CRTS III型轨道填充层自密实混凝土砂率的研究

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1、建筑玻璃与工业玻璃摘要：本文综述了集成电路制造中的关键技术一光刻的传统及现代的主流技术。从超微细图形刻印的特征尺寸发展路线图，阐述了不同特征尺寸应采用的光刻曝光波长，以及不同曝光波长下应采用的石英玻璃光掩膜基板材料。关键词：光刻；光掩膜板；石英玻璃Abstract：T11ispaperin订oducesthekeytechnolo画esinthemanu矗ctureofintegntedcircuits—thetradidonalandthemodemmainstreamh七hographycecllIlology．Fromultra一6negraphjcengravingdevelopme

2、ntroadrllapoffeaturesizes，thepaperelaboratedli出。簪印11y∞屯osurcwaVdengdlusedindi在brencfeatllresizesasweuasthequartz百assphotom孙ksubsnatematerial．usedindi丘色rente)中osurewaveleng：d1．Keywords：Lit圭lograplly；PhotoImsks；Quarczd越s中图分类号：?文献标识码：B文章编号：1003—8965(2012)05—0056—03半导体产业飞速发展的一个重要原因是集成电路性能的不断提高，而这又依赖于光刻

3、技术的不断进步。微电子有两个著名定律：器件等比例缩小定律和摩尔定律。器件等比例缩小定律指MOS器件的横向纵向尺寸按一定比例K缩小，单位面积上的功耗可保持不变，这时器件所占的面积(因而成本)可随之缩小K2倍，器件性能可提高K3倍。所以器件越小，同样面积芯片可集成更多、更好的器件，还降低了器件相对成本，这也是摩尔定律的物理基础。摩尔定律指出，芯片集成度每18—24个月增长一倍价格不变，或者说器件尺寸每3年缩小K倍，技术整体更新一代。现在这个规律已经成为全球半导体技术的发展指南(Roadmap)。30年来，集成电路制造技术经历了IO代。从近几年来看，光刻技术的发展前景尚不明朗，传统光学光刻与几种下

4、一代光刻技术(NGL)——接近式x射线光刻技术(XRL)、散射角限制电子束投影光刻技术(SCALPEL)、电子束直写光刻技术(EBDW)、极紫外线即软x射线投影光刻技术(EUVL)、离子束投影光刻技术(IPL)——没有哪一种能够为产业界完全采纳；另一方面，尽管光学光刻还有着强大的生命力，但它确实已经显示出越来越多的问题和局限性：随着图形分辨力的不断提高，对成像光学器件的要求越来越高，光学透镜系统在成本和研发难度上将成为传统光学光刻的严重阻碍。另外，为提高分辨力而增加的大数值孔径透镜系统将导致掩模的移相容限被耗尽，引起焦深变短从而带来诸多工艺困难，实际上如果整平技术得不到完善的发展，那么日益缩

5、小的焦深也将会是光学光刻终结的原因⋯。从上述各种因素和发展趋势判断：主流光刻技术将从目前的光学光刻转移到下一代光刻技术。1传统光学光刻技术由于光的衍射，光学系统的分辨力在物理上将受到衍射的限制，通常人们引用瑞利准则来描述分辨力：理论上极限分辨力Rth和相关的焦深Dth分另0为：Rth=K1入／AN；Dth=k2入／AN2传统光学光刻技术提高分辨力主要通过三种途径来实现：(1)增大光学系统数值孔径：随着光学镜头加工技术的发展，数值孔径NA=0．8的物镜已经研制成功，光刻分辨力可以提高到等于甚至小于曝光波长，但是大数值孔径的光刻物镜使焦深迅速缩短，而在集成电路的实际生产中，必须保证一定的焦深以满

6、足实际生产要求，在这一前提下，通过增大物镜的数值孔径来提高分辨力的方法受建筑玻璃与工业玻璃至4很大限带0。(2)减小曝光光源波长：在增大物镜数值孔径的同时，曝光波长从365nm一直缩短到目前的193nm，157nm的深紫外光源及透光材料也正在研究之中‘2、3】，但存在的问题是：首先难以获得高能强的深紫外光源：其次透深紫外光的光学材料很难获得，在193nm曝光波长下，熔石英是首选的透光材料，但是，随着曝光时间的增加，熔石英的透光性能也会受到损害，导致系统像差增大，而在157nm以下的透光材料如CaF2制备很难，同时与深紫外曝光光源相匹配的光致抗蚀剂也是一个大问题。(3)降低工艺影响系数K1：影

7、响Kl的因素主要有离轴照明OAl、移相掩模PSM、光学邻近效应校正等。对于180nm的光刻分辨力来说K1下降到0．5是必要的，但当K1≤0．5后，常规的某些光学特征(如密度线空间图形)就开始消失，这3种提高分辨力的方法之间的关系是相辅相成、互相平衡的。2现代光刻技术近年来，随着器件尺寸的不断缩小，浸没式光刻因其能实现更高的分辨率为业界所青睐。30多年以来，集成电路技术的发展始终是随着光学光刻技术的不断创新所推