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时间:2019-10-22
《微机原理及应用第4章 半导体存储器》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在行业资料-天天文库。
1、第4章半导体存储器•第一节存储器概述•第二节随机存取存储器RAM•第三节只读存储器ROM•第四节存储器与CPU的连接与扩展§5-1存储器概述存储器是计算机硬件系统中必不可少的三大部件之一,计算机程序、原始数据及中间结果等都存放在存储器中。存储器按照材料可以分为磁性存储器、光学存储器和半导体存储器。微机中的软盘和硬盘一般为磁性存储器,CD-ROM为光学存储器,而主板上的存储器条或芯片为半导体存储器。光学存储器容量巨大,但改写不便,适于长久保存资料;磁性存储器容量大,读写方便,即使断电亦可长期保存,用于存放用户程序和记录数据;半导体存储器体积小,读写速度快,
2、主要用于存放当前运行程序和数据。一、存储器的分类按照存储器的材质划分:光学存储器磁性存储器半导体存储器按照存储器的位置划分:CACHE存储器——与CPU直接进行高速数据交换的缓冲存储器,缓解高速CPU与内存在速度与容量方面的匹配矛盾,一般为半导体存储器;内存——内部存储器,主板上的存储器,一般为半导体存储器;外存——外部存储器,主板外附加的存储器,一般为磁存储器和光存储器。按照存储器的作用划分:主存——主要存储器,实指内存;辅存——辅助存储器,实指外存。二、半导体存储器的分类随机存取存储器RAM——RandomAccessMemory特点:可读可写,读写
3、速度快,掉电数据丢失;用途:用于数据存储器;分类:按照带电状态下数据的保存时间,RAM又分为动态DRAM、静态SRAM和集成iRAM。只读存储器ROM——ReadOnlyMemory特点:只可读,但数据能长期保存;用途:常用于程序存储器;分类:按程序固化方式分为ROM、PROM、EPROM。闪速存储器FLASH、EEPROM特点:可读可写,掉电数据不丢失,读取速度快,但写入速度慢;用途:主要用于保存记录数据,亦可做ROM使用。有源存储器——将SRAM芯片与自备电池封装在一起,具有SRAM和ROM的双重特点,用于快速记录大量数据。三、半导体存储器的主要技术
4、指标存储容量——存储容量是指存储器可以存储的二进制信息量,用bit、byte、word等表示。但不管是8位机、16位机还是32位机,通常采用byte作为计量单位。如某计算机内存为256MB,是指256MByte。最大存取时间——存取时间定义为存储器从接收到寻找存储单元的地址码开始,到它取出或存入数据为止所需的时间,一般为几个ns到几百ns。反映了存储器的工作速度。接口方式——并行数据存取或串行数据存取方式。温度范围——军品(-40~+85°C);工业品(-25~+70°C);民品(0~+70°C)功耗§5-2RAM存储器大多数的半导体存储器的字长为8位,
5、常称作字节型存储器。任何一个半导体存储器的最基本存储单元都是一个位(bit),每8个位组合为一个字节结构,作为一个字节型存储器的基本存取(读写)单元。一、静态存储器(SRAM)的组织结构SRAM的位存储单元结构图中给出了静态MOS6管基本存储电路。T1、T3及T2、T4两个NMOS反相器交叉耦合组成双稳态触发器电路。其中T3、T4为负载管,T1、T2为反相管,T5、T6为选通管。T1和T2的状态决定了存储的1位二进制信息。这对交叉耦合晶体管的工作状态是,当一个晶体管导通时,另一个就截止;反之亦然。假设T1导通,T2截止时的状态代表1;相反的状态即T2导通
6、,T1截止时的状态代表0,即A点的电平高低分别代表1或0。当行线X和列线Y都为高电平时,开关管T5,T6,T7,T8均导通,该单元被选中,于是便可以对它进行读或写操作。读操作:当读控制信号为高电平而写控制信号为低电平时,三态门1和2断开,三态门3导通,于是触发器的状态(A点的电平)便通过T6、T8和三态门3读出至数据线上,且触发器的状态不因读出操作而改变。写操作:当写控制信号为高电平而读控制信号为低电平时,三态门1和2导通,三态门3断开,可进行写操作。若数据线为高电平,则三态门2输出的高电平通过T8,T6加至T1的栅极,具有反相的三态门1输出低电平通
7、过T7,T5加至T2的栅极。不管T1,T2原来状态如何,迫使T1导通、T2截止,使触发器置成1状态。若数据线为低电平时,则与上述情况相反,迫使T1截止、T2导通,使触发器置成0状态。SRAM的组织结构——以16x8存储器为例二、SRAM的引脚信号数据总线信号,字节型存储器为D0~D7;地址总线信号,通常为A0~An,地址线的根数反映了存储容量大小;读写控制信号:片选信号CS(ChipSelect)或芯片允许信号CE(ChipEnable),当存储器模块由多个RAM芯片组成时,CS(或CE)用来选择应访问的存储器芯片;输出允许信号(OutputEnable
8、);写允许信号WE(WriteEnable)或读/写控制信号R/W(Read/W
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