微机原理及应用第5章——存储器

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1、第五章存储器第一节存储器分类一、按用途分类1.内部存储器2.外部存储器二、按存储器性质分类1.RAM随机存取存储器(RandomAccessMemory)(1)SRAM静态RAM(StaticRAM)(2)DRAM动态RAM(DynamicRAM)(3)非挥发RAM(Non-VolatileRAM)2.ROM只读存储器(ReadOnlyMemory)(1)PROM可编程ROM(ProgrammableROM)(2)EPROM可擦除、可编程ROM(ErasablePROM)(3)E2PROM电可擦除可编程ROM

2、(ElectricallyErasable)不同的存储器芯片，存取速度不相同，因此在选择存储器芯片时要考虑几个方面:①只读存储器还是随机存取存储器。②芯片位容量,它是表示存储功能的指标。③存取时间，即访问存储器的时间。④功耗，CMOS器件功耗低，但速度慢，HMOS的存储器件在速度、功耗、容量方面进行了折衷。⑤价格。第二节随机存取存储器RAM一、静态随机存取存储器（SRAM）1.静态RAM的构成地址反相器X译码器驱动器32×32＝1024存储单元I/O电路Y译码器地址反相器输出驱动控制电路A0A1A2A3A4A

3、5A6A7A8A9读/写CS输入输出1231321231321﹍﹍﹍﹍321231322.典型SRAM芯片各SRAM芯片的引脚信号基本相同。不过其存储容量不同,则地址线的根数不同；其存储位数不同,则数据线的根数不同。芯片的片选控制线,一般设置一根信号线CE或CS。读/写控制线的设置方法有两种:一种只设一根“写使能”线,当WE＝0时为写允许,当WE＝1时为读允许；另一种是设两根读/写控制线OE和WE,OE＝0为读允许,WE＝0为写允许。常用的SRAM有2114(1K×4)、2142(1K×4)、6116(2

4、K×8)、6232(4K×8)、6264(8K×8)和62256(32K×8)等。一般4K、8K、32K皆采用28引脚封装。A14～A0地址线D7～D0数据线WE写允许信号,低电平有效OE读允许信号,低电平有效CE片选Vcc＋5VGND地NC空脚128227326425524623762××2282192010191118121713161415A7A6A5A4A3A2A1A0D0D1D2GNDVccA8A9WEOEA10CED7D6D5D4D31242233224215206197188179161

5、01511141213INTEL6116二、动态随机存取存储器(DRAM)1.动态RAM的构成2.动态RAM的刷新3.典型动态RAM芯片Intel2164是64K×1的DRAM芯片。4.内存条SIMM(SingleIn-lineMemoryModule，单列直插式存储器模块)内存条的接口标准有30线、72线和100线。DIMM(DualIn-lineMemoryModule，双列直插式存储器模块)内存条的接口标准有168线、184线和200线。一般CPU与内存数据的传输都为对等的传送，所以要注意：系统中CPU

6、数据总线的条数与内存条的数据宽度的对应。FPMDRAM(FastPageModeDRAM，快速页面模式内存)是把连续的内存块以页的形式来处理。EDODRAM(ExtendedDataOutDRAM,扩展数据输出内存)BEDODRAM（BurstEDODRAM，突发式EDO内存）SDRAM(SynchronousDRAM，同步DRAM)5.IRAMIRAM是近年来出现的一种新型DRAM芯片，它克服了DRAM需要外加刷新电路的缺点，内部含有动态刷新电路，使之兼有SRAM和DRAM的优点。目前较典型的IRAM产品主

7、要有Intel2186/2187(8K×8位)等。三、8086对存储器的读/写时序（a）读周期⑩⑨⑧⑦⑥⑤④③②①浮空S6～S3A19～A16数据输入地址输出总线周期T1T2T4T3，TwM/IOCLKALEBHEA19/S6～A16/S3AD15～AD0RDREADY（b）写周期⑥③⑦⑤④②①S6～S3A19～A16数据输出地址输出总线周期T1T2T4T3，TwM/IOCLKALEBHEA19/S6～A16/S3AD15～AD0WR第三节半导体只读存储器ROM1．掩膜ROM2．PROM3．EPROM典型E

8、PROM芯片介绍目前应用较广，也较典型的EPROM芯片有Intel公司的2716(2K×8)、2732(4K×8)、2764(8K×8)、27128(16K×8)、27256(32K×8)、27512(64K×8)等。前两种采24引脚封装，后几种采用28引脚封装。1282273（1）（24）264（2）（23）255（3）（22）246（4）（21）247（5）（20）228（6）（19）