PECVD工艺及流程

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1、PECVD的基本操作及注意事项PECVD：PlasmaEnhanceChemicalVapourDeposition等离子增强化学气相沉积等离子体：气体在一定条件下受到高能激发，发生电离，部分外层电子脱落原子核，形成电子、正离子和中性粒子混合物组成的一种形态，这种形态就称为等离子态即第四态PECVD的原理及作用工作原理：CentrothermPECVD系统是一组利用平行板镀膜舟和高频等离子激发器的系列发生器。在低压和升温的情况下，等离子发生器直接在，装在镀膜板中间的介质的中间发生反应。所用的活性气体为硅烷SiH4和氨NH3。这些气体作用于存储在硅片上的氮化硅。可以根据改变硅烷对氨的比率，来

2、得到不同的折射指数。在沉积工艺中，伴有大量的氢原子和氢离子的产生，使得晶片的氢钝化性十分良好。PECVD的原理及作用技术原理：是利用低温等离子体作能量源，样品置于低气压下辉光放电的阴极上，利用辉光放电（或另加发热体）使样品升温到预定的温度，然后通入适量的反应气体，气体经一系列化学反应和等离子体反应，在样品表面形成固态薄膜。PECVD方法区别于其它CVD方法的特点在于等离子体中含有大量高能量的电子，它们可以提供化学气相沉积过程所需的激活能。电子与气相分子的碰撞可以促进气体分子的分解、化合、激发和电离过程，生成活性很高的各种化学基团，因而显著降低CVD薄膜沉积的温度范围，使得原来需要在高温下才

3、能进行的CVD过程得以在低温下实现。PECVD的原理及作用3SiH4+4NH3→Si3N4+12H2↑Si3N4的认识:Si3N4膜的颜色随着它的厚度的变化而变化，其理想的厚度是73—77nm之间，表面呈现的颜色是深蓝色，Si3N4膜的折射率在1.9—2.1之间为最佳，与酒精的折射率相乎，通常用酒精来测其折射率。PECVD的原理及作用Si/N比对SiNx薄膜性质的影响:电阻率随x增加而降低折射率n随x增加而增加腐蚀速率随密度增加而降低SiNx的优点：优良的表面钝化效果高效的光学减反射性能（厚度折射率匹配）低温工艺（有效降低成本）反应生成的H离子对硅片表面进行钝化PECVD的原理及作用物理性

4、质和化学性质：结构致密，硬度大能抵御碱、金属离子的侵蚀介电强度高耐湿性好PECVD的原理及作用Si3N4膜的作用:减少光的反射:良好的折射率和厚度可以促进太阳光的吸收。防氧化:结构致密保证硅片不被氧化。PECVD的原理及作用PECVD设备结构晶片装载区炉体特气柜真空系统控制系统PECVD设备结构示意图晶片装载区：桨、LIFT、抽风系统、SLS系统。桨：由碳化硅材料制成，具有耐高温、防变形等性能。作用是将石墨舟放入或取出石英管。LIFT：机械臂系统，使舟在机械臂作用下在小车、桨、储存区之间互相移动。抽风系统：位于晶片装载区上方，初步的冷却石墨舟和一定程度的过滤残余气体SLS系统：软着落系统，

5、控制桨的上下，移动范围在2—3厘米PECVD设备结构炉体：石英管、加热系统、冷却系统石英管：炉体内有四根石英管，是镀膜的作业区域，耐高温、防反应。加热系统：位于石英管外，有五个温区。PECVD设备结构PECVD设备结构冷却系统：是一套封闭的循环水系统，位于加热系统的金属外壳，四进四出并有一个主管道，可适量调节流量大小。冷却系统的优点没有消耗净室空气不同管间无热干涉炉环境的温度没有被热空气所提升空气运动（通风装置）没有使房间污染噪音水平低冷却系统示意图特气柜：MFC气动阀MFC：气体流量计（NH3CF4SiH4O2N2）SiH41.8slmNH310.8slmCF43.6slmO23slmN

6、215slm气动阀：之所以不用电磁阀是因为电磁阀在工作时容易产生火花，而气动阀可以最大程度的避免火花。PECVD设备结构真空系统真空泵：每一根石英管配置一组泵，包括主泵和辅助泵。蝶阀：可以根据要求控制阀门的开关的大小，来调节管内气压的PECVD设备结构控制系统CMI：是Centrotherm研发的一个控制系统，其中界面包括Jobs、System、Datalog、Setup、Alarms、Help.Jobs:机器的工作状态。System:四根管子的工作状态，舟的状态以及手动操作机器臂的内容。Datalog:机器运行的每一步。PECVD设备结构PECVD设备结构Setup:舟的资料的更改，工艺

7、内容的更改，使用权限的更改，LIFT位置的更改，CMS安区系统（安装的感应器将监控重要系统的运行情况，而一旦不受管的计算机的控制，CMS将会发生作用，所有的错误信息也都会在CIM上得以简洁的文本方式显示出来）的更改等。Alarms：警报内容Help:简要的说了一下解除警报以及其他方面的方法CESAR：控制电脑，每一个系统都安装了CESAR控制电脑及CESAR控制软件，此控制电脑独立于主电脑独立于主电脑系统中。CESAR控