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时间:2019-10-21
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1、目录1.WireBonding種類2.BallBonding実現手段3.Bonding用Wire4.Bonding用Capillary5.BallBondingProcess的概要6.超声波7.FAB(FreeAirBall)形成8.WirePullTest9.WireBonding稳定化WireBonding的基礎11.WireBonding種類BallBonder半導体Chip上的接続電極和Packageの外部提取用端子間用BondingWire来连接要连接的金属之间进行加熱,通过受熱或者超声波振動或者受两方的影响结合。这种方式是为降低Bonding温度为目的
2、所開発的。为补充因温度降低导致熱Energy減少的部分而附加超声波EnergyBonding温度:300℃前後Bonding温度:200℃前後低温化熱压缩方式WedgeBondingAl、AuWireBallBondingAu、CuWireWireBonding超声波・熱圧缩并用方式22.影响BallBonding的要因DieBondingDieBonderLeadFrame/基板接着剤半導体ChipCureBallBondingWireCapillaryBonding技術(Process技術)BallBonder(装置技術)3主要特征有等、具有良好的化学性、機械
3、性的性質3.Bonding用Wire3-1AuWireの主要特征在大気中或在水中化学性稳定及非氧化的性質。金属中、展延性较好、可加工Bonding用Wire使用的直径为10~38μm程度的極細線。吸収Gas极其少具有对熱压缩Bonding最适合的硬度具有耐樹脂Mold的Stress的機械性強度具有銀、銅其次的高電気传导性电阻率(μΩ・cm)的比較Ag(1.6)<Cu(1.7)<Au(2.3)<Al(2.7)3-2 AuWire的特性高純度(5N:99.999%)生金上添加特定的不純物、再经过加工行程調質処理(熱処理:Anneal)、作成具备各种特性的Wire。4高
4、温破断強度与自然Loop高度自然Loop高度(μm)高温破断強度(cN)線径:25μmBonder:CUB-10(Reverse無し)高温条件:250℃X20sec●:高Loop□:中Loop△:低Loop◇:超低Loop根据MitsubishiMaterials的資料転載MGS/MGM3熱影響領域大、Loop高度高。使用在需要高Loop的Tr或Sensor上。还使用在用大線形流大電流的PowerTr上。MGH1/MGH2/MGH3/MGH4/MGM4用在Loop長4mm的Memory等用在少PinPackage上。MGM6/MGM7用在Loop長7mm的Logi
5、c等用在多PinQFPPackage上。MGFL1/MGFL2/MGFL-B/MGFL4/MGFL5高強度Type的4NWire、用在最新狭PichPakage(QFP,BGA,CSP)用途上。可利用高強度、原有的Wire同等強度得到細線径、可实现CostDown。MGH0/MGHL1/MGHL2热影响领域小、可形成Loop高度低的Loop可使用在TSOP等薄型Package或S-MCP。MGA1/MGA2/MGA3/MGA4具有高強度和高信頼性、是第2世代使用的2N純度金合金Wire。尤其是要求60μmPich以下狭PichBonding的用户、为保证充分的信頼
6、性、推荐使用合金Wire的熱影響領域(再結晶領域)5对AuWire的要求、除純度以外等機能的要求寸法的精度要高(用0.1um制御可能)表面要圆滑、金属要有光泽表面不能有灰尘、污染具有拉伸强度、要有一定的弹性Curl(卷曲性)要小AuWire前端形成的Ball的形状要有一定的真圆性3-3对AuWire的要求6WD:WireDiameter(Wire径)H:HoleDiameter(Hole径)CD:Diameter(Chamfer径)CA:ChamferAngle(Chamfer角)OR:OuterRadiusFA:FaceAngle(Face角)T:Tip(前端径
7、)4.Bonding用Capillary4-1Capillary的基本FAHCDTCAWDORCapillary(BondingTool)按下記寸法,被設計・製作的各寸法会压到Pad的BallSize及压到Lead的StitchSize,所以需要十分谨慎。7HWD4-2对BallBond直接影響的Capillary寸法仕様(1)Hole径(H)Hole径是由规定的Wire径(WD)来決定標準是Wire径的1.3~1.5倍WD:WireDiameter(Wire径)H:HoleDiameter(Hole径)FinePadPitch用上,为Control成小的Ball
8、Size、
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