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《晶体硅表面制绒参数优化分析_种法力》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在行业资料-天天文库。
1、第43卷第5期表面技术2014年10月SURFACETECHNOLOGY·87·晶体硅表面制绒参数优化分析种法力(徐州工程学院,江苏徐州221008)摘要:目的研究酸(HF和HNO3)、碱(NaOH)腐蚀液对晶体硅制绒的影响。方法通过改变NaOH浓度、异丙醇浓度、腐蚀时间研究单晶硅片腐蚀,通过改变酸溶液浓度比研究多晶硅片腐蚀,通过分析微观形貌及表面反射率等考察制备晶体硅制绒工艺参数。结果单晶硅最佳的腐蚀
2、液配比为:NaOH质量浓度15g/L,热碱温度80℃,异丙醇体积分数15%~20%,腐蚀时间10min。在最优化参数下,晶体硅绒表面金字塔大小均匀,高度约为5μm,相邻金字塔间彼此相连,硅表面反射率降低至15%。在V(HF)∶V(HNO3)∶V(CH3COOH)=10∶1∶10,腐蚀速率为2μm/min时,晶体硅绒表面呈现较好的沟壑状绒面结构。结论溶液酸碱性的强弱和异丙醇对晶体硅制绒有较大影响,并且直接影响晶体硅的表面反射率。关键词:单晶硅;制绒;反射率中图分类号:TM914.4文献标识码:A文章编
3、号:1001-3660(2014)05-0087-04ParameterOptimizationofTextureofCrystallineSiliconWafersCHONGFa-li(XuzhouInstituteofTechnology,Xuzhou221008,China)ABSTRACT:ObjectiveTostudytheeffectofthemixturesolutionofNaOH,HFandHNO3onthetextureofcrystallinesiliconwafers.Me
4、thodsThemonocrystallinesiliconwaferwascorrodedbychangingNaOHconcentration,isopropylalcohol(IPA)con-centrationandcorrosiontime.Thepolycrystallinesiliconwafer(Poly-Si)wascorrodedbychangingtheconcentrationofacidsolu-tion.ThetexturewasanalyzedbymeansoftheS
5、EMimagesandthesurfacereflectanceofsilicon.ResultsTheoptimumcorrosionparameterswere15g/LforNaOH,15%~20%forIPAvolumefraction,10minutesforcorrosiontimeat80℃forthermokalite.Attheseoptimizedparameters,thesizeofpyramidswasevenwithheightofabout5μm.Theadjacent
6、pyramidswerelinkedtoeachotherandthesurfacereflectanceofsiliconwasreducedto15%.Thecorrosionratewas2μm/minatthemixturesolutionofV(HF)∶V(HNO3)∶V(CH3COOH)=10∶1∶10,andthetextureshowedlikeravine.ConclusionTheacid-basepropertyofthesolutionandtheadditionofIPAh
7、avesignificantinfluenceonthetextureofcrystallinesiliconanddirectlyaffectthesurfacere-flectanceofsilicon.KEYWORDS:monocrystallinesilicon;texturization;reflectance[1—2]硅材料对太阳光长波(>1100nm)的反射率约为35%,对短波(<400nm)则高达54%。为了减收稿日期:2014-04-17;修订日期:2014-06-16Receiv
8、ed:2014-04-17;Revised:2014-06-16基金项目:江苏省高校自然科学基金(12KJD480002);江苏省“青蓝工程”资助项目Fund:SupportedbytheNaturalScienceFundforCollegesandUniversitiesinJiangsuProvince(12KJD480002)andJiangsuProvinceQinglanProject.作者简介:种法力(1977—),男,山东枣庄人,副教授,主要从事能源电
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