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时间:2019-09-07
《重庆大学《模拟电子技术》习题8》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在工程资料-天天文库。
1、习题八8」选择正确的答案填入空内。(1)场效应管的漏极电流是由(A.少了B.多了)的漂移运动形成的。C.两种载流了(2)场效应管是一种()控制型的电子器件。A.电流B.光(3)场效应管是利用外加电压产牛的(A.电流B.电场C.电压)來控制漏极电流的大小的。C.电压(4)与双极型晶体管比较,场效应管(A.输入电阻小B.制作工艺复杂)°C.放人能力弱(5)当场效应管的漏极直流电流/d从2mA变为3mA时,它的低频跨导将()。A.增大B.减小C.不变(6)某场效应管的转移特性如rfl题图8」所示,则该管是()场
2、效应管。A.增强型NMOSB.耗尽型NMOSC.耗尽型PMOS(7)当耗尽型场效应管工作于放人区时,场效应管ID的数学表达式为()。B.iD=IdssWgs_)~iDSSVGS)2(8)当栅源电压0s=OV时,能够工作在恒流区的场效应管有()oA.结型管B.增强型MOS管C.耗尽型MOS管解:(1)B(2)C(3)B(4)C(5)A(6)B(7)C(8)AC8.2L1知场效应管的输出特性曲线如题图8.2所示,画出它在恒流区的转移特性曲线。解:在输出特性上作VDS=10V的垂线,查出它与输出特性曲线的交点(
3、VGS,(D),可作岀转移特性曲线。作图,略。8・3在题图8.3所示电路屮,已知场效应管的rP=-5V;问在下列三种情况下,竹了分别工作在哪个状态?(1)"gs=—8V,vds=4V(2)vgs=—3V,vDS=4V(3)vgs=—3V,vDS=lV解:N沟道耗尽型(%<0)场效应管工作状态的判断:截止区:VGS?P,VGSTdS<7p可变电阻区:Vqs>?P,VGSTdS>7pP沟道耗尽型(7p>0)场效应管工作状态的判断:截止区:Vgs>KpItL流区:Vgs4、”S>7p口」变电阻区:Ugs0)场效应管工作状态的判断:截止区:VGS5、'口J变电阻区:vGS>rT,Vos—Vns>PtP沟道增强型(儿VO)场效应管工作状态的判断:截止区:vgs>yr恒流区:vgs*^yr,vgs—vds可变电阳.区:vgs*^r,vgs—vds<8.5已知某结型场效应管的/DSs=2mA,$=—4V,试画出它的转移特性ill]线和输出特性曲线,并近似画出预夹断轨迹。解:N沟道结型(耗尽型)场效应管的转移特性曲线方程为:仏4-汐=2(1+严)2(7p<0,$<*(怡<°,vds>"gs・/p)预夹断轨迹方程:Vos=vGS~7=VGS+4作图,略。8.66、电路如题图8.6所示,场效应管的输出特性如题图8.2所示,分析当v,=4V.8V、12V三种情况下场效应管分别工作在什么区域。解:由电路可知,场效应管是N沟道增强型,vGS=vIO由转移特性看出,Kt^6Vo当力=4V时,场效应管在截止区。当力=8V时,由输出特性看出,Id〜0.6mA。因此,vDS=12-3.3X0.6=10V,场效应管工作在恒流区。当V!=12V时,由输出特性看出,ID^4mA。因此,畑=0>12・3.3X4—1.2V,场效应管工作在可变电阻区。8.7电路如题图8.7所示,设FET的参7、数为:/DSS=3mA,KP=-3VO当心分別为下列两个数值时,判断FET是处在饱和区还是非饱和区,并求饱和区中的电流人。(l)7?D=3.9kQ(2)局=10kQ解:静态时,vg$=0,Id二』dss=3mA。(1)/?D=3.9kQ,vDS=KDD-RdID=3.3V,FET工作在恒流区;(2)/?D=10kQ,vDs=0V>rDD-RdlD=-15V,FET工作在可变电阻区。8.8已知题图8.8(a)所示电路屮场效应管的转移特性和输出特性分别如题图8.8(b)©所示。(1)利用图解法求解Q点;(2)8、利用等效电路法求解血、尺和他。题图8.8解:由电路,得%S=VG-VS=-RJd=-2iDVDS~VDD~+人$)=1。-7匚分别在转移特性和输出特性上作出上述方程的直线。题图8.80246S1012VdsA^(b)(2)利用等效电路法求解4八&和心电压增益4=—=-g^R;=-gm©输入电阻&=R(,=1MQ输出电阻R°=R&=5血8.9电路如题图8.9所示,已知FET的工作点上的互导gm=1mso(1)画出电路的小信号等效
