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1、dEdkdE2~d^k=O.U2E0[cos(to)+3sin(to)]1・1、什么叫本征激发？温度越高，本征激发的载流子越多，为什么？试定性说明之。解：在一定温度下，价带电子获得足够的能量（NEg）被激发到导带成为导电电子的过程就是木征激发。其结果是在半导体中出现成对的电子•空穴对。如果温度升高，则禁带宽度变窄，跃迁所需的能量变小，将会有更多的电子被激发到导带中。1・2、试定性说明Ge、Si的禁带宽度具有负温度系数的原因。解：电子的共有化运动导致孤立原子的能级形成能带，即允带和禁带。温度升高,则电子的共有化运动加剧，导致允带进一
2、步分裂、变宽；允带变宽，则导致允带与允带之间的禁带相对变窄。反之，温度降低，将导致禁带变宽。因此，Ge、Si的禁带宽度具有负温度系数。1・3、试指出空穴的主要特征。解：空穴是未被电子占据的空量子态，被用来描述半满带中的人量电子的集体运动状态，是准粒子。主要特征如下：A、荷正电：+q；B、空穴浓度表示为p（电子浓度表示为n）；C、EP二EnD、mP*=-mn*o1-4、简述Ge、Si和GaAS的能带结构的主要特征。解:（1）Ge、Si：a）Eg（Si：0K）=1.21eV；Eg（Ge：0K）=1.170eV；b）间接能隙结构；c）禁
3、带宽度Eg随温度增加而减小；（2）GaAs：a）Eg（300K）=1.428eV,Eg（0K）=1.522eV；b）直接能隙结构；c）Eg负温度系数特性：dEg/dT=-3.95X10-4eV/K；1・5、某一维晶体的电子能带为E（k）=Eo[1-0.1cos（to）-0.3sin（to）]其屮E（）=3eV,晶格常数a=5xl0Hmo求：（1）能带宽度；（2）能带底和能带顶的有效质量。解：（1）由题意得：=O.kzEo[sin(to)一3cos伙d)]令=0,得fgCka)=—dk3・・・k{a=18.4349",込a=198.
4、4349"z//72当k®=18.4349",上厂=0.k2E0(cos18.4349+3sin18.4349)=2.28x1O'40>0,d"k对应能带极小值；dF?当％=198.4349",莎=0.1a2E0(cosl98.4349+3sin198.4349)=-2.28xIO-40<0,对应能带极大值。则能带宽度△£*=Emax-Emin=1.1384^VLJ一1-12.28xlO-40也丿带底一h2[d2k}__(6.625xl0~34)2・]fdE2Y-1-2.28X1O-40网丿带顶={d2k}k.£(6.625x1
5、0-34J2_则=1.925x10—27(蚣)=-1.925x10—27(焰)答：能带宽度约为1.1384EV,能带顶部电子的有效质量约为1.925xl027kg,能带底部电子的有效质量约为-1.925x1027kgo2・1、什么叫浅能级杂质？它们电离后有何特点？解：浅能级杂质是指其杂质电离能远小于本征半导体的禁带宽度的杂质。它们电离后将成为带正电（电离施主）或带负电（电离受主）的离子，并同时向导带提供电子或向价带提供空穴。2・2、什么叫施主？什么叫施主电离？施主电离前后有何特征？试举例说明之，并用能带图表征出n型半导体。解：半导
6、体中掺入施主杂质后，施主电离后将成为带正电离子，并同时向导带提供电子，这种杂质就叫施主。施主电离成为带正电离子（中心）的过程就叫施主电离。施主电离前不带电，电离后带正电。例如，在Si中掺P,P为V族元素，本征半导体Si为IV族元素，P掺入Si中后，P的最外层电子有四个与Si的最外层四个电子配对成为共价电子，而P的第五个外层电子将受到热激发挣脱原子实的束缚进入导带成为自由电子。这个过程就是施主电离n型半导体的能带图如图所示：其费米能级位于禁带上方舉EcEfEfEvEv2・3、什么叫受主？什么叫受主电离？受主电离前后有何特征？试举例说
7、明之,并用能带图表征岀p型半导体。解：半导体中掺入受主杂质后，受主电离后将成为带负电的离子，并同时向价带提供空g,这种杂质就叫受主。受主电离成为带负电的离子（中心）的过程就叫受主电离。受主电离前带不带电，电离后带负电。例如，在Si中掺B,B为III族元素,而本征半导体Si为IV族元素，P掺入B中后，B的最外层三个电子与Si的最外层四个电子配对成为共价电子，而B倾向于接受一个由价带热激发的电子。这个过程就是受主电离。p型半导体的能带图如图所示：其费米能级位于禁带下方2・4、掺杂半导体与本征半导体之间有何差异？试举例说明掺杂对半导体的
8、导电性能的影响。解：在纯净的半导体中掺入杂质后，可以控制半导体的导电特性。掺杂半导体又分为n型半导体和p型半导体。例如，在常温情况下，本征Si中的电子浓度和空穴浓度均为1.5X1010cm-3o当在Si中掺入l.OXlO'W3后，半导体中的电子浓度
