实验一指导 半导体静态存储器实验

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1、实验一半导体静态存储器实验一．实验目的1、掌握静态存储器的工作特性及使用方法。2、掌握半导体随机存储器怎样存储和读出数据。二、实验要求实验前，要求做好实验预习，掌握SRAM6116的功能特性和使用方法。实验过程中，要认真进行实验操作，仔细思考实验有关的内容，把自己想得不太明白的问题通过实验去理解清楚，争取得到最好的实验结果，达到预期的实验教学目的。实验完成后，要求每个学生写出实验报告。三．实验原理实验所用的半导体静态存储器电路原理如图1-1所示，实验中的静态存储器采用一片6116（2K×8），其数据线通过三态门74LS245接至数据拨码开关DSW3

2、，地址线由地址拨码开关DSW1给出。Proteus使用色块表示各元件引脚电平高低，默认情况下，红色表示高电平，蓝色表示低电平，灰色表示高阻态。拨码开关上有多个黑色滑块，滑块拨到左边为OFF，拨到右边为ON。6116的地址是11位，连接到地址拨码开关DSW1的地址为10位，最高一位地址线A10接地，所以其实际容量为1K字节。6116有三个控制线：（片选线）、（读线）、（写线）。当片选有效（=0）时，=0、=1时进行读操作，=1、=0时进行写操作。、、三个控制信号通过拨码开关DSW2控制。表1-16116的功能表表1-274LS245的功能表方式输入/

3、输出工作方式1XX无选择高阻态1XA、B隔离0HH无选择高阻态00数据由B传送到A001读输出010写输入01数据由A传送到B三态门74LS245及数据拨码开关DSW3用于向6116的某一存储单元写入数据，先将拨动开关DSW3拨成要写入的一个数据，然后拨动DSW4，使47LS245的和脚均为低电平（有效控制三态门输出，脚均为低控制74LS245将数据从B侧传送到A侧），这时，DSW3上拨出的数据会出现在6116的数据线上。下一步，通过拨动DSW2，可以将数据写入6116的指定存储单元。1图1-26116的读出时序图1-36116的写入时序四、实验步

4、骤(1)写入数据打开仿真文件，点击运行按钮，按下列步骤操作：①拨动右边的拨码开关DSW3，形成一个将要写入6116的数据，如9DH（元件脚上的色块红色为1，蓝色为0，灰色为高阻态），该数据加到了与DSW3相连的74LS245的右边(B侧)，74LS245的左边(A侧)仍然为灰色(高阻态)，说明数据没有通过74LS245传送到6116的数据线D0-D7。②将控制74LS245的拨码开关DSW4的两个位均拨到OFF位置，使74LS245的脚和脚均为低电平，让数据通过74LS245传送到6116的数据线D0-D7。③拨动左边的拨码开关DSW1，形成加在6

5、116地址线上的地址，比如000H。④通过拨动左下角的拨码开关DSW2，控制6116将数据9DH写入地址为000H的存储单元，方法是，先将脚拨为低电平，脚拨为高电平，将脚拨为低电平后，马上再拨回高电平，这样数据9DH就写入了6116的地址为000H的存储单元。⑤重复上述步骤，改变地址，写入新的数据。比如，拨动DSW3形成数据5BH，将DSW1拨成新的地址001H，将脚拨为低电平后，马上再拨回高电平，这样数据5BH就写入了6116的001H单元。数据写入6116之后，不要终止Proteus的运行，等待读出验证。(2)读出验证在从6116读出数据之前，

6、要将SW4的两个拨码开关均拨到ON位置。（为什么？）请同学们自拟实验步骤，读出前面写入6116的地址为000H和001H两个存储单元的数据，观察上述两个单元中的内容是否与前面写入的一致。2半导体静态存储器实验原理图1-1图3