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时间:2019-07-06
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1、1、场效应管和晶体三极管在性能上有那些区别?在使用场效应管是应注意那些问题?2、试分析下图中,各二极管导通还是截止?V2-2VV14VV10VV2VO6V8V4VV3V4-10V10V3、能否将晶体三极管的发射极和集电极调换使用?为什麽?结型场效应管的漏极和源极能否调换呢?为什麽?4、三极管有那些主要参数?5、试画出结型场效应管的转移特性曲线和输出特性曲线。6、场效应管可分为几类,画出其符号图.7、试判断三极管处于何种状态。-6V6V6V-5V-2.3V2V2V0.3V-2V2V3V0V8.在单相桥式整流电路中,变压器次级电压V2=120V,未接滤波电容C时负载两端电压VL是多
2、少伏?加了滤波电容并在空载情况下输出的直流电压最大值可达多少伏,此时整流二极管实际承受的反向电压值是多大?9.如图所示电路已知V2=10V,稳压管的稳压值VZ=6V,R=300Ω,RL=3KΩ。试求出在开关闭合和断开两种情况下,流过稳压管的电流IZ各是多少?10.已知分压式稳定静态工作点电路的上偏置电阻RBI=40K,下偏置电阻RB2=20K,RC=2.5K,,RE=2K,RL=5Kβ=40,CE足够大。求:(1)静态工作点。(2)晶体管的输入电阻RBE(3)电压放大倍数。(4)为得到合适的静态工作点,实验中一般是调RB1还是RB2?为什麽?11.在带有射极电容的分压式稳定静态
3、工作点电路中,已知VCC=12V,上偏置电阻RB2=27K,RC=2K,RE=1K,RL=∞,β=100,各电容器的容抗均很小,现要求IC=3MA.⑴下偏置电阻B1应选多大?(设UBE=0.7V)12.求所示集成运放输出电压VO的值。100K150K50K150K10KVO10K50KVO2V10VR13.求中所示的集成运放的输出电压。33KVI11KVI222KVI333KVOVI466K80K160K3V80KVO1V0.2V390K130K130KVO3V2V390K150K50K50KVO2V150K16、简述可控硅的工作特性。17、可控硅主要参数及各自的含义。18.什
4、么叫控制角?什么叫导通角?两者有什么关系?19、画出单相可控整流电路的电路图及其输出波形图。VIOwtVGOwtVO0wt20.什么是单结晶体管?为什么他可以用于单向可控硅的触发电路?21、画出具有放大环节的串联型可调稳压电源的方框图,并指出各部分的组成元其作用。22、画出具有放大环节的串联型可调稳压电源的电路图。并写出当电网电压下降载变重时,输出电压的稳压过程。23、集成稳压器的分类及各自的代表系列。24、在具有放大环节的串联型可调稳压电源中,如果稳压管VZ变低,对输出电压有什么影响。1、如图所示电路,试回答:1K+6v(1)晶体管处于什么工作状态?+3V(2)指示灯H亮或不
5、亮?+VCCRC如图所示,三极管为NPN型硅管。RKVO已知RK=12K,R=20K,RC=1.5K,VIβ=40VCC=6V、VBB=—6V,RB计算说明当输入信号V1=7.5V时,三极管能否饱和导通。26在图中所示的电路中,若把二极管视为理想开关,要求:(3)判断二极管的工作状态+12v(2)求输出电位VO的值。+12VR3KR3K6VVD1VOVD6VVO0VVD227简述三极管饱和导通的条件和特点及截止的条件和特点。28画出TTL集成电路的电压传输特性曲线并写出各区的特点和所涉及的几个定义。29简述COMS电路的使用注意事项。反相器的特点。A30.分析如图所示逻辑电路,
6、要求:1δ(1)写出该电路的逻辑表达式;》1Y(2)说出该电路具有什么逻辑功能。1δB31.要求把Y0、Y1、Y2、Y3、四个信号编成二进制代码,试用非门和与非门设计出对应的编码电路。32试按图中JK触发器的符号,在图中画出相应的输出波形Q(Q的初态为0态)QQCPKJJKCPQ33题图为同步RS触发器,初始状态为0,CP、R、S端的信号波形如图所示,试画出输出Q的波形。CPRQRCPCSSQ34图为主从RS触发器,初始状态为1,CP、R、S端的信号波形如图所示,试画出输出Q的波形。RQCPCPCRSSQ35分析由或非门组成的基本RS触发器的功能并根据给出的R、S的波形如图所示
7、,试画出Q的波形。RSQ36如图所示,若初始状态为QQ=00,要求;(1)、列出在连续Q1Q0四个计数脉作用下,计数器的状态表;(2)、画出Q0、Q0的工作波形;CP(3)、说明该计数器的类型。CPQ1Q201Q023Q1437.设施密特触发器的上限触发门坎电压为6V,下限触发门坎电压为6V,试画出在图所示几种输出波形UI作用下的输出UO。并求出回差电压。VI
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