[精品]浅谈晶体缺陷及其应用

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1、浅谈晶体缺陷及其应用摘要：晶体缺陷对晶体的力学性能既有有利的方面，也有不利的方面。少量晶体缺陷对于晶体的物理性能能够产生重要影响，所以可以根扌居不同的晶体缺陷，开发利用其产生的影响，充分发挥可能产生的作用，研究并制备具有不同性能的材料，以适应人们不同的实际需要和时代的发展需求。关键词：晶体缺陷；性能；铁磁性；电阻；半导体材料；杂质引言：在讨论晶体结构时，我们认为晶体的结构是三维空间内周期侑序的，其内部质点按照一定的点阵结构排列。这是一种理想的完美晶体，它在现实屮并不存在，只作为理论研究模型。和反，偏离理想状态的不完整品体，即有某些缺陷的品体，具有重要的理论研究意义和实际应用价值

2、。所有的犬然和人工晶体都不是理想的完整晶体，它们的许多性质往往并不决定于原子的规则排列，而决定于不规则排列的晶体缺陷。晶体缺陷对晶体生长、晶体的力学性能、电学性能、磁学性能和光学性能等均有着极人影响，在生产上和科研中都非常重耍，是固体物理、固体化学、材料科学等领域的重要基础内容。研究晶体缺陷因此具有了尤其重要的意义。本文着重对品体缺陷及其对品体的影响和应用进行阐述。1•晶体缺陷的定义和分类1.1晶体缺陷的定义在理想的晶体结构中，所有的原子、离子或分子都处于规则的点阵结构的位置上，也就是平衡位S±o1926年弗仑克尔1首先指出，在任-•温度下，实际晶体的原子排列都不会是完整的点阵

3、，即晶体中一些区域的原了的止规排列遭到破坏而失去止常的相邻关系。我们把实际晶体中偏离理想完整点阵的部位或结构称为晶体缺陷.1.2晶体缺陷的分类1.2.1.按缺陷的几何形态分类可分为四类：点缺陷、线缺陷、面缺陷、体缺陷。1.点缺陷(零维缺陷)：缺陷尺寸处于原子大小的数量级上，即三维方向上缺陷的尺寸都很小。包括:空位(vacancy)>间隙原了(interstitialparticle)、异类原子(foreignparticle)。点缺陷与材料的电学性质、光学性质、材料的高温动力学过程等有关。2..线缺陷(一维缺陷)：指在一维方向上偏离理想晶体中的周期性、规则性排列所产生的缺陷，即

4、缺陷尺寸在一维方向较长，另外二维方向上很短。线缺陷的产生及运动与材料的韧性、脆性密切相关。3.面缺陷：面缺陷又称为二维缺陷，是指在二维方向上偏离理想晶体中的周期性、规则性排列而产生的缺陷，即缺陷尺寸在二维方向上延伸，在笫三维方向上很小。如品界、相界、表血、堆积层错、镶恢结构等。而缺陷的取向及分布与材料的断裂韧性有关。4.体缺陷：也称为三维缺陷，指晶体屮在三维方向上相对尺度比较人的缺陷，和基质晶体己经不属于同一物相，是异相缺陷。固体材料小最基本和最重耍的品体缺陷是点缺陷，包括本征缺陷和朵质缺陷等。1.2.2、按缺陷产生的原因分类：热缺陷、杂质缺陷、非化学计量缺陷、其它原因(如电荷

5、缺陷，辐照缺陷等)。1.热缺陷定义:热缺陷亦称为本征缺陷，是指由热起伏的原因所产主的空位或间隙质点（原子或离子）。类型那仑克尔缺陷和肖脱基缺陷热缺陷浓度与温度的关系:温度升高时，热缺陷浓度增加1.朵质缺陷定义:亦称为组成缺陷，是由外加杂质的引入所产生的缺陷。特征:如果杂质的含量在固溶体的溶解度范围内，则杂质缺陷的浓度与温度无关。2.非化学计量缺陷定义:指组成上偏离化学中的定比定律所形成的缺陷。它是山基质品体与介质中的某些组分发生交换而产生。特点:其化学组成随周围气氛的性质及其分压人小而变化。2.晶体缺陷对物理性能的影响缺陷的存在破坏了晶体结构的完整，对其性能有严重影响。通常工业

6、上应用的多晶体材料通过增加缺陷数冃都可以提高材料的机械性能。比如加入合金元素形成固溶体可以产生固溶强化，捉高强度,这主要是增加了点缺陷造成的；金属经过冷加工变形也可以提高强度，这是通过增加线缺陷-位错数目來实现的；金属通过细化品粒提高强度的原因：增加了面缺陷：品界的数目。而位错等缺陷的存在，会使材料易于断裂，比近于没有晶格缺陷的晶体的抗拉强度，降低至几十分之一。我们分别从一下个方面进行讨论。2.1晶体电阻缺陷与晶体电学性能2.1.1晶体电阻电阻就其物理意义来说是表征电子在运动过程中它所处的状态被改变的几率。实际上位于晶体阵点上的原子（或离子实）是不断地振动着的，它与电子相互作用

7、使电子状态发生改变，因此金属晶体有电阻，而且温度愈高电阻愈大。而由于晶体缺陷的存在使得离子偏离平衡位置，从而使晶体存在缺陷电阻。2.1.2点缺陷电阻缺陷根据其特性会从三方面影响晶体的周期场。（1）缺陷所在处的荷电最一般说来与基体离子的不同，故在缺陷附近形成了屏蔽场。（2）因杂质原子与基体原子大小不同或因空位形成而使周围原子发住位移，或因基体原子脱离点阵位置而成为间隙原子都会形成附加位一称为变型位。（3）即使替代原子与基体原子的原子价相同，原子大小相近，市于各自的原子位有差别，具附近的晶体周期