重庆大学《模拟电子技术》习题6

重庆大学《模拟电子技术》习题6

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1、习题66.1选择正确答案填入空内。(1)在本征半导体中加入—元素可形成N型半导体,加入_元索可形成P型半导体。A.五价B.四价C.三价(2)PN结加正向电压时,空间电荷区将。A.变窄B.基本不变C.变宽(3)设二极管的端电圧为巾,则二极管的电流方程是_oA./sev,DB.I^dIVtC./s(eVp/^-l)(4)当温度升高时,二极管的反向饱和电流将—。A.增大B.不变C.减小(5)稳压管的稳圧区是其工作在—。A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(6)稳压二极竹稳压时,其工作在;发光二极竹发光时,其工作在oA.正向导通区B.反向截止

2、区C.反向击穿区解答:(1)AC(2)A(3)C(4)A(5)C(6)CA6.2将正确答案填入空内。(1)题图6.2(a)所示电路屮二极管为理想器件,则DH作在状态,D?工作在状态,%为Vo导通导通-3V题图6.2(a)(2)在题图6.2(b)所示电路中稳压管2CW5的参数为:稳定电压rz=12V,最大稳定电流/Zmax=20mA。图中电压表中流过的电流忽略不计。当开关S闭合吋,电压表V和电流表力】、a2的读数分别为、、;当开关S断开时,其读数分别为、、O12V12mA6mA12V12mA6.3电路如题图6.3所示,已知Ui=56si

3、nM(v),试画'11v,Aiv0的波形。设一极管正向导通习题66.1选择正确答案填入空内。(1)在本征半导体中加入—元素可形成N型半导体,加入_元索可形成P型半导体。A.五价B.四价C.三价(2)PN结加正向电压时,空间电荷区将。A.变窄B.基本不变C.变宽(3)设二极管的端电圧为巾,则二极管的电流方程是_oA./sev,DB.I^dIVtC./s(eVp/^-l)(4)当温度升高时,二极管的反向饱和电流将—。A.增大B.不变C.减小(5)稳压管的稳圧区是其工作在—。A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(6)稳压二极竹稳压时,其工作

4、在;发光二极竹发光时,其工作在oA.正向导通区B.反向截止区C.反向击穿区解答:(1)AC(2)A(3)C(4)A(5)C(6)CA6.2将正确答案填入空内。(1)题图6.2(a)所示电路屮二极管为理想器件,则DH作在状态,D?工作在状态,%为Vo导通导通-3V题图6.2(a)(2)在题图6.2(b)所示电路中稳压管2CW5的参数为:稳定电压rz=12V,最大稳定电流/Zmax=20mA。图中电压表中流过的电流忽略不计。当开关S闭合吋,电压表V和电流表力】、a2的读数分别为、、;当开关S断开时,其读数分别为、、O12V12mA6mA1

5、2V12mA6.3电路如题图6.3所示,已知Ui=56sinM(v),试画'11v,Aiv0的波形。设一极管正向导通电压可忽略不计。+0~~~?D1rnvoViCZ1—RDiZD2、Z+3VVo题图6.3题图6.4解:当m>0时,D正向导通,v0=vi;当片<0时,D反向截止,vo=0o题图6.36.4电路如题图6.4所示,已知比=5sine/(V),二极管导通电压rD=0.7Vo试画出电路的传输特性及峪与巾的波形,并标出幅值。解:忽略二极管的导通压降。当m>・3V时,D?正向导通,Di反向截止,v°=3V;v0=Vj;当Vi<-3

6、V时,D2和D

7、反向截止,v0=Vjo6.5电路如题图6.5(a)所示,其输入电压巾和巾的波形如图(b)所示,二极管的导通电压Kd=0.7Vo试画出输岀电压”的波形,并标出亦值。VilO必2°+Vcc(5V)uR—^―亠Vo题图6.5(a)解:忽略二极管的导通压降。题图6.5(c)6.6电路如题图6.6所示,(1)利用硅二极管恒压降模型求电路的Id和V。的值;(2)在室温(300K)的情况下,利用二极管的小信号模型求心的变化范I韦I。(1O±1V)0DigD?ZVo题图6.66k0题图6.7解:(1)Vo=2Von=2x0・7=l"

8、b=0CC一5R=(10一14)7/1也二8.6〃必叫~R+2r(lAKcc2x31000+2x3x(±l)=06.7电路如题图6.7所示,设二极管是理想的。(a)画出它的传输特性;(b)若输入电压匕•=20sin必(V),试根据传输特性画出一个周期的输岀电压心的波形。解:当vo<-10V时,D2和D]反向截止,Vo=vi?Vi<-10Vo当12V>vo>-10V时,D2正向导通,Di反向截止,vo=-10+2(Vi+10)/3,Vi>-10Vo当”°>12V时,Di和D2正向导通,Vo=(vi+l)/2.1,vi>24.2Vo传输特

9、性如题图6.7(b)所示。波形图略。A6.8二极管电路如题图6.8所示,试判断各图中的二极管是导通还是截止,并求II!AB两端电压%b,设二极管是理想的。AA—>-ort+RfbkQ15V丄12V—KbB(b)DiR[

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