电路分析实验(吴耀德)

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5、确使用方法。2.掌握测量的基本技能。3.测定线性电阻和非线性电阻的伏安特性。4.理解伏安特性、线性元件、非线性元件三个基本概念。二、实验仪器数字万用表、直流毫安表（10mA、50mA量程）、直流微安表、KHDL-1型电路原理实验箱(含直流稳压电源+6、+12，直流数字毫安表),。三、实验原理任何一个二端元件的特性可用该元件上的端电压U与通过该元件的电流I之间的函数关系I=f(V)来表示，即用I-V平面上的一条曲线来表征，这条曲线称为该元件的伏安特性曲线。1.线性元件：线性电阻器的伏安特性曲线是一条通过坐标原点

6、的直线，如图(a)所示，该直线的斜率等于该电阻器的电阻值。2.非线性元件：一般的半导体二极管是一个非线性电阻元件，其特性如图(c)。正向压降很小（一般的锗管约为0.2～0.3V，硅管约为0.5～0.7V)，正向电流随正向压降的升高而急骤上升，而反向电压从零一直增加到十多至几十伏时，其反向电流增加很小，粗略地可视为零。可见，二极管具有单向导电性，但反向电压加得过高，超过管子的极限值，则会导致管子击穿损坏。（c）四、实验内容步骤1．测定线性电阻的伏安特性（1）取200欧的一只电阻，按图（d）联接好电路，调节电源电

7、压分别为0V，2V，4V，6V，8V，10V，用50mA电流表测定对应的电流值，填入表格中。（2）将200欧的电阻换成2000欧的电阻，重复上述步骤。（3）绘制两电阻的伏安特性曲线并验证I=f(V)。（d）表1-1U(V)0246810I(mA) 表1.2U(V)0246810I(mA) 2.测定晶体二极管伏安特性（1）正向特性：根据图联接好电路后，可变电阻最大值为1K欧，R取200欧。将电源电压调为3V，调节WR，使二极管端电压为表中数值，用10mA电流表测量对应电流值记入表格中。（2）反向特性：把二极管反

8、向联接。将电源电压调为15V，调节WR，使二极管端电压为表中数值，用微安表测对应的电流记入表格中。（3）绘制二极管的正向和反向特性曲线。（e）表1-3正向特性实验数据U(V)0    0.4  0.6 0.61  ……0.75I(mA) 表1-4反向特性实验数据U(V)0  -3  -6  -9  -12  -15   I(mA) 五、注意事项1．使用电源时要防止短路。接通和断开电路前应使输出为零，