镀膜电源与膜层质量

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1、镀膜电源与膜层质量一、引言：1、Film结构的菱形ITO的阻抗计算公式【一：两层Film】yy2二[(W-a)/L]*x+(W+a)/2y‘=y2-yl=2*[(W-a)/L]*X+aR_diamond=J△R_blue+/AR_green=2/AR_bli_ie二2〕强'*(Ax)/y]二2*R‘*1(1/y)*Ax二疋*1{l/[(W-a)A*x+O.5*a]}*dx

2、x=(0,L/2)二[R‘*L/(W-a)]*ln(W/a)又•・•R_bridge=R^*(B/a)•:R_Sensor=(R_diamond+R_bridge)*N二N*R‘*{B/a+[L/(W-a)]

3、*ln(W/a)}图一、阻抗计算图及微积分推导过程R_s—N*R，*{B/a+[L/（W-a）＞ln（W/a）}R_si条感应Sensor的电阻值。（R_sr即：RSensor）R'……TTO的方阻。BIT0桥的长度（与电流方向一致）。aITO桥的宽度（与电流方向垂直）。L菱形的长度（与电流方向一致）：前一个桥的末端到后一个桥的始端。W菱形的宽度（与电流方向垂直）。N电流方向上的菱形数量。（起始和末端各自半个菱形刚好拼成一个菱形）。Ln（）自然对数函数。【二：单层GlassITO]单层TTO含MTJumper的a的取值方式（即图中的a'其推算原理与上述推算一致。但一定要注意：1

4、.GlassITO的Sensor线是MetalJumper计算a时要注意:a是从PI绝缘的位置计算a的，即：P1绝缘向两端延仲后与菱形两边的相交点之间的距离才是真正的ao2.同时，由于MetalJumper采用的是钳铝钳材料，其方阻很小，大概是0.3Q左右，可以忽略。因此，此时可忽略Jumper的阻抗，等同于B二0。所以，有MetalJumper的ITO感应涂层，其阻抗只需计算菱形的阻抗即可。R_sr=N*R^*[L/（W-a，）]*ln（W/a,）其中*是Jumper与ITO之间的起始接触点处等效宽度艾克斯.沃夫2、影响ITO方阻的因素Rc=p/d（1）由公式（1）可以看岀，

5、为了获得不同面电阻（RJ的ITO薄膜，实际上就是要获得不同的膜厚和电阻率。一般来讲，制备ITO薄膜时要得到不同的膜层厚度比较容易，可以通过调节薄膜沉积时的沉积速率和沉积的时间来制取所需要膜层的厚度，并通过相应的工艺方法和手段能进行精确的膜层厚度和均匀性控制。而ITO薄膜的电阻率（p）的大小则是ITO薄膜制备工艺的关键，电阻率（p）也是衡量ITO薄膜性能的一项重要指标。p=m*/nei（2）^式给出了影响薄膜电阻率（p）的儿种主要因素，式（2）中，n、工分别表示载流子浓度和载流子迁移率。当n、T越大，薄膜的电阻率（p）就越小，反之亦然。而载流子浓度（n）与IT0薄膜材料的组成有关

6、，即组成IT0薄膜本身的锡含量和氧含量有关，为了得到较高的载流子浓度（n）可以通过调节IT0沉积材料的锡含量和氧含量来实现；而载流子迁移率（C则与IT0薄膜的结晶状态、晶体结构和薄膜的缺陷密度有关，为了得到较高的载流子迁移率（C可以合理调节薄膜沉积时的沉积温度、溅射电压和成膜的条件等因素。生产工艺过程中各工序原材料性质、工艺控制可能影响ITO阻值的因素有以下几点：a.光刻胶涂布的膜厚均匀性、胶粘附性会影响胶的阻挡性能,产生胶被浸化，过显影、侧蚀、过刻蚀，使图形不规则，电阻变大。因此要将基板清洗干净,选择阻挡性、粘附性好的光刻胶，严格控制胶膜厚度（约1.5um）及均匀性。b.选择

7、适宜的曝光方式与曝光量是形成高质量图形的前提，显影液、刻蚀液的种类与其温度、浓度、时间的选择不当也会使图形发生畸变,不能得到设计所需的阻值。还要根据正胶的性质，选择适当的预固化、坚膜的温度和时间，这对图形与电阻有很大影响。C其他工艺过程的影响:生产工艺中如要使用高温烘烤和各种碱液的清洗,一般在300°C的环境中停留30min以上，会使R□生长2〜3倍，这是影响R□的最大因素。而IT0在碱性环境中易产生老化和腐蚀，如清洗时间过长、清洗不净,都会使R□增大,所以,在牛产工艺中不宜采用高温牛产和用碱液的反复清洗。二、选择合适的镀膜电源与膜层质量的关系镀膜电源的明智选择能帮助达成溅镀率

8、、薄膜质量以及设置成本和复杂性上的特定目标。每一个电源解决方案都有各自特定的优缺点。因此，并没有绝对正确的答案。选择必须以本文所提供的建议以及个人的制程优先目标为基础。电源选择概述表1屮列举了在虫邈选择要考虑的主要因素，对每种电源解决方案进行了评级。在最左边的一栏中找到对制程来说最重要的因素，然后选择对这些参数评级最高的电源方案。进一步参考该表格，获取有关所选择的电源方案重要要求上性能表现的信息。然后，继续阅读了解更多需要考虑的因素，再做岀最终的决定。麦1.电源选择矩阵DCAChteedDC