Level1模型中反映不出）。对于L5和L7，为保证小寄生电容取最小长度0.4μm即可，因此得到L5,7＝0.8μm。由于gm6＝3.2gm1，IDS6＝4IDS1，得到VDSAT6＝0.125V，进而得到W6＝240μm。再由k1和k2得W3,4＝60μm。M5和M7是偏置管，为保证小的寄生电容，取过驱动为0.4V。IDS5＝120μA，得到W5＝18μm，因此有W7＝k2/k1×W7＝36μm