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1、一填空1）导电能力介于和之间的物质称为半导体。2）P型半导体又称为半导体，其内部数量多于数量。3）在本征半导体内掺入价元素可形成P型半导体。4）半导体二极管导通的充要条件是：。5）晶体二极管按用途可分为和o6）三极管工作吋，通常在它的加正向电压，加反向电压。7）二极管内电流的分配关系：o穿透电流IcBO与【CEO之间的关系：—8）结型场效应管的输入电阻很大，一般可达O9）当晶体二极管导通后，则硅二极管的正向压降为V,错二极管的正向压降V,各自的门槛电压。10）二极管的主要参数：,o11）整流是指,实现这种功能的电路称为12）滤波是,常见滤波电路有13）光敏二极管的主要参数：和o
2、14）稳压二极管的原理是o15）发光二极管的门槛电压是V,击穿电压是Vo16）LED的主要参数是、和。17）稳压二极管的主耍参数是、、、⑻、O19）电容滤波器的优点是o发光二极管工作在区，光敏二极管工作在区，稳压二极管工作20）在区，普通二极管工作在区。21）发光二极管所采用的半导体材料是、、。22）为保证三极管工作在放大区，要求发射结,集电结o对于NPN型硅23）管，应使V沪V。24）-:极管发射结正向压降VBE随温度升高而,反向饱和电流ICB0随温度的升高而,B随温度升高而。25）场效应管是一种控制器件，它的漏极电流受控制。它的输入电阻,栅极电流o26）双极型三极管从结构上
3、可以分为和两种类型，他们工作吋有和两种载流子参与导电。M0S场效应管从结构上分成和两种类型，他们的导电过程仅仅取决于载流子的流动。27）放大器的输入电阻越，则向信号源吸取的电流越小;输出电阻越,放大器的带负载能力越强。28）当3频率的增大下降到最大值的0.707倍时所对应的频率称为,记作—o当下降到1所对的频率称为，记作。29）在多级放大器中，总的通频带比其中每一级的通频带。总的下限频率30）Fk每一级的下限频率，总的上限频率F„每一级的上限频率。31）在阻容耦合共射电路种中，电压放大倍数在低频段下降主要与电容有关，在高频段下降主要与电容有关。32）表征放大器中的晶体三极管的静
4、态工作点的参数有、_和。33）振荡器分为高频振荡器和低频振荡器。LC振荡器在应用时，当作振荡器，RC振荡器在应用时，当作振荡器。34）用来放大、或信号的放人器称为直流放大器。35）运算放大器实质上是一种具有的多级直耦放大器。36）直流放大器存在的两个特殊问题分别是和O37）引起零点漂移的原因是、、、其中最难控制。38）零点漂移的表示方法,简称O39）理想运放的条件是、、、和O40）根据的不同，功率放大器分为、和O41）差动放大电路输入端和输岀端有种解法。42）典型差动放大器较基本差动放大器的区别在于、、,其作用分别为、、43）差动放大器的两种输入方式指、o44）共模抑制比是指对
5、的抑制能力和对的放大能力，因此共模抑制比越越好，其公式为O45）复合管是指。复合管组合的原则是46）复合管的放大倍数为各管的放大倍数之47）对称式差分电路中，当温度升高时，因电路对称，输岀变量VoF,且极性,共模输出电压V°c二,故此电路有抑制零漂的能力。48）集成运放最基本最广泛的应用是比例运算和放大器，又分49）为和o50）集成运放具有、、、等优点，因而被广泛应用于各个领域。51）集成运放的电源电压接反或电源电压突变、输入电压过高、输出端过载或短路时，都可造成运放的损坏，所以使用保护电路。保护电路有、、O52）集成运放常见的故障有、、o53）已类推挽功率放大电路，由于功放管
6、的静态工作点选在管子的截止区和放大区的交界处，该区域的输入特性存在非线性，故在处有失真。54）互补对称推挽电路由两个导电不同的晶体管组成，为了信号不失真，两个互补管的和等参数应当完全一致。即两个互补管电路需完全。55）单向晶体管是由_层_端半导体组成，内部有个PM56）结，它的三个电极分别称为、和o57）单向晶闸管导通的条件是（1）i・。58）单向晶闸管的条件是或59）单相半波可控整流电路的最大控制角为,最大导通角为—o60）双向晶闸管工作特点是。61）双向晶闸管结构特点是o62）单结晶体管的符号是,三个电极分别是o63）单向可控硅的符号是,三个电极是o64）双向可控硅白勺符号
7、是,三个电极是65）可控硅的主要应用场合是和o66）在可控单相整流电路中，增大控制角，负载电压平均值。67）可控整流电路是通过调整信号出现的时间来改变可控硅68）在每个周期的角相等。69）箝位电路一般由电路和组成。70）组合逻辑电路是由门、门、门和门等。几种门电路组合而成。它的输出直接由电路的所决定。71）、组合逻辑电路的特点是O72）二进制编码是将若干个0和1按73）o74）8421BCD码是指。75）译码器输入的是,输出的是,而不是o76）编码器输入的是,输出的是o77）常用的集成组合逻
