考核资料 演示文稿

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时间:2019-11-12

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1、TR5001认知讲稿类比测试原理及软体应用第一部分类比测试原理1-1.Open/Short测试原理1-1-1什么是短路群及使用短路群优点?电路板上短路测试是要测量出待测板上不被预期的短路现象,而待测板上本身存在一些预期短路。通过学习的过程将预期短路形成一短路群。在测试过程中通过使用短路群可以简化测试程式复杂度,节省测试程式准备时间,提高测试速度。1-1-2短路群学习依据及短路群是怎样形成的?短路群学习时会将预期短路形成短路群。在TR5001学习短路群时,将有起始针号开始,循序寻找与此针号之阻抗小于RAWTHD之针点形成一短路群。1-1-3在短路群学习时对THD,Short,Open三

2、个栏位设置说明THD:设定短路/开路学习之门槛值,任何阻值小于此值之两点将被置于同一短路群内。是短路群学习过程中判定依据,我们设置THD=25表示在短路群学习时阻抗<25的针点将会被视为在同一短路群中。此值是可以根据情况进行修改的。Short:设置短路测试门槛值,不同短路群或单点之间测试时阻抗小于此值则视短路。它是我们短路测试时判断依据。我们设置Short=5来判断短路群或单点之间是否是Short。我们判断时不能以25为依据,因为假如25为依据在测试时由于电子元件受到一些影响阻抗时大于25或时小于25即一会是开路,一会是短路这样就造成测试不准确,既然是Short测试假如是短路那么阻抗

3、一定很小,所以我们设定Short=5来做判断依据这样条件限制更严格测试准确,此值也是可以根据情况可以改变的。Open:设定开路测试门槛值,同一短路群内的点测试时阻抗大于此值则视为开路。我们进行开路测试时设置Open=55来做判断依据,不能用学习临界值25来做开路测试依据。1-1-4:短路测试原理TR5001进行短路测试时分为粗侧和细测两阶段。粗测:将某一短路群与其他针点之间阻抗小于RAWTHD,记录该短路群有可疑短路针点存在。细测:将粗侧后的可疑短路针点两两对测,以找出是否有真正的小于Threshold的短路存在。如下图就是短路粗测硬体设计:将1号针点接信号源,其他针点接地量,从1号

4、针点开始依次测他们之间阻抗,若阻抗小于RAWTHD则记录为可疑短路针点。一直量到最后针点停止。2-1Jumper测试原理。2-1-1模式0(使用OPS测试)利用OPS量测时我们设置:Open=55,Short=5,THD=25。在TR5001系统上我们定义量测值“1”为短路,量测值“4”为开路。如下图表所示。就是量测A,B两点间阻值。2-1-2模式1(电阻测量模式)如果X<5,则量测值显示“1”如果X>5,则量测值显示“4”。此种量测方法判定依据是固定不变的。2-1-3模式2(使用电阻量测)如果X<10,则量测值显示“1”如果X>10,则量测值显示“4”。模式2与模式1量测原理是一样

5、的,只是量测时所选取判断标准不同。无论选取哪种模式量测,但是他们判断标准都是固定不变的。3-1电阻测试原理我们所讨论的电阻一般认为是线性元件。电阻特性就是电子在物体内有秩序地流动所遇到的阻力。我们利用一电流源来测量电阻值R,待测物R内流经一电流I,在其两端定会产生一电压U,量测出其两端电压后根据欧姆定律可知:R=U/I。当电阻对电流阻碍作用越大时,电流就会流经过变较小了。如图所示待测物R和电容C并联时,系统提供一电流源量测待测物R阻值时,就要对电容充电,电容器会将定电流源分流,直到对电容充电达到饱和时电容器才相当于断路,这样就造成了测试时间延长。如果我们采用电压源进行量测时可以对电容

6、器迅速充电达到饱和状态后断路就可以量测出电阻R。R=U/I3-1-1定电流源量测模式0从上图标可以看出提供几组不同大小定电流源来量测不同范围大小的电阻值。电阻量测值每增增大10倍,定电流源大小就要减小10倍。根据V=I*R把待测物两端量测电压限制在0.15V—1.5V,这样做目的是因为待测板上面元件一般耐压值比较低,假如使用定电流源比较大,那么会严重损坏待测板;假如电压过大时设备本身的电压表也无法量测出该电压。3-1-2低电流之定电流源量测模式1表二与表一比较所使用电流源规格减小10倍,这样做目的是什么?这样做目的是当待测物R两端再并联一二极体时由于所使用电流源较大,能够产生促使二极

7、体导通电压V,二极体导通后其上压降为0.7V左右,即待测物R上电压也是0.7V左右。根据欧姆定律可知:R=U/I此时测量出的待测物阻值比实际值要偏小。4-1电容测试原理4-1-1大电容测试原理如下:电容器是一种储能元件。在对电容器充电过程中随时间延长在电容器内储存的电荷逐渐增多。我们利用电流源来进行量测。根据公式I*T=C*U经过一定时间后电容器上产生一电压。我们选用交流信号对C进行充电,并且电容器呈现出一定的线性关系。假如选用直流信号对它充电,則電容在一

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