微星2月销售指南V10

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1、售前支持课售前团队(18pt)2月销售指南(48pt)目录新技术特色微星军规第三代用料特色军规认证主板篇2012Q1月产品规划2月重点H61M-P35&A55M-P35介绍及PK2月重点H61M-P35&A55M-P35销售话术显卡篇微星显卡技术介绍2月重点介绍2月重点销售话术新技术特色微星军规第三代军规认证新技术特色篇军规III特色部分:军工级，稳定用料所有使用的军规用料都通过了第三方老化，稳定性认证让CPU，内存的超频能力更强，稳定性更高军规组件的更新军规I军规II军规III在保持优质用料的同时，进行升级所有使用的军规用料都通过了第三方老化，稳定性认证（证

2、书号:MIL-STD-810G）军规III新加入了DrMOSII（M博士第二代）MSI5系列/800系列主板MSI6系列/900&Llano系列主板MSI7系列/AMD下一代芯片军规I军规II军规IIIDrMOSII(M博士第二代OO√Hi-ccap（钽电容）√√√SFC(超级铁素体电感）O√√IcyChoke（冰魄电感）√OOSolidCAP（日系固态电容）√√√军规III介绍军规III—最顶级最稳定的用料所有军规III组件的用料都通过MIL-STD-810G实验室严格测试√温度冲击试验√湿度试验√震动试验√低气压试验√高温试验√低温试验√冲击试验DrMOS

3、II(下一代DrMOS)Hi-cCAP(钽电容)SFC(超级铁素体电感)固态电容(军工级固态电容)军规III-DrMOSIIDrMOSII(新一代DrMOS)OTP感应区(过温保护)MOS驱动IC一体封装设计高功率、高效率双重热保护DrMOSIIDrMOS26%更低的电阻更低的导通电阻RDS(on)特性提供更高的电源转换效率130℃LED灯闪烁警告自动关机两段式温度保护军规III–DrMOSIILed灯闪烁指示当温度提高到一定程度时LED闪烁警示Hi-cCap军规III–Hi-cCap(钽电容)钽质核心相较固态电容稳定性更高，寿命更长自动修复功能超低ESR普通

4、固态电容钽电容85℃下不间断使用16年军规III–超级铁素体电感SFC(超级铁素体电感)超级铁素体核心电流提升30%电源转换损耗更低，温度更低更高的超频稳定性更高的电流更低的损耗军规III–军规固态电容普通固态电容Higherisbetter军规固态电容铝质核心10年超长寿命决不爆浆超低ESR较低的工作温度满负荷10年寿命普通电容可提供常温4.8年寿命，在长期高温下寿命还会缩短，在网吧等环境使用捉襟见肘。军规固态电容提供超长寿命，适合恶劣环境长期使用。测试环境测试温度:-40℃~70℃测试频率:3次测试时间:大约4.5小时√温度冲击测试(美国军方MIL-ST

5、D-810G方法503.5)变温箱测试测试环境测试温度:+24℃测试湿度:95%(RH)测试时间:10天√湿度测试(美国军方MIL-STD-810G方法507.5)雨天,室内测试环境测试振频:10到500Hz测试振幅:随机测试时间:1小时√抗震测试(美国军方MIL-STD-810G方法514.6)在运行的火车上测试环境测试海拔:5000米测试时间:大约4小时√压强测试(美国军方MIL-STD-810G方法500.5)在山上测试环境测试温度:+71℃测试时间:24小时√高温测试(美国军方MIL-STD-810G方法501.5)高温箱测试环境测试温度:-51℃测试

6、时间:24小时√低温测试(美国军方MIL-STD-810G方法502.5)液氮降温测试环境击打物高度:10cm击打物直径:4.5cm测试次数:4次√抗冲击测试(美国军方MIL-STD-810G方法516.6)自由落体军规III–认证测试标准MIL-STD-810G证书照片军规III(5星)所有军规III的用料均通过第三方得认证。并获得相关证书20127系列产品规划2月重点H61M-P35系列介绍2月重点H61M-P35PKP8H61-MLX、GA-H61M-S2-B32月重点H61M-P35销售话术2月重点A55M-P35PKF1A55-M、GA-A55M-S

7、2H2月重点A55M-P35销售话术主板篇Intel芯片趋势P55P67H55H67H61X58Z685系列6系列7系列Z77Z75H77B75X791366平台1156平台1155平台1155平台2011平台发烧级主流级2012Q1msi7系列主板规划-ATXQ2’11Q3’11Q4’11Q1’12Page14BigBang-MARSHAL(B3)7670v1.2P67/Lucid24102MPP67A/P67S-C43(B3)7673v1.01P67MPP67A-C45(B3)7673v1.01P67MPP67A/P67S-GD53(B3)7681v2.0

8、1P67MPP67A-GD55(B3)