SD2400数据手册

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1、SD2400高精度实时时钟RAM充电系列V2.2高精度实时时钟－SD2400RAM(V2.2)内置晶振、NVSRAM、电池、IIC串行接口、多种中断输出、高精度、免调校1.概述SD2400RAM系列是一种具有内置晶振、NVSRAM、IIC串行接口的高精度实时时钟芯片,CPU可使用该接口通过5位地址来寻址读写片内32字节的数据(包括时间寄存器、报警寄存器、控制寄存器、通用SRAM寄存器)。SD2400RAM系列芯片可保证时钟精度为±5ppm(在25±1℃下)，即年误差小于2.5分钟；该芯片内置一次性电池,在电池使用寿命可在五年左右(工业级和民用级时间不同

2、)；该芯片内置时钟精度数字调整功能，可以在很宽的范围内校正时钟的偏差(分辨力3ppm)，通过外置的温度传感器可设定适应温度变化的调整值，实现在宽温范围内高精度的计时功能。SD2400RAM系列芯片内置单路定时/报警中断输出,报警中断时间可最长设至100年;该系列芯片可满足对实时时钟芯片的各种需要，有工业级产品可供选择，且管脚与以前的SD2000A兼容,是在选用高精度实时时钟时的理想选择。2.主要性能特点：低功耗：典型值1.1μA（VBAT=3.0V,Ta=25℃）。工作电压：3.3V～5.5V(其中NVSRAM在4.5～5.5V工作),工作温度：民

3、用级0℃～70℃，工业级－40℃～85℃。标准IIC总线接口方式,最高速度400kHZ。年、月、日、星期、时、分、秒的BCD码输入/输出,并可通过独立的地址访问各时间寄存器。闰年自动调整功能(从2000年~2099年)。可选择12/24小时制式。三种中断,均可选择从INT脚输出,并具有两个中断标志位。可设定并自动重置的单路报警中断功能（时间范围最长设至100年）,年、月、日、星期、时、分、秒报警共有96种组合方式，并有单事件报警和周期性报警两种中断输出模式。周期性频率中断输出:从32768Hz~1/16Hz……1秒共十五种方波脉冲。自动

4、重置的8位倒计时定时器,可选从4种时钟源（4096HZ、64HZ、1HZ、1/60HZ）。内置时钟精度数字调整功能，可通过程序来调整走时的快慢。用户采用外置的温度传感器，设定适应温度变化的调整值，可实现在宽温范围内高精度的计时功能。12Bytes通用SRAM寄存器可用于存储用户的一般数据。内置16kbit～512kbit的非易失性SRAM(C/D/E/G型)，其擦写次数100亿次，且没有内部写延时。内置电池使用寿命—一次性民用级:3~5年,一次性工业级和充电型:5~8年。外加后备电池输入脚VBAT:当内部电池因寿命等原因报废时,可用外加的电池

5、给时钟作备电。内置IIC总线0.5秒自动复位功能(从Start命令开始计时),保证时钟数据的有效性及可靠性,避免IIC总线挂死问题。内置三个时钟数据写保护位,避免对数据的误写操作，可更好地保护时钟数据。内置VBAT模式IIC总线通信禁止功能，从而避免在电池供电时CPU对时钟操作所消耗的电池电量，也可避免在主电源上、下电的过程中因CPU的I/O端口所输出的不受控的杂波信号对时钟芯片的误写操作，进一步提高时钟芯片的可靠性。内置电源稳压,内部计时电压可低至1.5V。内置上电复位电路及指示位。芯片管脚ESD>4KV。SD2400高精度实时时钟RAM

6、充电系列V2.2芯片在兴威帆的评估板上可通过4KV的群脉冲(EFT)干扰。CMOS工艺内置晶振，出厂前已对时钟进行校准，保证精度±5ppm，即时钟年误差小于2.5分钟(在25±1℃下)。有工业级型号，其尾缀加“I”以示区分，如“SD2400API”为SD2400AP的工业级，“P”标志为直插封装形式。3.管脚设置SD2400RAM系列芯片管脚图SD2400RAM系列管脚功能表标号功能特征VBAT外加备用电池引脚针对SD2400系列，由于在模块内部有电池，故在其电池能量未耗尽之前不接TEST测试内部电池电压检测脚（通常不接）SCL串行时钟输入脚，

7、由于在SCL上升/下降沿处理信CMOS输入号，要特别注意SCL信号的上升/下降升降时间，应严格遵守说明书。SDA串行数据输入/输出脚，此管脚通常用一电阻上拉至N沟道开路输出,CMOS输入VDD，并与其它漏极开路或集电器开路输出的器件通过线与方式连接.INT报警中断输出脚，根据中断寄存器与状态寄存器N-沟道开路输出来设置其工作的模式，当定时时间到达时输出低电平或时钟信号。它可通过重写状态寄存器来禁止NVSRAM串行时钟输入脚，由于是在SCLE时钟SCLE输入信号的上升边缘和下降边缘来进行。因此请CMOS输入。注意上升和下降时间，并遵守技术规范。NVSRA

8、M串行数据输入/输出脚，此管脚通常用SDAE一电阻上拉至VDD，并与其它漏极开路或集电器N沟道