SDRAM接口学习

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1、SDRAM接口讲解SDRAM:SynchronousDynamicRandomAccessMemory同步动态随机存储器，同步是指Memory工作需要同步时钟，内部的命令的发送与数据的传输都以它为基准；动态是指存储阵列需要不断的刷新来保证数据不丢失；随机是指数据不是线性依次存储，而是自由指定地址进行数据读写DDRSDRAM：DoubleDataRateSDRAM，是双倍速率同步动态随机存储器目录part1-SDRAM内存模组结构part2-SDRAM芯片内部结构Part3-SDRAM芯片外部结构part4-SDRAM内部操作与工作时序

2、part5-SDRAM性能优化part6-备注Part7-参考资料Part1SDRAM内存模组结构P-Bank（PhysicalBank）内存总线等同于CPU数据总线的位宽。单位为Bit，简称P-Bank。注意：P-Bank是SDRAM及以前传统内存特有的概念芯片位宽：在SDRAM中，单个芯片的位宽即每个传输周期能提供的数据量（仅对SDRAM有效）=一个存储单元位宽单个芯片的位宽一般都较小，所以为了组成P-Bank所需的位宽，就需要多颗芯片并联工作。DIMM：DoubleIn-lineMemoryModule,双列内存模组。模组电路板

3、与主板插槽的接口有两列引脚。DIMM是SDRAM集合形式的最终体现，每个DIMM至少包含一个P-Bank的芯片集合Part2SDRAM芯片内部结构逻辑Bank（LogicalBank）：SDRAM芯片内部存储阵列由于技术、成本、内存工作效率(具体见part5-SDRAM性能优化）三方面原因，一个芯片内部有多个L-ABNK，目前基本为四个(SDRAM规范中的最高L-Bank数量）芯片位宽（SDRAM内存芯片传输一次的数据量）：L-Bank存储阵列中一个存储单元的容量芯片容量=行数×列数（得到一个L-Bank的存储单元数量）×L-Bank

4、的数量×位宽（单位bit）模组容量：相同位宽下，不同芯片的组合会有不同的容量Part2SDRAM芯片内部结构Part3-SDRAM芯片外部结构Part3-SDRAM芯片外部结构Part3-SDRAM芯片外部结构内存寻址步骤以及相关引脚：P-BANK(CS)-L-BANK（BA)-行（RAS、An、WE#)-列（CAS、An、WE#）part4-SDRAM内部操作与工作时序part4-SDRAM内部操作与工作时序芯片工作顺序：初始化-行有效-列读写内存初始化：模式寄存器设置（MRS，ModeRegisterSet）内存控制器（北桥芯片）

5、在BIOS的控制下进行，寄存器的信息由地址线来提供。part4-SDRAM内部操作与工作时序行有效：CS/BAn/RAS信号同时发出part4-SDRAM内部操作与工作时序列读写：CAS与WE#同时发出。在SDRAM中，行地址与列地址是共用的（地址复用），以CAS区分行列寻址（注：列寻址时，A10用作预充电命令）part4-SDRAM内部操作与工作时序读写命令表(除自刷新SelfRefresh)命令外，所有命令都是默认CKE有效）part4-SDRAM内部操作与工作时序行选通：在发送列读写命令时，与行有效命令有一个间隔，这个间隔定义为

6、tRCD（RAStoCASDelay,RAS至CAS延迟）。这是根据芯片存储阵列电子元件响应时间（从一种状态到另一种状态变化的过程）制定。广义的tRCD以时钟周期（tCK，ClockTime）数为单位part4-SDRAM内部操作与工作时序读操作:列地址确定后，存储单元确定CL:CASLatency，CAS潜伏期。从CAS与读取命令发出到第一笔数据输出时间间隔CL只在读取时出现，所以CL又被称为读取潜伏期（RL，ReadLatency）。单位为时钟周期数part4-SDRAM内部操作与工作时序T0-T1(根据芯片不同，>=一个TCK)

7、：假设芯片位宽为n个bit，列数为c，那么一个列地址需选通n个存储体。但存储体中晶体管反应时间造成数据延后触发。这个时间结束时，数据被触发，传向S-AMPT1-T2(>=一个TCK):存储单元中电容容量很小，S-AMP(senseamplifier)要对其电压比较以进行逻辑电平的判断，然后在做放大/驱动tAC：AccessTimefromCLK，时钟触发后的访问时间（即T1-T2）S-AMP:在读取时保持数据逻辑状态，Cache的作用，再次读取时由它直接发送，不进行新的寻址输出数据重写：逻辑状态为1的电容在读取操作后，会因放电而变为逻

8、辑0，所以要预充电阶段做数据重写part4-SDRAM内部操作与工作时序写操作：写操作也在tRCD之后进行，但没有CL（数据信号由控制端发出，输入时芯片无需做任何调校，只需直接传到数据输入寄存器中，然后由写入驱动器进行对