管式pecvd工艺流程

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1、赛维LDK太阳能高科技（合肥）有限公司文件编号文件名称管式PECVD工艺流程生效日期页码第6页共6页一、目的制定管式PECVD工序工艺流程规范，作为工艺人员工作依据，保证镀膜质量。二、适用范围管式PECVD工序所有工艺人员。三、工艺人员职责3.1负责管式PECVD工序生产工艺运行的正常性、稳定性。3.2负责部门内工艺运行原始资料的累积，保管，随时检查工艺运行状态，并记录异常，积极处理工艺异常。3.3负责应对管式PECVD设备常见、突出、重大的工艺异常，制定落实整改措施、预防措施、应急方案。四、名词定义4.1PECVD：即等离

2、子增强化学气相沉积，在外加能量的作用下，NH3、SiH4发生电离，反应后在硅片表面生成SiN薄膜。4.2管式PECVD：区别于板式PECVD，镀膜过程中，硅片插在石墨舟中，由SiC桨送入石英炉管内进行镀膜，因此称为管式PECVD。此种镀膜方式中，石墨舟及硅片是作为电极的一部分参与镀膜，在外加高频电源的作用下，石墨舟片之间形成电场，将通入的SiH4和NH3电离，在硅片表面反应生成SiN膜。五、工作内容5.1PECVD工序产品检验点5.1.1镀膜后过程检验内容：膜厚、折射率5.1.2检验仪器：椭偏仪5.2工艺参数及SiN膜的控制

3、规范5.2.1管式PECVD工艺参数（SiH4、NH3气体流量，高频功率、炉管内压强）均在程序中设定，不同功能对应的工艺程序也不一样，正常生产时，由工艺人员指导生产人员调用正确的程序。最常用的程序主要有两种：预处理舟程序、正常镀膜程序（程序名待定）。预处理舟程序的作用是，赛维LDK太阳能高科技（合肥）有限公司文件编号文件名称管式PECVD工艺流程生效日期页码第6页共6页因为SiN在石墨上与硅片上的沉积速度有差异，使用刚清洗好的石墨舟镀膜时，硅片与石墨片接触的地方（即硅片边缘）的SiN膜偏薄，为了减少此差异，需要对刚清洗好的石

4、墨舟进行饱和，预先在石墨舟表面沉积一层SiN薄膜。此外，高温环境也对石墨舟起到干燥作用。在太阳能生产工艺中，镀膜主要有两种作用：钝化与减反射，正常镀膜过程的作用就是达到此目的。5.2.2管式PECVD镀膜各项参数（待定）：参数T-PaddlePressureHFPowerSiH4NH3范围值5.2.3SiN膜的控制要求SiN膜的具体控制范围可见控制要求（控制要求另行规定）。5.3膜厚、折射率异常的处理方法5.3.1膜厚偏薄时，可适当增加镀膜时间，偏厚则减少镀膜时间。更改时间的效果在下次镀膜时体现。5.3.2折射率的大小可通过

5、更改SiH4和NH3的流量比来进行调节。提高SiH4与NH3的流量比，可提高折射率。对于centrorherm的管式设备来讲，正常生产过程中，折射率比较稳定，一般不做修改。若是实验需要，可在程序中进行修改，修改后一定要另存为其他的文件名，避免与正常程序混淆。5.4软件使用方法5.4.1工艺参数修改方法5.4.1.1管式PECVD的参数调整在控制电脑中进行，首先打开桌面上的“CCC.RM”；5.4.1.2打开后，出现的标题栏下面出现几个图标，每个图标对应不同的功能，主要用到的有3个，见图1中标示；图15.4.1.3点击第二个图

6、标，在出现的对话框中输入密码；图2赛维LDK太阳能高科技（合肥）有限公司文件编号文件名称管式PECVD工艺流程生效日期页码第6页共6页5.4.1.4输入密码之后，出现图3所示窗口，其中最右边一栏为“RecipePool”，所有的程序均保存在此Pool中。在Pool中选择要修改的程序，选中后点击下方的“checkout”，被选程序则出现在中间一栏，再点击“Export/Import”；图45.4.1.5点击“Export/Import”之后，出现图5所示的窗口，窗口主要有三栏，上一步中选择的程序出现在左边第一栏，左边两栏中间有

7、方向相反的箭头，点击“→”，程序出现在第二栏，此时点击下面的“Edit”，出现显示程序内容的窗口；图55.4.1.6在出现的程序窗口中，找到相应的参数并修改，修改完成之后保存，保存时根据需要选择“save”或是“saveas”，注意，修改时，只可修改镀膜时间、气体流量、高频功率以及压强等数值，语句部分勿擅自更改；图6赛维LDK太阳能高科技（合肥）有限公司文件编号文件名称管式PECVD工艺流程生效日期页码第6页共6页5.4.1.6保存完之后，关闭程序，回到图5所示的窗口，更改后的程序出现在在中间一栏，依次选中程序，点击“←”，

8、并关闭此窗口；5.4.1.7回到图4所示的窗口，在中间一栏中依次选中程序名，点击“checkin”将程序导入至“Pool”中，程序修改完成。图75.4.2如何调用新程序程序修改完之后，首先要将其加载到设备炉管，然后才能在该炉管中调用，未加载该程序的炉管则不能调用该程序，具体方法如下：5.4