忆感器等效电路的实现与研究

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1、学号：09446539常州大学毕业设计忆感器等效电路实现与研究信息科学与工程学院专业班级忆感器等效电路实现与研究摘要：忆感器是一种具有记忆能力的非线性电感器，而流过它的电荷数或磁通量决泄了它的电感值的变化。对于这种新的纳米级的电子记忆元件的研究，我们从电路学的基本原理出发，从而推导出了它的基本公式，而后再从数值分析的角度提出了一种新的基TMatlab的忆感器的建模以及仿真方法，并以此来验证了忆感器的磁滞回环现象是一种属于忆感器的典型的现象，与此同时他们利用这种方法重点分析了忆感器在非易失性存储和人工神经网络中的应用。实验结果表明，该建

2、模方法准确地反映了忆感器的特性，同时也说明了忆感器在众多的领域里具有很高的潜在的应用价值。此外利用常规的运算放大器和乘法器等元器件给出了有源忆感器的等效电路的实现形式，从理论分析上來说，数值仿真和电路仿真结果一致则表明忆感器等效电路近似模型的正确性。关键词：忆感器；等效电路；数值仿真；电路仿真TherealizationandresearchofmeminductorequivalentcircuitAbstract:Thememinductorisanonlinearinductorwhichhastheabilitytoremem

3、ber,andthroughitschargeandmagneticfluxwilldeterminethechangevalueoftheinductance.Inordertostudythenewnanoscaleelectronicmemorycomponents,Ourresearcherstostartfromthebasicprinciplesofelectriccircuits,thusdeducedit'sbasicformula,thenfromtheangleofnumericalanalysis,researc

4、hersputforwardanewmodelingandsimulationmethodofmeminductorbasedontheMatlab.Finally,researchersusedittocheckingthememinductorphenomenonofhysteresisloopisatypicalphenomenonbelongstomeminductor.Atthesametime,theresearchersusedthismethodtoanalyzedtheapplicationofmeminductor

5、innon-volatilememoryandartificialneuralnetwork.Experimentalresultsshowthatthemodelingmethodaccuratelyreflectthecharacteristicsofmeminductor.Atthesametime,itillustratesmeminductorinmanyfieldshasahighpotentialapplicationvalue.Inaddition,usingtheconventionaloperationalAmpl

6、ifierandmultiplierandothercomponents,wecangivetherealizationformoftheequivalentcircuitofmeminductor.Intermsoftheoreticalanalysis,iftheresultofnumericalsimulationcongruentwithcircuitsimulation,thenitindicatesthatapproximateequivalentcircuitmodeliscorrect.Keywords:memindu

7、ctor;equivalentcircuit;numericalsimulation;circuitsimulation摘要20录41绪论11.1忆感器发展史及研究现状11.2忆感器的研究意义11.3忆感器的发展前景3131非易失性存储31.3.2人工神经网络41.4软件介绍5141Matlab软件简介51.4.2Multisim软件简介52忆感器72.1忆感器的基本原理72.2忆感性系统83忆感器近似等效电路模型分析及数值仿真103」忆感器近似等效电路模型103.2忆阻器简单介绍113.2.1基于三次光滑忆阻的忆感器等效电路数值仿真

8、113.2.2基于二次光滑忆阻的忆感器等效电路数值仿真144电路仿真验证184.1基于三次光滑忆阻的忆感器等效电路电路仿真184.2基于二次光滑忆阻的忆感器等效电路电路仿真195实验验证225」实物简介225.2电路实验