电子电工填空试题库

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1、1)导电能力介于和之间的物质称为半导体。2)P型半导体又称为半导体，其内部数量多于数量。3)在本征半导体内掺入价元素可形成P型半导体。4)半导体二极管导通的充要条件是：。5)晶体二极管按用途可分为和。6)三极管工作时，通常在它的加正向电压，加反向电压。7)二极管内电流的分配关系：。穿透电流ICBO与ICEO之间的关系：。8)结型场效应管的输入电阻很大，一般可达。9)当晶体二极管导通后，则硅二极管的正向压降为V，锗二极管的正向压降V，各自的门槛电压，。10)二极管的主要参数：，。11)整流是指，实现这种功能的电路称为12)滤波是，常

2、见滤波电路有13)光敏二极管的主要参数：和。14)稳压二极管的原理是。15)发光二极管的门槛电压是V，击穿电压是V。16)LED的主要参数是、和。17)稳压二极管的主要参数是、、、18)、。19)电容滤波器的优点是。发光二极管工作在区，光敏二极管工作在区，稳压二极管工作20)在区，普通二极管工作在区。1)发光二极管所采用的半导体材料是、、。2)为保证三极管工作在放大区，要求发射结，集电结。对于NPN型硅3)管，应使VBE=V。4)三极管发射结正向压降VBE随温度升高而，反向饱和电流ICBO随温度的升高而，β随温度升高而。5)场效应

3、管是一种控制器件，它的漏极电流受控制。它的输入电阻，栅极电流。6)双极型三极管从结构上可以分为和两种类型，他们工作时有和两种载流子参与导电。MOS场效应管从结构上分成和两种类型，他们的导电过程仅仅取决于载流子的流动。7)放大器的输入电阻越，则向信号源吸取的电流越小；输出电阻越，放大器的带负载能力越强。8)当β频率的增大下降到最大值的0.707倍时所对应的频率称为，记作。当下降到1所对的频率称为，记作。9)在多级放大器中，总的通频带比其中每一级的通频带。总的下限频率10)FL每一级的下限频率，总的上限频率FH每一级的上限频率。11)

4、在阻容耦合共射电路种中，电压放大倍数在低频段下降主要与电容有关，在高频段下降主要与电容有关。12)表征放大器中的晶体三极管的静态工作点的参数有、和。13)振荡器分为高频振荡器和低频振荡器。LC振荡器在应用时，当作振荡器，RC振荡器在应用时，当作振荡器。14)用来放大、或信号的放大器称为直流放大器。15)运算放大器实质上是一种具有的多级直耦放大器。1)直流放大器存在的两个特殊问题分别是和。2)引起零点漂移的原因是、、、其中最难控制。3)零点漂移的表示方法，简称。4)理想运放的条件是、、、和。5)根据的不同，功率放大器分为、和。6)差

5、动放大电路输入端和输出端有种解法。7)典型差动放大器较基本差动放大器的区别在于、、，其作用分别为、、。8)差动放大器的两种输入方式指、。9)共模抑制比是指对的抑制能力和对的放大能力，因此共模抑制比越越好，其公式为。10)复合管是指。复合管组合的原则是。11)复合管的放大倍数为各管的放大倍数之。12)对称式差分电路中，当温度升高时，因电路对称，输出变量VO1=，且极性，共模输出电压VOC=，故此电路有抑制零漂的能力。13)集成运放最基本最广泛的应用是比例运算和放大器，又分14)为和。15)集成运放具有、、、等优点，因而被广泛应用于各

6、个领域。16)集成运放的电源电压接反或电源电压突变、输入电压过高、输出端过载或短路时，都可造成运放的损坏，所以使用保护电路。保护电路有、、。1)集成运放常见的故障有、、。2)已类推挽功率放大电路，由于功放管的静态工作点选在管子的截止区和放大区的交界处，该区域的输入特性存在非线性，故在处有失真。3)互补对称推挽电路由两个导电不同的晶体管组成，为了信号不失真，两个互补管的和等参数应当完全一致。即两个互补管电路需完全。4)单向晶体管是由层端半导体组成，内部有个PN5)结，它的三个电极分别称为、和。6)单向晶闸管导通的条件是（1）i.。7

7、)单向晶闸管的条件是或。8)单相半波可控整流电路的最大控制角为，最大导通角为。。9)双向晶闸管工作特点是。。10)双向晶闸管结构特点是。11)单结晶体管的符号是，三个电极分别是。12)单向可控硅的符号是，三个电极是。13)双向可控硅的符号是，三个电极是。14)可控硅的主要应用场合是和。15)在可控单相整流电路中，增大控制角，负载电压平均值。16)可控整流电路是通过调整信号出现的时间来改变可控硅17)在每个周期的角相等。18)箝位电路一般由电路和组成。1)组合逻辑电路是由门、门、门和门等。几种门电路组合而成。它的输出直接由电路的所决

8、定。2)、组合逻辑电路的特点是。3)二进制编码是将若干个0和1按4)。5)8421BCD码是指。6)译码器输入的是，输出的是，而不是。7)编码器输入的是，输出的是。8)常用的集成组合逻辑电有、和。9)半导体数码管按内部发光二极管的接法可分为和。10