多晶电池pecvd工序工艺标准

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1、1.范围本文件制定了多晶电池PECVD工序Roth&Rau链式镀膜设备，Centrotherm和捷佳创管式镀膜设备的安全防护措施、工艺要素、过程控制要点。合格判定方法等内容。本文件适用于作为多晶电池PECVD工序作业指导书、检验规范编制的依据。2.引用文件C—IS—008《多晶电池生产各工序工艺技术参数》3产品或在制品生产环境3.1生产环境要求温度20℃-25℃；相对湿度:30%-50%,无凝露；保持正压，净化度在十万级以上。3.2外围条件3.2.1Roth&RauSINAL/XL/XXL冷却水：总流量

2、约311L/min；进水压强4bar——6bar，进出水压差3bar；进水温度18℃——22℃；气体：压缩空气压强:6bar--7bar,流量：约100L/min，无水，无油；吹扫氮气压强为6bar--7bar，流量约700L/min（XL），1330L/min（XXL）;硅烷、氨气和氢气的压强为1.5bar--2.5bar；排风：单个等离子冷却风流量约110m³/h，排风最大温度65℃；工艺腔室泵排风393L/min。3.2.2管式设备冷却水：进水压强6bar，出水压强4bar；进水温度20℃-23℃

3、。气体：压缩空气压强：4bar——6bar；硅烷、氨气和氢气的压强为1.5bar--2.5bar。4安全防护措施4.1着装要求：净化服、净化帽、PVC手套、口罩；4.2取片工具：镊子、吸笔。5工艺装备及易耗品Roth&Rau设备、Centrotherm管式设备、捷佳创管式设备、Manz机械手、jonas&Redemann机械手、石墨舟、载片盒、高温隔热手套、PVC手套、口罩、镊子、吸笔、石英管、无尘布、无水乙醇。6工艺流程装载——加热——镀膜——冷却——卸载7工艺要素7.1工艺配方：湿法刻蚀工序转下的硅

4、片，硅烷、氨气。7.2工艺参数：参考C—IS—008《多晶电池生产各工序工艺技术参数》相关内容。8加工过程控制要点8.1膜厚折射率控制8.1.1Roth&Rau设备82nm膜厚工艺镀膜后减反射膜厚度目标平均值为82nm±2nm，平均值合格范围78nm—84nm；单点值合格范围76nm—86nm；表面折射率目标平均值为2.12±0.02，平均值合格范围2.05—2.14，单点值合格范围2.04—2.20；85nm膜厚工艺镀膜后减反射膜厚度目标平均值为85nm±2nm，平均值合格范围81nm—88nm；单点

5、值合格范围78nm—90nm；表面折射率目标平均值为2.08±0.02，平均值合格范围2.04—2.12，单点值合格范围2.02—2.14；88nm膜厚工艺镀膜后减反射膜厚度目标平均值为88nm±2nm，平均值合格范围84nm—92nm；单点值合格范围80nm—96nm；表面折射率目标平均值为2.12±0.02，平均值合格范围2.06—2.14，单点值合格范围2.02—2.20；8.1.2管式设备83nm膜厚工艺镀膜后减反射膜厚度目标平均值为83nm±2nm，平均值合格范围79nm—86nm；单点值合格

6、范围78nm—88nm；表面折射率目标平均值为2.12±0.02，平均值合格范围2.05—2.14，单点值合格范围2.04—2.20；88nm膜厚工艺镀膜后减反射膜厚度目标平均值为88nm±2nm，平均值合格范围84nm—92nm；单点值合格范围80nm—96nm；表面折射率目标平均值为2.12±0.02，平均值合格范围2.06—2.14，单点值合格范围2.02—2.20；8.2控制工艺参数在规定范围内，详见C—IS—008《多晶电池生产各工序工艺技术参数》8.3Roth&Rau设备PECVD维护周期为

7、120小时，最多不超过140小时。管式设备石墨舟的维护周期为：120管/次，最多不超过140管/次。9工序在制品标准硅片无崩边缺口，镀膜颜色为蓝色或深蓝色且均匀一致，表面无斑点和沾污。膜厚、折射率满足8.1规定范围。10产品包装、储存、周转运输要求若不立即转入印刷工序，应用包装膜包好保存和运输。技术通知单No:TZ-121128-04发送部门技术中心--电池工艺室发送人王涛抄送部门质量管理部、生产运营部接受部门保定一、二、三公司接收人签字工艺描述文件名称：多晶电池PECVD工序工艺标准文件编号：C-IS

8、-005修改原因及内容：由于设备类型的原因，现新增现新增85nm膜厚工艺膜厚折射率控制，内容为85nm膜厚工艺镀膜后减反射膜厚度目标平均值为85nm±2nm，平均值合格范围81nm--88nm；单点值合格范围78--90nm；表面折射率目标平均值为2.08±0.02，平均值合格范围2.04--2.12，单点值合格范围2.02--2.14.修订状态：由B/1更改为B/2.特此通知备注填写人/日期王涛/2012.11.28审核/日期马桂艳/11