重庆大学《模拟电子技术》习题8

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1、习题八8」选择正确的答案填入空内。（1）场效应管的漏极电流是由（A.少了B.多了）的漂移运动形成的。C.两种载流了（2）场效应管是一种（）控制型的电子器件。A.电流B.光（3）场效应管是利用外加电压产牛的（A.电流B.电场C.电压）來控制漏极电流的大小的。C.电压（4）与双极型晶体管比较，场效应管（A.输入电阻小B.制作工艺复杂）°C.放人能力弱（5）当场效应管的漏极直流电流/d从2mA变为3mA时，它的低频跨导将（）。A.增大B.减小C.不变（6）某场效应管的转移特性如rfl题图8」所示，则该管是（）场

2、效应管。A.增强型NMOSB.耗尽型NMOSC.耗尽型PMOS（7）当耗尽型场效应管工作于放人区时，场效应管ID的数学表达式为（）。B.iD=IdssWgs_)~iDSSVGS)2（8）当栅源电压0s=OV时，能够工作在恒流区的场效应管有（）oA.结型管B.增强型MOS管C.耗尽型MOS管解：(1)B(2)C(3)B(4)C(5)A(6)B(7)C(8)AC8.2L1知场效应管的输出特性曲线如题图8.2所示,画出它在恒流区的转移特性曲线。解：在输出特性上作VDS=10V的垂线,查出它与输出特性曲线的交点（

3、VGS，（D），可作岀转移特性曲线。作图，略。8・3在题图8.3所示电路屮，已知场效应管的rP=-5V；问在下列三种情况下，竹了分别工作在哪个状态？（1）"gs=—8V,vds=4V（2）vgs=—3V,vDS=4V（3）vgs=—3V,vDS=lV解：N沟道耗尽型（％<0）场效应管工作状态的判断：截止区：VGS?P,VGSTdS<7p可变电阻区：Vqs>?P,VGSTdS>7pP沟道耗尽型（7p>0）场效应管工作状态的判断：截止区：Vgs>KpItL流区:Vgs

4、”S>7p口」变电阻区：Ugs0）场效应管工作状态的判断：截止区：VGS

5、'口J变电阻区：vGS>rT,Vos—Vns>PtP沟道增强型（儿VO）场效应管工作状态的判断：截止区：vgs>yr恒流区：vgs*^yr,vgs—vds可变电阳.区：vgs*^r,vgs—vds<8.5已知某结型场效应管的/DSs=2mA,$=—4V,试画出它的转移特性ill］线和输出特性曲线，并近似画出预夹断轨迹。解：N沟道结型（耗尽型）场效应管的转移特性曲线方程为：仏4-汐=2（1+严）2（7p<0,$<*（怡<°，vds>"gs・/p）预夹断轨迹方程：Vos=vGS~7=VGS+4作图，略。8.6

6、电路如题图8.6所示，场效应管的输出特性如题图8.2所示，分析当v,=4V.8V、12V三种情况下场效应管分别工作在什么区域。解：由电路可知，场效应管是N沟道增强型，vGS=vIO由转移特性看出，Kt^6Vo当力=4V时，场效应管在截止区。当力=8V时,由输出特性看出,Id〜0.6mA。因此,vDS=12-3.3X0.6=10V,场效应管工作在恒流区。当V!=12V时,由输出特性看出,ID^4mA。因此，畑=0>12・3.3X4—1.2V,场效应管工作在可变电阻区。8.7电路如题图8.7所示，设FET的参

7、数为：/DSS=3mA,KP=-3VO当心分別为下列两个数值时，判断FET是处在饱和区还是非饱和区，并求饱和区中的电流人。(l)7?D=3.9kQ(2)局=10kQ解：静态时，vg$=0,Id二』dss=3mA。(1)/?D=3.9kQ,vDS=KDD-RdID=3.3V,FET工作在恒流区;(2)/?D=10kQ,vDs=0V>rDD-RdlD=-15V,FET工作在可变电阻区。8.8已知题图8.8(a)所示电路屮场效应管的转移特性和输出特性分别如题图8.8(b)©所示。(1)利用图解法求解Q点；(2)

8、利用等效电路法求解血、尺和他。题图8.8解：由电路，得%S=VG-VS=-RJd=-2iDVDS~VDD~+人$)=1。-7匚分别在转移特性和输出特性上作出上述方程的直线。题图8.80246S1012VdsA^(b)(2)利用等效电路法求解4八&和心电压增益4=—=-g^R；=-gm©输入电阻&=R(,=1MQ输出电阻R°=R&=5血8.9电路如题图8.9所示，已知FET的工作点上的互导gm=1mso（1）画出电路的小信号等效