4、”S>7p口」变电阻区:Ugs0)场效应管工作状态的判断:截止区:VGS5、'口J变电阻区:vGS>rT,Vos—Vns>PtP沟道增强型(儿VO)场效应管工作状态的判断:截止区:vgs>yr恒流区:vgs*^yr,vgs—vds可变电阳.区:vgs*^r,vgs—vds<8.5已知某结型场效应管的/DSs=2mA,$=—4V,试画出它的转移特性ill]线和输出特性曲线,并近似画出预夹断轨迹。解:N沟道结型(耗尽型)场效应管的转移特性曲线方程为:仏4-汐=2(1+严)2(7p<0,$<*(怡<°,vds>"gs・/p)预夹断轨迹方程:Vos=vGS~7=VGS+4作图,略。8.66、电路如题图8.6所示,场效应管的输出特性如题图8.2所示,分析当v,=4V.8V、12V三种情况下场效应管分别工作在什么区域。解:由电路可知,场效应管是N沟道增强型,vGS=vIO由转移特性看出,Kt^6Vo当力=4V时,场效应管在截止区。当力=8V时,由输出特性看出,Id〜0.6mA。因此,vDS=12-3.3X0.6=10V,场效应管工作在恒流区。当V!=12V时,由输出特性看出,ID^4mA。因此,畑=0>12・3.3X4—1.2V,场效应管工作在可变电阻区。8.7电路如题图8.7所示,设FET的参7、数为:/DSS=3mA,KP=-3VO当心分別为下列两个数值时,判断FET是处在饱和区还是非饱和区,并求饱和区中的电流人。(l)7?D=3.9kQ(2)局=10kQ解:静态时,vg$=0,Id二』dss=3mA。(1)/?D=3.9kQ,vDS=KDD-RdID=3.3V,FET工作在恒流区;(2)/?D=10kQ,vDs=0V>rDD-RdlD=-15V,FET工作在可变电阻区。8.8已知题图8.8(a)所示电路屮场效应管的转移特性和输出特性分别如题图8.8(b)©所示。(1)利用图解法求解Q点;(2)8、利用等效电路法求解血、尺和他。题图8.8解:由电路,得%S=VG-VS=-RJd=-2iDVDS~VDD~+人$)=1。-7匚分别在转移特性和输出特性上作出上述方程的直线。题图8.80246S1012VdsA^(b)(2)利用等效电路法求解4八&和心电压增益4=—=-g^R;=-gm©输入电阻&=R(,=1MQ输出电阻R°=R&=5血8.9电路如题图8.9所示,已知FET的工作点上的互导gm=1mso(1)画出电路的小信号等效
5、'口J变电阻区:vGS>rT,Vos—Vns>PtP沟道增强型(儿VO)场效应管工作状态的判断:截止区:vgs>yr恒流区:vgs*^yr,vgs—vds可变电阳.区:vgs*^r,vgs—vds<8.5已知某结型场效应管的/DSs=2mA,$=—4V,试画出它的转移特性ill]线和输出特性曲线,并近似画出预夹断轨迹。解:N沟道结型(耗尽型)场效应管的转移特性曲线方程为:仏4-汐=2(1+严)2(7p<0,$<*(怡<°,vds>"gs・/p)预夹断轨迹方程:Vos=vGS~7=VGS+4作图,略。8.6
6、电路如题图8.6所示,场效应管的输出特性如题图8.2所示,分析当v,=4V.8V、12V三种情况下场效应管分别工作在什么区域。解:由电路可知,场效应管是N沟道增强型,vGS=vIO由转移特性看出,Kt^6Vo当力=4V时,场效应管在截止区。当力=8V时,由输出特性看出,Id〜0.6mA。因此,vDS=12-3.3X0.6=10V,场效应管工作在恒流区。当V!=12V时,由输出特性看出,ID^4mA。因此,畑=0>12・3.3X4—1.2V,场效应管工作在可变电阻区。8.7电路如题图8.7所示,设FET的参
7、数为:/DSS=3mA,KP=-3VO当心分別为下列两个数值时,判断FET是处在饱和区还是非饱和区,并求饱和区中的电流人。(l)7?D=3.9kQ(2)局=10kQ解:静态时,vg$=0,Id二』dss=3mA。(1)/?D=3.9kQ,vDS=KDD-RdID=3.3V,FET工作在恒流区;(2)/?D=10kQ,vDs=0V>rDD-RdlD=-15V,FET工作在可变电阻区。8.8已知题图8.8(a)所示电路屮场效应管的转移特性和输出特性分别如题图8.8(b)©所示。(1)利用图解法求解Q点;(2)
8、利用等效电路法求解血、尺和他。题图8.8解:由电路,得%S=VG-VS=-RJd=-2iDVDS~VDD~+人$)=1。-7匚分别在转移特性和输出特性上作出上述方程的直线。题图8.80246S1012VdsA^(b)(2)利用等效电路法求解4八&和心电压增益4=—=-g^R;=-gm©输入电阻&=R(,=1MQ输出电阻R°=R&=5血8.9电路如题图8.9所示,已知FET的工作点上的互导gm=1mso(1)画出电路的小信号等效
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