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1、摘要随着笫三代半导体材料氮化稼的突破和蓝、绿及白光发光二极管的问世，半导体技术继引发微电子革命Z后，又孕育一场新的产业革命——照明革命。本文介绍了高亮度发光二极管的电气特性，详细描述了用PIC12F675单片机控制的充放电电路的原理，研究了银氢充电电池的充电特性及制作双层电路板的一般步骤，以及用一般工程的思想完成毕业设计的尝试。关键字及名词解释：PIC12F675,MOSFET,脉冲式充电法，-ZV保护，高亮度LEDPIC12F675MICROCHIP公司牛产的8引脚闪存8位CMOS单片机。MOSFET［电子］金属氧化物半导体场效应晶
2、体管。也就是常川的开关管原件。脉宽调制控制电路利用半导体功率晶体筲或晶闸管等开关器件的导通和关断，把直流电压变成电压脉冲列，控制电压脉冲的宽度的一种电路。•△V保护当银氢电池充满电吋，电池电压会达到一个峰值，然后电压会下降。当检测到电压下降一定的值时，终止充电。SBLEDSuperBrightLED超高亮度LED,单颗可川作照明川的发光效率将达到1200m/w,光通量超过1OOOmcd的半导休发光一极管。ABSTRACTAlonewiththebreakthroughofthethirdgenerationSemi-Conductorm
3、aterialGaN,andthenewcomingoutofBlue,Green&WhiteLED.IlluminativeRevolution,AnotherIndustrialRevolutionisbeingfosteredbehindtheMicro-ElectricalRevolutionwhicharisesbytheSemi-ConductorTechnology・ThispaperintroducestheelectricalpropertyofSuperBrightLEDanddescribestheprincipl
4、eofintegratedcircuitofcharging&dischargingindetailwhichcontrolledbyMicrochipsPIC12F675.ResearchesthecharacteristicsofNi-MHbattery,andthenthecommonprocessesofdesigningdoublelayersPCB・Finally,thedesignattemptscommonprojectionthinkingmethodtotaste.KeyWords&Explanation：PIC12
5、F675,MOSFET,PulseWidthModulation,-AVProtection,SuperBrightLEDPIC12F675Microchip's8-PinFLASH-Based8-BitCMOSControllers.MOSFETMetallicOxideSemiconductorFieldEffectTransistor,commonlyusedasswitches・PulseWidthModulationControlICTakeadvantageoftheswitchesofMOSFET,transformdir
6、ectcurrenttovoltagepulsearrange,controlthewidthofthepulse・-AVProtectionWhenNi-MHbatteryChargedover,thevoltageofthebatterywouldgetthevoltagepeakvalue,thenthevoltagegoesdownalittle・Stopchargingwhendetected.SBLEDSuperBrightLowEmittingDiode・、夕▲J▲刖言“房间里没有任何H前常见的灯具的踪迹，只有一个会发光的
7、天花板，根据需要变幻出星空、刀夜、日光等不同的光源。星空状态时，只见天花板上'繁星'闪烁，屋内大件物品的轮廓依稀可见。月夜状态时，一轮'满月'悬挂在天花板上，向室内挥洒清冷的'月’光。日光状态吋,'满刀'又会变成'太阳'，将室内映照得如同白昼。”这不是神话故事中的描写，而是专家在描述半导体照明中的一个场景。人类文明的发展与照明进步息息相关。随着1962年第一只半导体发光二极管的诞牛，一种体积小、寿命长、安全低压、节能、环保的新型照明灯具就进入了科学家的视野。他们认定，这种新型的固态照明（包括•半导体照明和固体发光材料照明两种，后者ri前
8、进展较慢）必将带来人类照明领域的第三次革命。高亮度口光LED照明第一个突岀的优点就是节能，未来白光LED照明的耗电量仅为相同亮度白炽灯的10%-20%ol998年全球照明共消耗2300亿美元的电力，同时在发
