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时间:2019-11-15
《等离子刻蚀与去PSG标准作业指导书》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在工程资料-天天文库。
1、目录1.目的22.原理23.适用范围24.职责35•操作流程36.注意事项5•、目的1.等离子体刻蚀去除硅片四周边缘的N型层,消除硅太阳能电池短路;2.PSG去除扩散后硅片表面的磷硅层,提升电性能。1、原理1.等离子体:随着温度的升高,一•般物质依次表现为固体、液体和气体,当气体的能量进一步升高时,其中许多,甚至全部分子或原子将由于激烈的相互碰撞而离解为电子和正离子。这时物质将进入一种新的状态,即主要由电子和正离子(或是带正电的核)组成的状态。这种状态的物质叫等离子体。2.等离子体刻蚀:等离子体刻蚀是采用高频辉光放电反应,使反应气体激活成活性粒子,如原子或游离基,这些活性粒子到达需刻蚀
2、的部位,在那里与被刻蚀材料进行反应,形成挥发性反应物而被去除。反应方程式:C"+Si()2二二二SiF?+C()23.去磷硅玻璃:利用氢氟酸HF和SiO?反应形成可溶性物质溶于水屮,从而去除磷硅玻璃层。三、适用范围本作业指导书适用丁单品车间内,刻蚀及PSG工段所有工作人员。主要设备为台湾至圣等离子体刻蚀机。四、职责1・操作员负责依照作业指导书耍求,按标准进行生产作业,掌握正确的操作方法,确保人身安全、操作安全。2.在操作过程屮遇到工艺或设备问题应及时向工艺或设备人员反映,相关人员须及时捉供帮助,解决问题。五、操作流程1.1.刻蚀开机5.1.1.打开电源稳压器,仪表显示电压为380V;5
3、.1.2.打开各工艺气路阀门;气路阀排风阀5.1.3.先开回水阀门,后开进水阀门;冷却水压力5.1.4.打开电脑开关,启动电脑;5.1.5.按下系统开关;5.1.6.登陆应用软件,真空泵随之开启。真空泵5.2.刻蚀关机5.2.1.关闭电脑;5.2.2.关闭电源稳压器;5.2.3.先关进水阀门,后关回水阀门;5.2.4.关闭各气路阀门。5.3.生产流程5.3.1.在桌面上放置一张无尘布,然后放置金属垫片;5.3.2.将200片硅片垂直放置在金属垫片上,拇指轻轻按压保证四面平整,然后放入夹具;夹具整理硅片5.3.3.夹具最多装800片,上下垫假片和金属垫片;5.3.4.拧紧夹具上的螺栓,力
4、量适度;力度过松会导致过刻,过紧使硅片隐裂儿率增大;5.3.5.移动夹具时,一手拎手柄,一手托住夹具底部;5.3.6.将夹貝放置在腔体平台底座上,保证位置正确;底座卡点夹具与底座卡紧夹具放置好后腔体内全图5.3.7.关闭腔体门,打开工艺文件,工艺自动运行;刻蚀操作界面^*1•FHMFACTTIMERTATIJS:XTBPiAMEWQg.】工艺执行键程序选择:qctiff/mjFWX1XXKAMI(MKII)程序选择区放大图5・3・&工艺结束后,戴棉布手套取出夹具,防止烫伤。5.3.9.确认刻蚀合格后,松开夹具,待硅片冷却后,进行PSG清洗及甩干。5.4.去PSG配液和补液5.4.1.1
5、#槽配16L氢氟酸;其余各槽为纯水。5.4.2.1#槽每4小时补液一次,一次补氢氟酸4Lo六、注意事项6.1.注意真空泵的工作状态,如果处于报警状态,需重启真空泵;5.2.腔体门应轻开轻关,防止碰撞;5.3.刻蚀合格片边缘应有一至二毫米宽刻蚀线,PSG合格片表面应脱水;5.4.定期检查各路气体压力和冷却水压力;6.5.PSG清洗机2#、3#槽不能同时排水,以防溢出;5.6.3#槽一宜保持进水,流量计开度设为最大;1.7.机械臂过限位,处理方法为:系统-口动停止-切手动-机械臂-回槽位-切口动-口动启动。木文来自网络,版权归原作者所有,请下载后,尽快删除。
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